宋泽润
- 作品数：11 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第43研究所更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金国家重点基础研究发展计划安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- 直流/射频反应磁控溅射法制备W掺杂VO_X薄膜的工艺和性能被引量：1
- 2011年
- 用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOX薄膜和W掺杂VOX薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试。结果表明:当溅射气压为1.5 Pa、氧氩比为0.8:25 sccm、V靶采用100 W直流电源、W靶10 W射频电源共溅射制备的W掺杂VOX薄膜,经Ar气氛中450℃退火2 h后,薄膜相变温度由未掺杂时的68℃降低到40℃左右。XRD衍射结果表明部分W原子进入了VOX晶格;另外单晶硅片上制备的VOX薄膜的电阻温度系数和电阻值均大于玻璃基片上制备的薄膜。
- 聂竹华李合琴都智储汉奇宋泽润
- 关键词：直流射频磁控共溅射相变温度
- 溅射气氛对VO_x薄膜结构及性能的影响
- 2008年
- 溅射总气压一定,通过改变氧氩气体的比例,用射频磁控反应溅射法在玻璃衬底上制备VO_x薄膜。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、QJ31单臂电桥等测试了不同氧氩比例对VO_x薄膜的晶体结构、表面形貌、成分和电阻的影响。测试分析结果表明,氧氩比是影响VO_x薄膜结构及性能的重要因素。在我们的实验条件下,最佳氧氩比为2:25,电阻温度系数为-2.87%/℃。
- 方广志李合琴沈洪雪宋泽润
- 关键词：射频磁控反应溅射电阻温度系数热致变色材料
- VO_x/TiO_x/Ti多层薄膜的制备工艺与内耗研究被引量：1
- 2009年
- 用磁控反应溅射法在玻璃和钼片衬底上制备VOx/TiOx/Ti多层薄膜。用X射线衍射(XRD)、QJ31单臂电桥、薄膜内耗仪等测试了薄膜的晶体结构、电阻、内耗。分别进行了薄膜的制备工艺与内耗研究。测试分析结果表明:试样的晶体结构、电阻-温度曲线、杨氏模量的突变均表明多层薄膜在66℃左右发生相变。样品的电阻温度系数为-4.35%/℃。并且真空退火有利于二氧化钒相生成。
- 方广志李合琴沈洪雪宋泽润
- 关键词：磁控反应溅射电阻温度系数内耗
- VO_x薄膜的制备、电阻-温度特性及结构研究被引量：5
- 2009年
- VO_2是一种热致相变材料。发生相变时,VO_2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化。采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O_2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VO_x薄膜的结构、电阻-温度性能的影响。结果表明,当氧氩比为1.0:15、工作气压为2.0Pa时,制备的薄膜中VO_2的含量较多;衬底温度为250℃时,制备的VO_x薄膜的电阻-温度突变性能最佳。
- 邵林飞李合琴范文宾宋泽润
- 关键词：VO2薄膜直流反应磁控溅射
- 磁控溅射工艺对VO_x薄膜结构和性能的影响被引量：2
- 2010年
- 以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VO_x薄膜,并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪,对VO_x薄膜的电阻温度系数、晶体结构进行了检测。结果表明,当溅射气压为1.5Pa,功率为100W,时间为1h,氧氩比为0.8:25时,经450℃退火后,玻璃基片上制备的薄膜的电阻温度系数(TCR)超过-0.02/℃,其结构和性能最好。同时对比了玻璃和单晶硅基片对VO_x薄膜的生长、性能和结构的影响。当氧氩比为0.8:25时,单晶硅片上制得的VO_x薄膜的质量和性能最好。
- 聂竹华李合琴储汉奇都智宋泽润
- 关键词：直流磁控溅射退火电阻温度系数
- 掺氮类金刚石薄膜的制备及其结构表征被引量：2
- 2008年
- 采用射频磁控反应溅射法,Ar气为溅射气体,N2气为反应气体,用高纯石墨靶在Si(100)片上制备了掺氮类金刚石薄膜,采用X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM),表征了掺氮类金刚石薄膜的微观结构、表面及截面形貌。Raman光谱结果表明,制备的掺氮类金刚石薄膜中含有特征峰D峰和G峰,分别位于1339.2 cm-1、1554.6 cm-1均向低波数段频移,具有典型的类金刚石结构特征;XPS光谱的C1s和N1s的芯能级证实了薄膜中的碳氮进行了化合,形成了C—N、C=N、C≡N,说明薄膜中形成了非晶碳氮结构;同时SEM结果表明实验所制备的薄膜表面均匀、致密、光滑,从截面照片观察,薄膜与衬底结合紧密,薄膜的厚度大约为150nm。
- 王淑占李合琴巫邵波赵之明宋泽润
- 关键词：射频磁控反应溅射掺氮类金刚石薄膜拉曼光谱X射线光电子能谱扫描电子显微镜
- 射频与直流磁控溅射制备DLC薄膜的工艺研究及特性对比被引量：1
- 2007年
- 采用直流与射频磁控溅射技术,用高纯石墨在单晶硅(100)表面制备了类金刚石薄膜(DLC)。采用拉曼光谱、扫描电镜分析了薄膜的结构、表面和截面形貌,以及与溅射工艺的关系,并且对溅射过程中粒子输运机理进行了解释。结果表明,2种溅射方法制备的薄膜均含有相当的sp3杂化碳原子。射频磁控溅射沉积的DLC薄膜所含sp3杂化碳原子的量要高于直流磁控溅射沉积的DLC薄膜,且薄膜质量优于直流磁控溅射沉积的DLC薄膜。
- 王淑占李合琴赵之明巫邵波顾金宝宋泽润
- 关键词：类金刚石薄膜射频磁控溅射直流磁控溅射
- 射频磁控溅射制备类金刚石薄膜的特性被引量：6
- 2006年
- 采用射频磁控溅射技术,用高纯石墨靶在单晶硅片、抛光不锈钢片上制备了类金刚石薄膜(DLC)。采用Raman光谱、原子力显微镜、显微硬度分析仪,表征了类金刚石薄膜的微观结构、表面形貌、硬度。结果表明,制备的类金刚石薄膜中含sp2、sp3杂化碳键,具有典型的类金刚石结构特征。计算表明,对应sp3杂化碳原子含量的ID1IG为3.18;薄膜的表面十分平整光滑,表面粗糙度极低,平均粗糙度Ra为0.17 nm;薄膜硬度可以高达30.8 GPa。
- 赵之明李合琴顾金宝宋泽润
- 关键词：射频磁控溅射类金刚石薄膜拉曼光谱原子力显微镜显微硬度
- TiO_2缓冲层对掺钨氧化钒热敏智能玻璃的制备及性能影响被引量：4
- 2011年
- 用直流磁控溅射法在玻璃基片上先沉积TiO2缓冲层,再用直流/射频反应磁控共溅射法制备掺钨VOX薄膜,然后在氮气中退火。用X射线衍射、原子力显微镜、紫外可见光分光光度计、红外光谱仪等对薄膜的结构、表面形貌、光透过率等进行测试分析。结果表明:在溅射气压为1 Pa,氧氩气体比例为1:4,Ti靶采用100 W直流电源时,所制备的TiO2缓冲层上的掺钨VOX薄膜致密,晶粒大小均匀。掺钨VOX薄膜样品的相变温度降低至35℃,可见光透过率较高,对红外光的屏蔽效果明显。
- 刘涛李合琴刘丹武大伟吕晓庆宋泽润
