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氮气流量对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响被引量：2: 2008年; 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在康宁7101型普通玻璃衬底上沉积了高度c轴择优取向的多晶GaN薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD)对样品进行检测,研究了在低温(430℃)沉积中氮气流量对GaN薄膜结晶性的影响.并且利用原子力显微镜(AFM)和室温光致发光(PL)谱研究了薄膜的表面形貌和发光特性,发现薄膜表面形貌较为平整,其发光峰由较强的紫外近带边发光峰和极其微弱的绿光发光峰组成.; 王文彦秦福文吴爱民宋世巍刘瑞贤姜辛徐茵顾彪; 关键词：GAN薄膜半导体材料玻璃衬底

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刘瑞贤