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1Gb/s CMOS调节型共源共栅光接收机被引量：6: 2010年; 基于特许0.35μm EEPROM CMOS标准工艺设计了一种单片集成光接收机芯片,集成了双光电探测器(DPD)、调节型共源共栅(RGC)跨阻前置放大器(TIA)、三级限幅放大器(LA,limiting amplifier)和输出电路,其中RGCTIA能够隔离光电二极管的电容影响,并可以有效地扩展光接收机的带宽。测试结果表明,光接收机的3dB带宽为821MHz,在误码率为10-9、灵敏度为-11dBm的条件下,光接收机的数据传输速率达到了1Gb/s;在3.3V电压下工作,芯片的功耗为54mW。; 肖新东毛陆虹余长亮张世林谢生; 关键词：光接收机 CMOS

一种标准CMOS全差分光检测器及其制作方法: 本发明属于光通信系统及光互连领域，涉及一种标准CMOS全差分光检测器，其作用是将由同一根光纤输入的光信号转换成一对全差分电流信号，并为后续的差分接收电路提供一对对称且一致的输入负载，包括：一个插指状P+/深N阱/高压P阱...; 毛陆虹余长亮; 文献传递

高速12路并行CMOS单片光电集成接收机设计与实现(英文): 2007年; 设计并实现了一个高速12路并行CMOS单片光电集成接收机.其每一路都包括一个光探测器、一个跨阻放大器以及后续放大电路.双光电二极管(DPD)结构可以提高接收机速度,但同时降低了响应度.在跨阻放大器电路中采用有源电感来展宽-3dB带宽.通过无锡上华(CSMC)0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.测试结果显示该接收机单路传输比特率可达0.8 ～1.4Gb/s ,总的12路可传输15Gb/s数据.; 朱浩波毛陆虹余长亮陈弘达唐君; 关键词：CMOS 光电集成

一种差分光接收机及灵敏度和带宽同时倍增的方法: 本发明涉及一种差分光接收机，该种光接收机采用如下结构的四端口光检测器：包括第一和第二光电探测器，两个光电探测器的结构、尺寸和面积均相同，两者位置相邻且对称；第一光电探测器的阳极和阴极分别与全差分跨阻前置放大器的一个输入端...; 毛陆虹余长亮肖新东; 文献传递

用于光通信与互连、集成差分光电探测器的标准CMOS全差分跨阻放大器被引量：1: 2010年; 基于标准CMOS技术,提出和研究了一种用于光通信与光互连、集成差分光电探测器的全差分跨阻放大器(TIA).为实现全差分特性,提出了一种新型全差分光电探测器,其作用是将入射光信号转换成一对全差分光生电流信号,并保证电路结构和模型的全差分对称性.理论分析和仿真结果均表明:与常规的、集成光电探测器的差分跨阻放大器相比,该全差分跨阻放大器的带宽更高,灵敏度也同时被提高一倍.基于该集成差分光电探测器的全差分跨阻放大器,采用特许3.3V,0.35μm标准CMOS工艺设计和制造了一种单片全差分光电集成接收机.其跨阻增益为98.75dBΩ,从1Hz至-3dB频率点间的等效输入积分噪声电流为0.334μA.该光接收机采用了单一的3.3V电源;跨阻放大器与限幅放大器的总功耗为100mW;50Ω输出缓冲器的功耗为138mW.对于850nm的入射光、-12.2dBm的峰峰光功率和231–1位伪随机二进制序列输入信号,该光接收机达到了1.1GHz的3dB带宽和1.6Gbit/s的数据率.; 余长亮毛陆虹肖新东张世林; 关键词：跨阻放大器光电探测器光接收机单片集成电路

一种差分光接收机及灵敏度和带宽同时倍增的方法: 本发明涉及一种差分光接收机，该种光接收机采用如下结构的四端口光检测器：包括第一和第二光电探测器，两个光电探测器的结构、尺寸和面积均相同，两者位置相邻且对称；第一光电探测器的阳极和阴极分别与全差分跨阻前置放大器的一个输入端...; 毛陆虹余长亮肖新东; 文献传递

一种与标准CMOS工艺兼容的光电集成接收机设计与实现(英文)被引量：1: 2007年; 设计了一种与标准CMOS工艺完全兼容的高速光电探测器和宽带光电集成接收机,并采用0.6μm标准CMOS工艺流片.测试结果表明,该光电集成接收机的性能已接近实用要求.探测器的频率响应带宽为1.11GHz ,光电集成接收机的3dB带宽为733MHz ;在误码率为10-12条件下,对波长为850nm的输入光信号,灵敏度达到-9dBm.; 余长亮毛陆虹宋瑞良朱浩波王蕊王倩; 关键词：光电探测器光电集成接收机 CMOS 有源电感

一种肖特基型标准CMOS全差分光电集成接收机: 本发明属于光通信系统及光互连领域，涉及一种肖特基型标准CMOS全差分光电集成接收机，肖特基型全差分光检测器、全差分跨阻前置放大器、全差分限幅放大器、差分转单端的输出缓冲级，其中的肖特基型全差分光检测器中的两个肖特基型光电...; 毛陆虹余长亮肖新东; 文献传递

一种基于标准CMOS工艺的单片光互连被引量：3: 2010年; 探索了采用标准CMOS工艺实现单片光互连的可行性。采用特许(Chartered)半导体公司3.3V、0.35μm标准模拟CMOS工艺设计并制造了一种单片光互连系统,并用两种结构研究了衬底噪声耦合对互连性能的影响。测试结果表明:该光互连系统可工作于几×103Hz,验证了基于标准CMOS工艺的单片光互连系统是可行的。; 肖新东毛陆虹余长亮谢生张世林; 关键词：光互连

带宽与灵敏度均倍增的标准CMOS差分光电集成接收机: 本发明涉及一种带宽与灵敏度均倍增的标准CMOS差分光电集成接收机，包括：与标准CMOS工艺完全兼容的四端口光检测器、全差分跨阻前置放大器、全差分限幅放大器、输出缓冲级、偏置级，其中的四端口光探测器，包括第一和第二与标准C...; 毛陆虹余长亮; 文献传递

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