尹以安
- 作品数：83 被引量：10H指数：1
- 供职机构：华南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- GaN基蓝紫光激光器制备的理论与关键技术的研究
- 宽禁带Ⅲ-Ⅴ族GaN基半导体材料在发光二极管、激光器、光电探测器以及高温、高频和大功率电子器件等方面有着诱人的应用前景和巨大的市场需求,是近年来光电子材料领域研究的热门课题。特别是发光波段在400-410nm的GaN基蓝...
- 尹以安
- 关键词：ALGAN
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- 一种P型区并列于量子阱区生长的深紫外发光器件及其制备方法
- 本发明涉及一种P型区并列于量子阱区生长的深紫外发光器件及其制备方法，该器件包括位于衬底上的N型AlGaN层，以及位于N型AlGaN层上、并列邻接设置的P型区和量子阱区，P型区包含依次层叠的电流阻断层、p型AlGaN超晶格...
- 尹以安张珂铭章勇
- 文献传递
- 发光二极管(LED)外延片材料和生长方法
- 范广涵李述体章勇郑树文张涛尹以安何苗宿世臣刘纪美易柱臻
- 技术创新要点和突破点：1.以超晶格作为p型电极接触层的GaN基LED外延结构研制方面达到国际先进水平。2.研制出以GaP做p型层的GaN基LED。3.普通结构尺寸芯片(300微米×300微米，常规芯片结构)：光功率达到1...
- 关键词：
- 关键词：发光二极管
- 硅衬底上AIN缓冲层质量对GaN质量的影响
- 采用MOCVD设备对Si衬底上生长GaN进行了研究,通过AIN缓冲层与GaN质量对比研究,发现GaN的晶体质量对AIN缓冲层的晶体质量有明显的依赖关系。GaN晶体质量随AIN缓冲层晶体质量改善而改善。通过优化生长条件,生...
- 张康李述体卢太平尹以安郑树文
- 关键词：MOCVDX射线衍射原子力显微镜
- 文献传递
- 一种无应变AlInGaN深紫外LED外延结构
- 本发明属于深紫外LED半导体及其制造的技术领域，提供了一种基于非极性面AlN自支撑衬底的无应变AlInGaN深紫外LED外延结构。其结构为依次排布的非极性面AlN自支撑衬底、N型掺杂的Al<Sub>a</Sub>Ga<S...
- 尹以安廖峰波
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- 湿法腐蚀GaP对LED性能的影响被引量：1
- 2013年
- 采用化学湿法方法对红光LED的p-GaP层进行腐蚀,研究了不同溶液、不同的溶液配比以及不同的腐蚀时间对LED光电性能的影响。结果表明,当腐蚀深度为1μm时,化学溶液采用HCl∶HNO3∶H2O体积比为3∶1∶2时,腐蚀GaP后,样品粗化效果最佳,比未进行粗化的样品亮度提升25%左右。并且腐蚀小孔的深度会随着反应时间的增加而逐渐加深,但样品的发光亮度则表现为先增加后减小。湿法腐蚀因其操作简单,成本低廉,反应条件易控,可适用于工业化大批量生产。
- 尹以安王维韵王后锦毛明华
- 关键词：磷化镓湿法腐蚀粗化LED光电性能
- 一种复合基板及其制备方法
- 本发明涉及一种复合基板及其制备方法，其包括依次层叠的陶瓷绝缘层、导热介质层和铜基板，所述导热介质层包括依次层叠设置的黏附层、导热铜层和键合层，黏附层与所述陶瓷绝缘层邻接设置，键合层与所述铜基板邻接设置；黏附层的材料为Ti...
- 尹以安张志翔
- 一种基于非极性GaN自支撑衬底的高带宽LED
- 本发明公开了一种基于非极性GaN自支撑衬底的高带宽LED，所述LED包括衬底、N型掺杂的GaN层、In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>（1‑x）</Sub>N/GaN多量子阱有源区发光层、P型Al<Sub>y</S...
- 尹以安王敦年李锴
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- 高调制发光二极管及其制备方法
- 本发明提供一种高调制的发光二极管及其制备方法。所述高调制发光晶体管包括发光二极管芯片，发光二极管芯片包括衬底、发光外延结构、集电极、基极及发射极，发光外延结构设于衬底之上，发光外延结构依次包括第一N型半导体层、第一P型半...
- 尹以安郭德霄范广涵
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- 非极性自支撑GaN基pin紫外光电探测器及制备方法
- 本发明公开了一种非极性自支撑GaN基pin紫外光电探测器及其制备方法，所述探测器包括非极性自支撑GaN衬底、n型GaN层、n型Al<Sub>x1</Sub>Ga<Sub>1‑x1</Sub>N渐变层、本征Al<Sub>x...
- 尹以安李锴曾妮
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