郭尔佳
- 作品数：23 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家自然科学基金创新研究群体项目广州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信交通运输工程更多>>
- 钴氧化物基磁性氧化物薄膜及其制备方法和应用
- 本发明提供一种钴氧化物基磁性氧化物薄膜及其制备方法和应用，该磁性氧化物薄膜由第一材料层和第二材料层交替生长而成的超晶格结构组成，其中，所述第一材料层为LaCoO<Sub>3</Sub>，所述第二材料层为SrCuO<Sub...
- 金奎娟郭尔佳金桥林珊陈爽陈盛如祁明群
- 文献传递
- 无限层镍基超导体前驱物Nd<Sub>1-x</Sub>Sr<Sub>x</Sub>NiO<Sub>3</Sub>的制备方法
- 本发明提供一种无限层镍基超导体前驱物Nd<Sub>1‑x</Sub>Sr<Sub>x</Sub>NiO<Sub>3</Sub>的制备方法，其包括如下步骤：(1)将脉冲激光沉积制得的无限层镍基超导体前驱物钙钛矿氧化物薄膜升...
- 金奎娟杨明卫杨镇郭尔佳葛琛王灿何萌杨国桢
- 文献传递
- 拉力施加装置
- 本实用新型涉及一种拉力施加装置，包括：底座；台座，所述台座包括两个可滑动接合至所述底座的半主体；压紧组件，所述压紧组件接合至所述半主体并能够为由所述台座支承的样品提供压紧力以使其相对于所述台座定位；第一施力机构，其被构造...
- 郭尔佳荣东珂金桥林珊陈爽陈盛如祁明群金奎娟
- 一种转移二维材料的方法
- 本发明提供一种转移二维材料的方法，其包括以下步骤：(1)将PMMA涂覆至带有SiO<Sub>2</Sub>基片的二维材料的表面上；(2)将热释放胶带平整贴合至PDMS软膜，制得复合支撑层；(3)将所述复合支撑层的PDMS...
- 金奎娟杜剑宇葛琛郭尔佳王灿何萌
- 基于p-n结的高灵敏度光强起伏探测器
- 本发明提供一种光强起伏探测器，包括：p‑n结吸收体、分别设置在所述p‑n结吸收体两端的第一电极和第二电极、连接在所述第一电极和所述第二电极之间的可调电源、以及连接在所述第一电极和所述第二电极之间的测压部件，所述可调电源用...
- 吕惠宾郭尔佳何萌金奎娟杨国桢
- 文献传递
- 抗干扰高灵敏度紫外光探测器
- 本发明提供一种紫外光探测器，包括：吸收体，所述吸收体的禁带宽度大于3.2eV；设置在所述吸收体的一个表面的第一电极，所述第一电极采用能够透过紫外光的导电材料，并且所述第一电极覆盖所述吸收体的所述一个表面；设置在所述吸收体...
- 吕惠宾郭尔佳何萌金奎娟杨国桢
- 一种具有快响应高灵敏度和低噪声的紫外光探测器
- 本发明涉及一种具有快响应高灵敏度和低噪声的紫外光探测器，包括用宽禁带晶体材料做的光敏层，光敏层的两个表面上分别设置第一电极和第二电极，电源的正极和第二电极层连接，该电源4的负极通过电阻与同轴接头电连接，将导电胶涂覆在第一...
- 吕惠宾郭尔佳何萌金奎娟杨国桢
- 全铁电半导体PN结薄膜器件及其制备方法
- 一种全铁电半导体PN结薄膜器件，其自下而上依次包括：衬底、底电极、N型铁电层、P型铁电层和顶电极，或者衬底、底电极、P型铁电层、N型铁电层和顶电极；其中，所述N型铁电层由N型铁电材料形成，所述P型铁电层由P型铁电材料形成...
- 周勇王灿姚小康何萌葛琛郭尔佳金奎娟
- 文献传递
- 外场对拓扑相变氧化物薄膜物性的调控研究进展
- 2023年
- 钙钛矿型过渡金属氧化物在外场激励下可以通过得失氧离子发生显著的结构拓扑相变,同时伴随着输运、磁性、光学等物性的巨大变化,是近年来被重点关注的研究体系,在固态氧化物燃料电池、氧气传感器、催化活性、智能光学窗口以及神经形态计算器件中具有巨大的应用前景.本工作回顾了近年来国内外研究小组在拓扑相变氧化物薄膜及其物性调控方面的工作进展,详细介绍了这类典型薄膜材料在应力场、电场、光场、温度场等外场激励下呈现出的新奇物性,并讨论了其基本物理机制.本综述旨在进一步认识此类材料中的电荷、晶格、轨道等量子序之间的微观耦合机制及其与宏观物性的关联,相关研究有望为基于功能氧化物的高灵敏度、弱场响应的电子器件提供新材料、新途径和新思路.
- 孙雨婷李明明王玲瑞樊贞郭尔佳郭海中
- 关键词：氧化物薄膜氧空位
- 钴氧化物中晶格与自旋的关联耦合效应研究
- 2023年
- 强关联电子体系具有多序参量耦合且极易受到外场高效调控的特性.钴氧化物(LaCoO3)是一类典型的多铁性(兼具铁弹性和铁磁性)氧化物材料,受到了研究者们广泛和深入的研究.过去,针对钴氧化物的研究都集中于应力作用下的铁弹性相变和结构调控方面.近年来,研究人员新奇地发现钴氧化物薄膜在张应力作用下发生顺磁到铁磁相转变,但其根源一直存在较大争议.部分实验证据表明应力将会导致钴离子价态降低产生自旋态转变,而另一些研究者认为应力诱导的纳米畴结构会呈现高自旋态的长程有序排列,才是钴氧化物薄膜铁磁性的主要原因.本综述主要介绍近几年来钴氧化物薄膜和异质结中自旋与晶格之间关联耦合效应的系列进展.在保持钴离子价态不变时,通过薄膜厚度、晶格失配应力、晶体对称性、表面形貌、界面氧离子配位和氧八面体倾转等结构因素诱导钴氧化物薄膜的自旋态可逆转变,从而形成高度可调的宏观磁性.进而,研究者们利用原子级精度可控的薄膜生长技术构筑了单原胞层钴氧化物超晶格,通过高效的结构调控,实现了超薄二维磁性氧化物材料.这些系列进展不仅澄清了强关联电子体系中晶格与自旋等序参量之间的强耦合关系,而且为实现氧化物自旋电子器件所需的超薄室温铁磁材料提供了优良的候选者.
- 陈盛如林珊洪海涛崔婷金桥王灿金奎娟金奎娟
- 关键词：晶格畸变
