陈伟绩
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省教育厅高校重点实验室项目辽宁省高校创新团队支持计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- TMGa流量对玻璃衬底上低温沉积GaN的影响被引量：5
- 2010年
- 采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜。利用原位反射高能电子衍射、X射线衍射、室温透射光谱和原子力显微镜,研究了不同TMGa流量条件下沉积的GaN薄膜的结晶性、光学性质和表面形貌。结果表明,TMGa流量对GaN薄膜质量影响很大,TMGa流量约为1.4cm3/min(标准状态)条件下沉积的GaN薄膜结晶性较好,呈高度c-轴择优取向,420～1110nm波长光区内透过率超过90%,薄膜表面由大小均匀的亚微米量级表面岛按一致取向堆砌而成。
- 陈伟绩秦福文吴爱民刘胜芳杨智慧姜辛李帅董武军
- 关键词：GAN化学气相沉积玻璃衬底
- 玻璃衬底上GaN和InN制备的研究
- 氮化镓(GaN)和氮化铟(InN)都属于Ⅲ/Ⅴ族直接带隙半导体,室温下禁带宽度分别是3.39eV和0.7eV。InN、GaN以及AlN(氮化铝)的合金可以实现直接带隙宽度从红外到紫外区的连续可调。所以在蓝、绿、紫外发光二...
- 陈伟绩
- 关键词：玻璃衬底
- 文献传递
- ZnO∶Al衬底上低温生长GaN薄膜
- 2010年
- 利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO∶Al薄膜。采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO∶Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响。
- 杨智慧秦福文吴爱民宋世巍刘胜芳陈伟绩
- 关键词：GAN薄膜
- 衬底氮化时间对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响
- 2009年
- 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响。结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差。
- 陈伟绩秦福文吴爱民王文彦
- 关键词：GAN氮化ECR-PEMOCVD玻璃衬底
- 不同铟组分的InxGa1-xN(0.1刘兴隆秦福文陈伟绩张东周志峰于博支安博姜辛大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室
- 采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法在蓝宝石(0001)衬底上低温外延生长了不同铟组分的InxGa1-xN(0.1<x<0.56)薄膜。实验以三甲基镓(TMGa)、三甲基铟(T...
- 刘兴隆秦福文陈伟绩张东周志峰于博支安博姜辛
- 文献传递
