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何晓光

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信环境科学与工程理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 4篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电池
  • 3篇载流子
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇成核
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电流扩展
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇电阻率
  • 2篇多量子阱
  • 2篇受主
  • 2篇阻挡层
  • 2篇量子阱结构
  • 2篇发射激光器
  • 2篇非掺杂
  • 2篇GAN
  • 2篇INGAN/...
  • 2篇MOCVD生...

机构

  • 13篇中国科学院

作者

  • 13篇何晓光
  • 13篇杨静
  • 13篇乐伶聪
  • 13篇赵德刚
  • 13篇李晓静
  • 4篇陈平
  • 4篇江德生
  • 4篇刘宗顺
  • 4篇杨辉
  • 2篇吴亮亮
  • 2篇刘炜
  • 2篇李翔
  • 2篇赵丹梅
  • 2篇李亮

传媒

  • 3篇第十四届全国...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 7篇2014
  • 1篇2013
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层...
乐伶聪赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静何晓光李晓静杨辉
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利用MOCVD生长参数控制GaN的C含量和电阻率
本文研究了MOCVD生长过程中的各种参数对GaN材料中的C杂质含量的影响.共生长了五个GaN样品,每个样品包括5-6个子层,每个样品样品中从最底层到最顶层阶梯改变一个生长参数,通过二次离子质谱(SIMS)测量C杂质浓度....
何晓光赵德刚乐伶聪李晓静杨静
减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法
一种减小GaN基蓝紫光端发射激光器中电子泄漏的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上依序制作低温成核层、n型接触和电流扩展层、n型AlGaN限制层、n型GaN波导层、InGaN/GaN量子阱有源区、InGaN插入层...
乐伶聪赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静何晓光李晓静杨辉
一种高阻GaN薄膜的制备方法
本发明公开了一种高阻GaN薄膜及其制作方法。该高阻GaN薄膜包括：衬底；GaN低温成核层，其制作在衬底上；GaN高阻层，其制作在GaN低温成核层上。该高阻GaN薄膜利用MOCVD设备，并用三甲基镓和氨气作为镓源和氮源，以...
何晓光赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静乐伶聪李晓静杨辉
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InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构
一种InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温成核层、非故意掺杂缓冲层、n型掺杂GaN层、非掺杂InGaN/AlInGaN多量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的...
杨静赵德刚乐伶聪李晓静何晓光
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高电阻低位错GaN薄膜及制备方法
一种高阻低位错GaN薄膜，包括：一衬底；一GaN低温成核层，其制作在衬底上；一GaN合并层，其制作在GaN低温成核层上；一GaN高阻层，其制作在GaN合并层上。本发明是通过控制反应室压强，实现非故意可控碳掺杂，从而达到既...
何晓光赵德刚江德生刘宗顺陈平杨静乐伶聪李晓静杨辉
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InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构
一种InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温成核层、非故意掺杂缓冲层、n型掺杂GaN层、非掺杂InGaN/AlInGaN多量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的...
杨静赵德刚乐伶聪李晓静何晓光
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含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的背入射太阳能电池
一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的背入射太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层...
杨静赵德刚李亮吴亮亮乐伶聪李晓静何晓光
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InGaN/GaN量子阱厚度对局域态效应的影响机制
本文主要研究了高In组分InGaN/GaN多量子阱(MQWs)中阱层厚度的变化对阱内局域态的影响机理。采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术分别制备了不同阱厚的MQWs样品,并利用变温光致发光(PL)测试手段对不同...
刘炜赵德刚乐伶聪杨静何晓光李晓静李翔侍铭赵丹梅
低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法
本发明公开了一种低电阻率P型铝镓氮材料及其制备方法，该制备方法包括：对衬底升温，在氢气环境下热处理，去除衬底表面的杂质；在衬底上生长低温成核层，为后续生长材料提供成核中心；在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层；在非故意...
杨静赵德刚乐伶聪李晓静何晓光
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