刘倩
- 作品数：5 被引量：33H指数：3
- 供职机构：南昌大学机电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学电子电信更多>>
- 氩气与氮气流量比对磁控溅射法制备TiN薄膜的影响被引量：12
- 2009年
- 用直流反应磁控溅射法在Si(100)基底上制备了TiN薄膜,采用X射线衍射仪和原子力显微镜对其结构和形貌进行了表征,利用四探针测试仪测量了TiN薄膜的方块电阻,使用紫外可见分光光度计测定了薄膜反射率;研究了溅射沉积过程中氩气与氮气流量比对TiN薄膜结构及性能的影响。结果表明:在不同氩气与氮气流量比下,所制备薄膜的主要组成相是(200)择优取向的立方相TiN;随着氩气与氮气流量比的增加,薄膜厚度逐渐增大,而表面粗糙度与电阻率先减小后增大;当氩气与氮气流量比为15:1时,薄膜表面粗糙度和电阻率均达到最小值;TiN薄膜的反射率与氩气与氮气流量比的关系不大。
- 刘倩刘莹朱秀榕胡敏
- 关键词：TIN薄膜磁控溅射氩气氮气
- 直流反应磁控溅射氮化钛薄膜及其性能的研究
- 采用直流反应磁控溅射法,在Si(111)基底上制备氮化钛(TiNx)薄膜。研究了溅射沉积过程中基底温度对TiNx薄膜结构及性能的影响。研究发现:在其它工艺参数不变的情况下,改变基底温度,薄膜的主要成分是立方相TiN,24...
- 朱秀榕赖珍荃刘倩范定寰李海翼
- 关键词：氮化钛薄膜磁控溅射基底温度反射率
- 文献传递
- 磁控溅射TiN薄膜的工艺及电学性能研究被引量：18
- 2009年
- 采用反应直流磁控溅射法，在Si基底上制备TiN薄膜。研究了溅射沉积过程申溅射气压和Ar／N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响，并对试验结果进行了分析。研究发现，在Ar／N2气体流量比为15：1时，TiN薄膜的表面均方根粗糙度和电阻率都为最小。当溅射气压增大时，薄膜厚度减小。当溅射气压为0．3～0．5Pa时，薄膜表面较光滑，电阻率较小。
- 胡敏刘莹赖珍荃刘倩朱秀榕
- 关键词：TIN薄膜磁控溅射溅射气压电学性能
- 直流反应磁控溅射氮化钛薄膜及其性能的研究
- 采用直流反应磁控溅射法,在Si(111)基底上制备氮化钛(TiNx)薄膜.研究了溅射沉积过程中基底温度对TiNx 薄膜结构及性能的影响.研究发现:在其它工艺参数不变的情况下,改变基底温度,薄膜的主要成分是立方相TiN,2...
- 朱秀榕赖珍荃刘倩范定寰李海翼
- 关键词：氮化钛薄膜磁控溅射法溅射沉积基底温度
- 文献传递
- 磁控溅射制备TiN薄膜影响因素的研究被引量：9
- 2009年
- 采用磁控溅射法在硅基片表面沉积TiN薄膜,研究了溅射气压、氮气流量、氩气流量、溅射电流等溅射参数对TiN薄膜导电性能的影响。实验参数采用正交设计法选取,经模糊分析得出,所考察的因素对薄膜光催化性能的影响次序由大到小依次为溅射电流、气体流量、溅射气压。进一步研究影响最大的溅射电流对薄膜结构与电学性能的影响,结果发现:溅射电流的增大使溅射粒子的动能随之增大,薄膜生长加快;薄膜的电阻率存在最小值。
- 胡敏刘莹赖珍荃刘倩
- 关键词：磁控溅射TIN薄膜正交试验
