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俞剑

作品数：4 被引量：13H指数：2
供职机构：上海交通大学材料科学与工程学院复合材料研究所更多>>
相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 3篇碳化硅
  • 3篇复合材料
  • 3篇SICP/A...
  • 3篇铝
  • 3篇复合材
  • 2篇气孔率
  • 1篇电子封装材料
  • 1篇压力浸渗
  • 1篇真空压力
  • 1篇真空压力浸渗
  • 1篇真空压力浸渗...
  • 1篇制备SIC
  • 1篇浸渗
  • 1篇浸渗法
  • 1篇SICP/A...
  • 1篇P

机构

  • 4篇上海交通大学

作者

  • 4篇俞剑
  • 3篇张国定
  • 1篇喻学斌
  • 1篇王文龙

传媒

  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇材料工程
  • 1篇复合材料学报

年份

  • 1篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
降低SiCp／Al气孔率的研究被引量：2
1995年
分析了ＳｉＣｐ／Ａｌ复合材料中气体的来源。通过理论模型和实验分析，发现颗粒带入熔体中的气体是复合铸造法制备的ＳｉＣｐ／Ａｌ复合材料中气孔的主要来源。颗粒带入的气体可分为ＧⅠ和ＧⅡ两种类型。降低ＳｉＣｐ／Ａｌ的气孔率应从根本上杜绝气体的来源着手，特别应对颗粒带入的气体引起重视。稀释中间复合材料法正是根据这一思路设计的制备ＳｉＣｐ／Ａｌ的新的工艺方法。实验结果表明，利用该工艺制备的ＳｉＣｐ／Ａｌ复合材料的气孔率明显降低。
俞剑张国定
关键词：碳化硅铝复合材料气孔率
稀释中间复合材料法制备SiC_P／356Al的研究被引量：3
1996年
本文探索了一种制备ＳｉＣ_ｐ／Ａｌ的新工艺方法，即稀释中间复合材料法，以避免通常用来制备ＳｉＣ_ｐ／Ａｌ的复合铸造法中存在的浸润性差、气孔率高、存在氧化夹杂及颗粒偏聚等问题。结果表明，用该法能成功地制备１０ｖｏｌ％和１５ｖｏｌ％ＳｉＣ_ｐ／Ａｌ复合材料，其拉伸性能比用复合铸造法制备的同样材料高１０％，且气孔率显著降低，Ｘ－ｒａｙｓ衍射和ＴＥＭ分析结果表明，该工艺过程中没有发生明显的界面反应，工艺参数的选择是合理的。
俞剑王文龙张国定
关键词：碳化硅铝气孔率
SiCp/Al复合材料制备新工艺的探索
俞剑
真空压力浸渗法制备SiCp／Al的研究被引量：9
1995年
用真空压力浸渗法制备了ＳｉＣｐ／Ａｌ复合材料。研究表明，这种工艺的优点是制备的Ｓｉｐ／Ａｌ复合材料颗粒含量高，热膨胀系数低且可调整。如能提供精密模具，该工艺对于开发ＳｉＣｐ／Ａｌ复合材料作为一种新兴电子封装材料是极具竞争力的。研究还发现，将真空压力浸渗法制备的颗粒含量高的复合材料通过重熔稀释可制成颗粒含量适中、气孔率低、无氧化夹杂和界面反应的最终复合材料。与复合铸造法制备的同样材料相比，这种材料具有低的气孔率和较高的拉伸强度。
俞剑喻学斌张国定
关键词：碳化硅铝电子封装材料复合材料
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