刘玉会
- 作品数：24 被引量：8H指数：2
- 供职机构：福州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- SiO_2/聚酰亚胺(PI)/SiO_2/PI/SiO_2复合绝缘薄膜性能研究
- 采用射频磁控溅射和旋涂法制备SiO2/聚酰亚胺(PI)/SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对PI薄膜结构和薄膜表面形貌进行表征;利用超高阻微电流测试仪...
- 蔡寿金颜敏陈填源刘玉会张永爱胡利勤郭太良
- 关键词：绝缘性能
- 文献传递
- 一种基于3D打印的偏光片制备方法
- 本发明的目的在于提供一种基于3D打印的偏光片制备方法，具体步骤是依次打印各层膜结构，可以打印一层膜结束后再打印下一层膜，也可以是控制打印各层膜结构的打印头一前一后依次打印各层膜。打印各层膜的打印头可以是单个打印头、线状打...
- 郭太良叶芸陈恩果黄炳乐刘玉会
- 文献传递
- 退火温度对AZO薄膜场发射性能的影响被引量：3
- 2014年
- 以纯度为99.95%、Al2O3为2wt.%的ZnO-Al2O3金属氧化物为溅射靶材,采用射频(RF)磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究其场发射特性和导电性能,并分析了不同的退火温度对AZO薄膜的形貌、导电及场发射性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)对AZO薄膜表面形貌与结晶特性进行测试的结果表明,随着退火温度的升高,AZO薄膜的表面粗糙度随之增大,AZO薄膜的结晶度变好;场发射性能研究的结果表明,AZO薄膜的开启电场随着退火温度增加呈先减小后增大的趋势,当退火温度为300℃时,AZO薄膜样品粗糙度最大,场发射性能最好,开启场强为2.8V/μm,发光均匀性较好,亮度达到650cd/m2,导电性能最好,电阻率为5.42×10-4Ω·cm。
- 叶芸蔡寿金颜敏陈填源刘玉会郭太良林志贤
- 关键词：退火温度磁控溅射场发射
- ZnO复合纳米结构的制备及其场发射性能研究
- ZnO是一种宽带隙半导体材料,激子束缚能大,电子亲和势低、热导率和载流子迁移率高且物理和化学性能稳定,因此是优异的场发射阴极材料之一。ZnO具有极其丰富的形貌,将不同形貌的ZnO进行复合,可以改善单一结构ZnO在场发射显...
- 刘玉会
- 关键词：ZNO复合纳米结构场发射
- 文献传递
- 磁场辅助热处理对碳纳米管场发射性能的研究
- 采用丝网印刷法制备碳纳米管场发射阴极并进行磁场辅助热处理,研究磁场辅助处理碳纳米管阴极的场发射性能。未进行磁场处理的场发射阴极的开启场强较大,为1.50V/μm,场增强因子β较小,约为5256;磁场处理过的碳纳米管场发射...
- 陈填源叶芸蔡寿金颜敏刘玉会胡海龙林金堂郭太良
- 关键词：场发射碳纳米管磁场丝网印刷
- 文献传递
- 不同环境湿度对CuO纳米线生长及场发射性能的影响被引量：3
- 2013年
- 首先在400℃的干燥空气(流量为500 sccm)及不同水汽流量(500、1500、3000、4000 sccm)等条件下分别热氧化铜片获得了系列垂直生长的氧化铜纳米线,随后,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)研究了不同条件下所制备的氧化铜纳米线形貌、结构等性能,并进一步研究了其场发射性能。研究结果表明:水汽对氧化铜纳米线的密度及场发射性能影响较大,在500 sccm空气流量条件下,通入水汽(500 sccm)条件与未通入水汽条件生长得到的氧化铜纳米线相比,其密度明显增大,场发射性能提升,其开启场强约为3.7 V/μm,明显低于干燥空气中生长氧化铜纳米线的开启场强(6.5 V/μm);此外,制备得到的氧化铜纳米线的场发射性能随着通入水汽量增大出现先升高后降低的趋势,并且,在通入水汽流量为3000 sccm时,获得最佳的氧化铜纳米线场发射性能,其开启场强低至1.4 V/μm。
- 叶芸陈填源蔡寿金颜敏刘玉会郭太良
- 关键词：热氧化法环境湿度场发射
- 一种用于碳纳米管膜层或者石墨烯膜层3D打印的溶液制备方法
- 本发明的目的在于提供一种用于碳纳米管膜层或者石墨烯膜层3D打印的溶液制备方法，其特征在于：1）将适量的单壁或双壁或多壁碳纳米管或者石墨烯加入到液态光敏树脂或者UV固化胶中，为增加碳纳米管或者石墨烯的可溶性再在溶液中加入表...
- 叶芸郭太良胡利勤胡海龙刘玉会陈丽雯
- 文献传递
- 一种基于3D打印技术制备透明导电电极的方法
- 本发明涉及一种基于3D打印技术制备透明导电电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）提供一3D打印装置，所述的3D打印装置包括溶胶生成腔、3D打印头和激光打印头，所述溶胶生成腔包括溶胶生成腔体和搅拌棒；2）建模，利用电脑...
- 叶芸郭太良胡利勤胡海龙刘玉会陈丽雯
- 文献传递
- 一种基于量子点材料的类SED结构
- 本发明提供了一种基于量子点材料的类SED结构，具体结构包括上下基片、荧光粉、阴极电极、栅极电极、阳极电极和量子点材料层。其中量子点材料层均匀分布在阴极电极和栅极电极之间，施加电压时上层量子点的电子可以从一个量子点发射到邻...
- 叶芸郭太良张永爱胡利勤刘玉会
- 文献传递
- Mg掺杂ZnO纳米棒阵列的场发射性能研究被引量：2
- 2014年
- 采用水热法在硝酸锌(Zn(NO3)2·6H2O)与硝酸镁(Mg(NO3)2·6H2O)的生长液中制备了Mg掺杂的Mg/ZnO(MZO)纳米棒,其中生长液中Mg2+的物质的量浓度c(Mg2+)分别为0.05 mol/L、0.10 mol/L、0.25 mol/L和0.50 mol/L.利用场发射电子显微镜(FESEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)、光致发光谱(PL)测试及场发射测试对所制备的MZO纳米棒的表面形貌、成分、晶体结构、光学性能及场发射性能进行了研究.结果表明:随着生长液中c(Mg2+)的增加,MZO纳米棒的直径逐渐减小、缺陷逐渐增加;且掺入的Mg含量与c(Mg2+)并不成正比关系;当生长液中的c(Mg2+)为0.10 mol/L时,所制备的MZO纳米棒的场发射性能最好,其开启场强为2.85 V/μm.
- 叶芸刘玉会张典陈丽雯郭太良蒋亚东
- 关键词：水热法场发射
