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溅射工艺参数对Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜沉积速率和介电性能的影响: 本文用射频磁控溅射方法制备了厚约700nm的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜,采用Al/BST/ITO结构研究了溅射功率、溅射气压、O2/(Ar+O2)比和基片温度对上述BST薄膜沉积速率和介电性能的影响,并根据这些结果...; 林明通肖田楼均辉陈晨曦陈国荣杨云霞; 关键词：射频磁控溅射沉积速率介电常数击穿场强品质因子

沉积温度和退火处理对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3介电性能的影响: 2006年; 采用射频磁控溅射法在ITO／Coming1737玻璃基片上制备了用于无机EL绝缘层厚约700hm的Ba0.5-Sr0．5TiO3介电薄膜，研究了沉积温度和退火处理对薄膜介电性能的影响。实验表明，随着沉积温度的升高，薄膜的介电常数、介电损耗、正反向漏电流密度增加，击穿场强下降。对于在500℃下沉积的薄膜在550～700℃、1．8×10^-2Pa氧气氛中进行30min退火处理，结果发现在550℃和600℃下热处理介电损耗有所改善，其它参数都劣化；在650℃-700℃下热处理介电常数显著增加，其它性能都变差。; 楼均辉林明通陈国荣杨云霞肖田陈晨曦; 关键词：介电性能沉积温度退火处理

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陈晨曦