目的分析牙龈卟啉单胞菌及其毒力因子牙龈蛋白K在青少年正畸治疗早期的变化。方法随机收集青少年正畸牙龈正常者45例,分别取矫治器戴入前,戴入后1、2、3、6个月龈沟液标本,应用16S r DNA PCR技术检测各样本中的牙龈卟啉单胞菌及其毒力因子牙龈蛋白K;采用SPSS17.0软件包对数据进行统计分析,牙龈卟啉单胞菌及牙龈蛋白K各组间检出率比较用χ2检验;牙龈卟啉单胞菌、牙龈蛋白K的检出率与牙龈炎症之间的关系用Spearman等级相关分析。结果牙龈卟啉单胞菌在矫治前与戴入后1个月有显著性差异(P<0.05),与2个月、3个月之间有极显著性差异(P<0.01);戴入后1个月与2个月之间有显著性差异(P<0.05);牙龈蛋白K在矫治器戴入前与戴入后1个月、6个月之间无显著性差异,与戴入后2个月、3个月之间有显著性差异(P<0.05);从第2个月开始牙龈卟啉单胞菌与牙龈蛋白K的检出率下降,到6个月时检出率已基本接近矫治器戴入前。结论青少年正畸治疗过程中在矫治器戴入早期可引发牙龈卟啉单胞菌及牙龈蛋白K的增加,出现牙龈炎症反应,当增加到一定时间即2个月后开始逐渐下降,到6个月时已基本接近矫治器戴入前。
目的:评价不同抛光方向对全瓷部分贴面边缘表面粗糙度以及暴露树脂水门汀宽度的影响,为临床抛光提供参考。方法:在收集的离体牙中,挑选无龋坏,无磨耗且釉质光滑完整的前磨牙20颗,牙体预备后,制作IPS E. max Press部分贴面。部分贴面粘接完成后,用金刚砂车针进行边缘线的修整,然后使用EVE Diapol TWIST抛光工具,按照抛光方向从牙体组织到全瓷部分贴面方向和从全瓷部分贴面到牙体组织方向对同一部分贴面的两条边缘线进行抛光,标记为T-C组和C-T组。通过激光显微镜和扫描电镜及色散能谱,记录并分析全瓷部分贴面边缘的微观形貌、表面粗糙度及树脂水门汀暴露宽度。结果:T-C组的表面粗糙度值要小于C-T组的表面粗糙度值,T-C组的表面粗糙度值为(2.48±0.62)μm,C-T组的表面粗糙度值为(3.59±0.56)μm。T-C组的树脂水门汀条带的暴露量小于C-T组的树脂水门汀条带的暴露量,T-C组暴露树脂水门汀条带宽度为(98.10±29.64)μm,C-T组暴露树脂水门汀条带宽度为(145.00±30.50)μm。差异均有统计学意义。结论:不同抛光方向抛光全瓷部分贴面后,其表面粗糙度和树脂水门汀条带暴露量存在明显差异,因此,提示临床医生在进行全瓷部分贴面抛光时,建议采用牙体向全瓷部分贴面方向的抛光方式。
