韩东麟
- 作品数：12 被引量：22H指数：3
- 供职机构：清华大学机械工程学院机械工程系更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程理学一般工业技术更多>>
- 硒蒸气硒化法制备铜铟镓硒吸收层的工艺及性能研究
- 韩东麟
- 关键词：太阳能电池CIGS薄膜磁控溅射
- 氮气流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响被引量：1
- 2008年
- 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。以N2为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了N2流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,在不同的N2流量下制备的CIGS薄膜,均具有单一的黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。当Ar流量为0.40m3/h时,薄膜表面结构致密,晶粒大小均匀,并且Cu、In、Ga原子含量,处于制备弱p型CIGS薄膜的理想范围。
- 韩东麟张弓庄大明沙晟春元金石
- 关键词：太阳能电池CIGS磁控溅射
- 铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法
- 本发明涉及铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层的制备方法，是在钠钙玻璃Mo衬底上，先用真空磁控溅射法制备CuInGa的金属预制层，再在热处理真空室中进行预蒸发后硒化或硫化处理。本发明的特点是真空磁控溅射法采用的靶材为CuI...
- 张弓庄大明丁晓峰韩东麟查杉
- 文献传递
- 双层预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响被引量：1
- 2008年
- 采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上依次沉积了Mo、CuIn、CuGa薄膜,制备了CuInGa(CIG)双层预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了CuGa层制备过程中工作气压的改变,对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,改变溅射制备CuGa层的工作气压,所获得的CIG双层预制膜均由Cu11In9、CuIn和CuGa组成。在溅射制备CuGa层的工作气压为1.0 Pa的条件下所获得的CIG双层预制膜经过硒化后,获得的CIGS薄膜致密。采用不同结构的双层预制膜,在不同的硒化时间下制备的CIGS薄膜,均具有黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。
- 韩东麟张弓庄大明元金石李春雷
- 关键词：太阳能电池磁控溅射
- 硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子(Ⅱ) 预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响
- 2009年
- 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了多层和双层CuInGa(CIG)预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,CIG多层预制膜由Cu_(11)In_9、CuIn和In相组成,CIG双层预制膜由Cu_(11)In_9、CuIn、In和CuGa相组成。通过硒化CIG双层和多层预制膜,所获得的CIGS薄膜均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。当硒化时间为17min时,通过硒化CIG双层预制膜所获得的CIGS薄膜出现了上层致密,下层疏松的结构,延长硒化时间为25min,CIGS薄膜变得致密。
- 韩东麟张弓庄大明元金石李春雷
- 关键词：太阳电池CIGS磁控溅射
- 硒化温度对CuInSe2薄膜性能的影响
- 本文采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In薄膜,并采用固态源硒化方法制备CIS薄膜,考察了硒化温度对CuInSe(简称CIS)薄膜性能的影响。采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织...
- 丁晓峰韩东麟张弓庄大明
- 文献传递
- 载气对CIGS薄膜结构和表面形貌的影响被引量：9
- 2008年
- 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。分别以N2和Ar为载气,采用硒蒸汽硒化法制备了Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)吸收层薄膜,考察了N2和Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,采用Ar和N2为载气时,在各个流量下所制备的CIGS薄膜均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。采用Ar为载气时,当Ar流量为0.10 m3/h时,所获得的CIGS薄膜的孔隙最少,随着Ar流量的增大,薄膜孔隙增多,变得疏松。采用N2为载气时,当N2流量为0.10 m3/h、0.20 m3/h、0.30 m3/h时,所获得的CIGS薄膜孔隙较多,当N2增大到0.40 m3/h时,薄膜变得致密,所获得的CIGS的CuI、n、Ga原子含量,处于制备弱p型CIGS薄膜的理想范围。
- 韩东麟张弓庄大明元金石李春雷
- 关键词：太阳能电池CIGS磁控溅射
- 硒蒸气硒化法制备CIGS薄膜的影响因子(Ⅰ) 氩气流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响被引量：6
- 2009年
- 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜。以Ar为载气,采用固态硒化法制备获得了Cu_(In_(1-x)Ga_x)Se_2(CIGS)吸收层薄膜,考察了Ar流量对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成份,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,在不同Ar流量下制备的CIGS薄膜均具有单一的黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。随着Ar流量的增大,CIGS薄膜晶粒直径增大。当Ar流量为0.20 m^3/h时,薄膜的孔隙最少。当Ar流量达到0.40 m^3/h时,薄膜晶粒出现明显的柱状生长。当Ar流量为0.10、0.20和0.30 m^3/h时,所制得的CIGS薄膜的Cu、In、Ga原子含量比,处于弱p型的理想范围。
- 韩东麟张弓庄大明元金石宋军
- 关键词：太阳电池CIGS磁控溅射
- 硒化温度对CuInSe2薄膜性能的影响
- 采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In薄膜,并采用固态源硒化方法制备CuInSe2(CIS)薄膜,考察了硒化温度对 CIS薄膜性能的影响。采用SEM和EDS观察和分析了它们的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构...
- 丁晓峰韩东麟张弓庄大明
- 关键词：太阳能电池磁控溅射
- 文献传递
- 硒源温度对CIGS薄膜结构和形貌的影响被引量：5
- 2007年
- 采用中频交流磁控溅射方法,在Mo层上沉积了CuInGa(CIG)预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu(In1-xGax)Se(2 CIGS)吸收层薄膜,考察了硒源温度对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,在不同的硒源温度下制备的CIGS薄膜,均为黄铜矿相结构,薄膜具有(112)面的择优取向。当硒源温度为575℃、580℃和585℃时,CIGS薄膜表面结构疏松,多孔隙;当硒源温度为590℃、595℃和600℃时,CIGS薄膜结构致密,表面平整。当硒源温度为600℃时,Cu、In和Ga原子含量处于制备弱p型CIGS吸收层薄膜的理想范围。
- 韩东麟张弓庄大明元金石宋军
- 关键词：太阳能电池CIGS磁控溅射硒源
