钟春良
- 作品数：45 被引量：30H指数：4
- 供职机构：湖南工业大学更多>>
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- 相关领域：金属学及工艺电气工程理学文化科学更多>>
- 磁控溅射craln/tialn薄膜的微结构及性能研究
- 近几十年来，随着高新技术的高速发展,对材料表面性能的要求愈来愈高。陶瓷纳米薄膜由于其高硬度、耐高温，耐磨减摩能力，涂层有望满足这一要求，提高工模具的使用寿命,成为了新一代的表面硬质涂层。工模具表面硬化涂层主要以tin为主...
- 钟春良
- 关键词：表面性能多层膜
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- 智能窗帘控制系统
- 智能窗帘控制装置主要包括STM32F107主机系统和STC12C5A60S2从机系统、传感器模块、步进电机驱动模块、电源模块、无线遥控模块，其中无线遥控模块用于发送指令给主机系统STM32F107，主机系统发送控制命令给...
- 钟春良戴圣伟陈银罗兰娥蔡胜强李志斌
- 文献传递
- Cr_(1-x)Al_xN涂层的微结构和抗氧化性能研究被引量：13
- 2007年
- 采用磁控反应溅射法制备了一系列不同Al含量的Cr1-xAlxN涂层,通过能谱仪(EDS)测试涂层的成分,X射线衍射仪(XRD)表征涂层的微结构,扫描电镜(SEM)观察涂层的表面形貌,研究了Al含量对涂层的微结构和高温抗氧化性能的影响。结果表明,涂层取CrN的面心立方结构生长,且呈(111)择优取向。随着Al含量增加,涂层的晶格常数减小,涂层的高温抗氧化性能显著提高。Cr0.6356Al0.3644N涂层随着氧化温度的升高,表面的Al含量略为上升,在900℃涂层产生裂纹失效。
- 钟春良董师润喻利花许俊华
- 关键词：磁控溅射微结构抗氧化
- 一种基于AT89C51单片机的超市寄存装置
- 一种基于AT89C51单片机的超市寄存装置，主要包括AT89C51单片机最小系统、按键模块、电源模块、箱柜控制模块、语音提醒模块、管理员控制模块、显示模块，通过按键模块输入密码，经AT89C51单片机最小系统处理后，通过...
- 潘长宁钟春良江友君戴圣伟李志斌李明
- 文献传递
- 一种基于STC89C51单片机的IC卡读写器
- 一种基于STC89C51单片机的IC卡读写器，主要包括STC89C51单片机最小系统、接口模块、电源模块、显示模块、串行通信模块；IC卡经接口模块与STC89C51单片机最小系统进行数据传输，经STC89C51单片机最小...
- 潘长宁戴圣伟钟春良肖利君李明李志斌左亚微叶孔
- 文献传递
- 内嵌CuO薄膜对并五苯薄膜晶体管性能的改善被引量：1
- 2015年
- 制备了基于内嵌氧化物铜(CuO)薄膜的并五苯薄膜晶体管器件.将3 nm CuO薄膜内嵌入到并五苯(pentacene)中,作为空穴注入层,降低电极与并五苯之间的空穴注入势垒.相对于纯并五苯薄膜晶体管器件,研制的晶体管的迁移率、阈值电压(VTH)、电流开关比(Ion/Ioff)等参数都有明显改善.X射线光电子能谱数据表明,这种空穴注入势垒的降低源自并五苯向CuO的电子转移.
- 聂国政邹代峰钟春良许英
- 关键词：有机薄膜晶体管CUO电子转移接触电阻
- 一种基于STC89C52单片机的超声波测距仪
- 一种基于STC89C52单片机的超声波测距仪，主要包括STC89C52单片机最小系统、超声波传感器模块、温度传感器模块、电源模块、显示模块；通过温度传感器测量环境温度，超声波传感器模块发射探头发射超声波，超声波遇障碍物后...
- 潘长宁戴圣伟钟春良叶孔肖刚毅左亚微浦冗赵文通
- 文献传递
- a-Si:H/c-Si异质结太阳电池J-V曲线的S-Shape现象被引量：5
- 2010年
- 通过异质结界面分析与AMPS模拟计算研究了a-Si:H/c-Si异质结太阳电池在低温工作、a-Si:H层低掺杂、高价带补偿以及高界面态时光态J-V曲线出现S-Shape现象的物理过程,总结了S-Shape现象的物理原因.分析结果表明,当空穴输运受到界面势垒的限制时,空穴在c-Si界面附近聚集,能带重新分配,c-Si耗尽区的电场减小,更多的电子从c-Si准中性区反转至c-Si界面及耗尽区与空穴复合,复合速率显著增大,光电流的损失显著增大,光态J-V曲线反映为S-Shape现象.
- 钟春良耿魁伟姚若河
- 关键词：异质结太阳电池
- 一种基于AT89C51单片机的空气净化器
- 一种基于AT89C51单片机的空气净化器，主要包括AT89C51单片机最小系统、空气质量传感器模块、模数转换模块、按键模块、电源模块、显示模块、工作状态指示模块、空气净化模块、报警模块；在按键模块上进行工作时间和档位设置...
- 潘长宁钟春良江友君戴圣伟肖刚毅叶孔左亚微浦冗
- 文献传递
- 退火工艺对基于InGaZnO薄膜晶体管性能的影响
- 2015年
- 铟嫁锌氧化物(IGZO)以其迁移率高、均匀性好、对可见光透明、制备温度低和成本低等优点被认为是金属氧化物薄膜晶体管(Thin-Film Transistor(TFT))理想的有源材料,采用磁控溅射法制备了基于Si O2绝缘层的IGZO-TFT器件。研究铟嫁锌氧化物有源层薄膜的前退火工艺(pre-annealing)和后退火工艺(post-annealing)对IGZO-TFT器件的电学性能的影响,其电学测试数据表明,相对于后退火工艺(post-annealing),前退火工艺处理的IGZO-TFT器件的展示了更高的场效应迁移率(3.5 cm2V-1s-1)和更好的开关比(107)。同时,十八烷基三氯硅烷(OTS)对改善Si O2绝缘层与铟嫁锌氧化物半导体有源层之间的界面接触效果显著。
- 聂国政黄笃之钟春良许英
- 关键词：金属氧化物薄膜晶体管退火表面修饰
