魏朝刚
- 作品数：11 被引量：12H指数：2
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室开放课题基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种抑制小信号干扰的铁电存储器存储阵列结构
- 本发明提供了一种提高可靠性的抑制小信号干扰的铁电存储器存储阵列结构。技术方案是：该存储阵列结构以2T/1C结构的铁电存储单元为基本组成部分，每个铁电存储单元在横方向上分别与同行的存储单元公用数据信号线BL和极板信号线PL...
- 任天令吴昊魏朝刚贾泽
- 文献传递
- 一种4 kb铁电存储器的设计被引量：2
- 2005年
- 以清华大学微电子所的铁电存储器工艺为基础,设计了一个规模为4kb(512×8位)的铁电存储器,包括存储阵列、灵敏放大器、字线位线译码、驱动脉冲产生等模块。设计中,采用新开发的铁电电容模型,文中重点介绍了与传统DRAM、SRAM等存储单元完全不同的铁电存储单元的设计方法。仿真结果表明,铁电存储器在5V工作电压下工作周期为120ns。
- 安黎魏朝刚任天令
- 关键词：铁电存储器灵敏放大器
- 磁电子学研究概述被引量：7
- 2003年
- 简要介绍了磁电子学的基本概念、研究对象和几种重要效应 ,以及基于这些效应的几种新型器件的工作原理 ,提出了磁电子学研究中的几个前瞻性课题 。
- 魏朝刚任天令朱钧韦丹
- 关键词：磁电子学自旋极化巨磁电阻自旋阀隧道效应
- 硅基PZT薄膜的制备与工艺损伤被引量：3
- 2003年
- 以 Pb Ti O3(PT)作为种子层 ,在 Si衬底上用改进的溶胶凝胶法制备了 PZT薄膜 ,并用 RIE法刻蚀形成 MFM(金属铁电层金属 )结构的电容 ,以用于铁电随机存取存储器 (Fe RAM)中。测得 PZT薄膜相对介电常数、矫顽场和剩余极化强度分别为 10 0 0 ,30 k V/ cm和 16 μC/ cm2 ,漏电流在 0 .1n A / cm2 量级 ,达到 Fe RAM的应用要求。铁电膜与CMOS电路集成时对铁电膜的铁电性可能造成的工艺损伤(如刻蚀损伤、氢损伤和应力损伤等 )的物理机制进行了初步研究和讨论 。
- 魏朝刚任天令邵天奇王小宁李春晓刘理天朱钧
- 关键词：铁电薄膜溶胶-凝胶法介电常数矫顽场
- 应用于SPICE电路仿真程序中的铁电电容行为模型
- 本发明属于集成电路设计技术领域，涉及应用铁电电容的集成电路设计，尤其涉及一种应用于SPICE电路仿真程序中的铁电电容行为模型。该模型利用SPICE程序中的表达式功能建立非线性电容原件，配合微分电路作为控制电路，模拟铁电电...
- 任天令魏朝刚章英杰贾泽
- 文献传递
- 集成铁电学(Integrated Ferroetectrics)概述
- 2003年
- 铁电薄膜是一种重要的功能薄膜,近年来在电子器件方面的应用取得了重要进展。随着铁电薄膜制备技术的进步,将铁电材料与工艺和传统的半导体材料和工艺相结合以实现新型微电子器件、电路和系统已经成为可能,从而导致了一门新型交叉学科—集成铁电学的诞生。
- 任天令魏朝刚朱钧刘理天李志坚
- 关键词：铁电薄膜
- 铁电存储器器件模型与集成工艺研究
- 魏朝刚
- 关键词：铁电材料存储器芯片集成电路
- 基于电压延迟行为的铁电电容行为仿真用等效电路
- 本发明涉及一种基于电压延迟行为的铁电电容行为模型，属于集成电路设计技术领域。所述模型具有两个端口节点，正节点和负节点；在正负节点间并联连接一个线性电容，一个非线性电容和一个压控电压源；压控电压源的正输出端连接一个电压变化...
- 任天令魏朝刚章英杰贾泽
- 文献传递
- 应用于SPICE电路仿真程序中的铁电电容行为模型
- 本发明属于集成电路设计技术领域，涉及应用铁电电容的集成电路设计，尤其涉及一种应用于SPICE电路仿真程序中的铁电电容行为模型。该模型利用SPICE程序中的表达式功能建立非线性电容原件，配合微分电路作为控制电路，模拟铁电电...
- 任天令魏朝刚章英杰贾泽
- 文献传递
- 一种抑制小信号干扰的铁电存储器存储阵列结构
- 本发明提供了一种提高可靠性的抑制小信号干扰的铁电存储器存储阵列结构。技术方案是：该存储阵列结构以2T/1C结构的铁电存储单元为基本组成部分，每个铁电存储单元在横方向上分别与同行的存储单元公用数据信号线BL和极板信号线PL...
- 任天令吴昊魏朝刚贾泽
- 文献传递
