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黄稳

作品数:5 被引量:31H指数:3
供职机构:西南交通大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金International Foundation for Science国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇溅射
  • 3篇AZO
  • 3篇AZO薄膜
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇电性能
  • 2篇电性能研究
  • 2篇电学性能
  • 2篇数对
  • 2篇溅射法
  • 2篇溅射法制备
  • 2篇磁控溅射法
  • 1篇电特性
  • 1篇电阻率
  • 1篇性能研究
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇铝掺杂
  • 1篇结构特性
  • 1篇晶体

机构

  • 5篇西南交通大学
  • 3篇新南威尔士大...

作者

  • 5篇黄稳
  • 3篇刘连
  • 3篇赵勇
  • 3篇黄涛
  • 3篇闫勇
  • 3篇余洲
  • 2篇张勇
  • 1篇晏传鹏
  • 1篇张艳霞

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇材料导报

年份

  • 5篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
磁控溅射法制备Al掺杂ZnO(AZ0)薄膜工艺及其电性能研究
透明导电氧化物薄膜因其较低的电阻率和高的可见光透射率而广泛应用于太阳能电池,平面显示器等领域。透明导电氧化物主要包括In2O3、SnO2、ZnO及其掺杂系列SnO2:F(FTO)、In2O3:Sn(ITO)、ZnO:Al...
黄稳
关键词:磁控溅射法铝掺杂电学性能
文献传递
磁控溅射法制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜工艺及其电性能研究
透明导电氧化物薄膜因其较低的电阻率和高的可见光透射率而广泛应用于太阳能电池,平面显示器等领域。透明导电氧化物主要包括In203、Sn02、ZnO及其掺杂系列SnO2:F(FTO)、 In2O3:Sn(ITO)、ZnO:A...
黄稳
关键词:磁控溅射法AZO薄膜
文献传递
AZO薄膜制备工艺及其性能研究被引量:21
2012年
综述了掺铝氧化锌(AZO)薄膜制备方法与光电特性,重点阐述了磁控溅射法制备工艺参数如衬底温度、溅射功率、气体压强、溅射时间、衬底和靶间距、负偏压等对AZO薄膜结构、光电性能的影响,并指出目前AZO薄膜的研究关键以及所面临的挑战,展望了未来的研究方向。
黄稳余洲张勇刘连黄涛闫勇赵勇
关键词:AZO结构特性光电特性
射频溅射工艺参数对AZO薄膜结构和性能的影响被引量:5
2012年
采用射频磁控溅射法制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜,研究了衬底温度及溅射工作压强对沉积薄膜的晶体结构、表面形貌及电学性能的影响。结果显示,随衬底温度增加,薄膜的结晶结构发生显著变化,而溅射工作气压增加主要影响沉积薄膜(103)面与(002)面的相对强度。薄膜的表面形貌受温度影响严重,而气压对形貌的影响相对较小。衬底温度增加,薄膜的电阻率急剧降低,迁移率和载流子浓度都显著增加,而工作气压增加则导致电阻率先减小后增大。
黄稳余洲刘连张勇黄涛闫勇赵勇
关键词:AZO薄膜晶体结构电学性能
直流溅射工艺参数对Mo薄膜结构及电性能的影响被引量:5
2012年
采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,对不同溅射功率和溅射工作气压下沉积的薄膜进行X射线衍射、SEM(扫描电子显微镜)、电阻率测试,讨论了工艺参数对沉积Mo薄膜相结构、表面微观形貌、薄膜沉积速率和电学性能的影响。结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的结晶性能变好,沉积速率提高,在沉积功率范围内薄膜均匀致密,表面无空隙,电阻率较低;随着溅射工作气压增加,薄膜结晶性能变差,沉积速率先增加后降低,在沉积工作气压范围内,薄膜致密;随气压降低,电阻率急剧减小。因此,较高的溅射功率和较低的工作气压沉积的Mo薄膜更适合作CIGS薄膜太阳电池的BC层(背接触层)。
黄涛闫勇黄稳张艳霞晏传鹏刘连张勇赵勇余洲
关键词:MO薄膜直流磁控溅射电阻率
共1页<1>
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