马勤礼
- 作品数：8 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法
- 本发明提供一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法，该多层膜由下至上依次包括：基片、底层、参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，其中所述参考磁性层具有钉扎结构，用于将探测磁性层磁矩转动的信息转化成电信号，所述探测...
- 马勤礼刘厚方韩秀峰
- 文献传递
- 单晶Fe/MgZnO/Fe磁性隧道结中势垒带宽的调控
- MgO基磁性隧道结因具有超大的磁电阻(TMR)比值而被认为是磁信息存储的核心材料之一,但MgO势垒层的带隙宽度为7.8eV,从而导致结电阻与结面积的乘积(RA)较大,成为限制其广泛应用的瓶颈之一.铅锌矿结构的ZnO薄膜的...
- 李大来马勤礼王守国杨光刘家龙姜俊魏红祥韩秀峰
- 一种垂直磁各向异性的多层膜
- 本发明涉及垂直磁各向异性的多层膜，包括：基片、底层、下磁性层、中间层、上磁性层和覆盖层；下磁性层和上磁性层中至少一个是复合磁性层，复合磁性层包括主体层和过渡层，主体层采用垂直磁各向异性材料制作，过渡层采用自旋极化率高于所...
- 马勤礼魏红祥王守国韩秀峰
- 一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法
- 本发明提供一种用于磁敏传感器的磁性纳米多层膜及其制造方法，该多层膜由下至上依次包括：基片、底层、参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层，其中所述参考磁性层具有钉扎结构，用于将探测磁性层磁矩转动的信息转化成电信号，所述探测...
- 马勤礼刘厚方韩秀峰
- 一种垂直磁各向异性的多层膜
- 本发明涉及垂直磁各向异性的多层膜，包括：基片、底层、下磁性层、中间层、上磁性层和覆盖层；下磁性层和上磁性层中至少一个是复合磁性层，复合磁性层包括主体层和过渡层，主体层采用垂直磁各向异性材料制作，过渡层采用自旋极化率高于所...
- 马勤礼魏红祥王守国韩秀峰
- 文献传递
- 高性能隧穿磁电阻磁敏传感器的材料、物理与芯片应用研究
- 2018年
- 1 研究背景1924年,自旋电子学的发展始于1988年磁性纳米多层膜中巨磁电阻(GMR)效应的发现,GMR磁读头的出现使存储密度从AMR读头时期的~100 Mb/in2提高至~100 Gb/in2的量级;随后1995年日本及美国科学家利用AlOx势垒磁性隧道结将室温隧穿磁电阻(TMR)效应提高至~20%,达到了可实用化程度,并在2004年进一步将MgO势垒磁性隧道结的室温TMR比值提高至TMR^200%左右,大大促进了TMR器件的广泛开发和应用.迄今为止,计算机TMR磁读头使得磁硬盘(HDD)磁记录密度达到了~1000 Gb/in2的量级;每年产值300~400亿美元的磁硬盘(HDD)市场已持续发展了20年.GMR和TMR磁读头本身就是两种有相对高灵敏度和低噪声磁敏传感器,并且已经在计算机和各种磁传感工业、民用、航空航天等领域大规模成功应用了20年.
- 韩秀峰刘厚方魏红祥万蔡华马勤礼于国强丰家峰余天王文秀王琰
- 关键词：隧穿磁电阻磁敏传感器磁性隧道结芯片
- 单晶外延磁性隧道结的界面表征
- 采用X摄像光电子能谱技术、高分辨透射电镜技术、低温隧道谱测量等手段并结合第一性原理计算，详细研究了单晶外延Fe/MgO/Fe 磁性隧道结中Fe/MgO下界面和MgO/Fe上界面的结构.研究发现：Fe/MgO下界面主要是完...
- 王守国李大来马勤礼杜关祥韩秀峰
- 关键词：磁性隧道结磁性多层膜
- 高性能隧穿磁电阻磁敏传感器的材料、物理与芯片应用基础研究
- 韩秀峰刘厚方魏红祥万蔡华马勤礼于国强丰家峰余天王文秀王琰
- 近年来，随着物联网、智能电网和人工智能的快速发展，国内传感器产业将迎来一个黄金时期。基于隧穿磁电阻(TMR)效应的新型磁敏传感器，由于其高性能、高可靠、低功耗和微型化等优点，在高端应用领域正逐步取代传统的低灵敏度磁性传感...
- 关键词：
- 关键词：磁敏传感器磁性纳米线芯片设计
