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张挺

作品数：117 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：中国博士后科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划上海市博士后基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 112篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 74篇存储器
  • 57篇电阻
  • 29篇相变存储
  • 28篇相变存储器
  • 24篇相变材料
  • 22篇半导体
  • 21篇二极管
  • 18篇肖特基
  • 17篇相变
  • 17篇肖特基二极管
  • 13篇堆叠
  • 12篇导电类型
  • 12篇沟道
  • 11篇退火
  • 11篇二极管阵列
  • 11篇存储器单元
  • 10篇半导体工艺
  • 10篇编程
  • 9篇芯片
  • 8篇电极

机构

  • 117篇中国科学院
  • 2篇上海市纳米科...

作者

  • 117篇张挺
  • 116篇宋志棠
  • 95篇封松林
  • 93篇刘波
  • 43篇陈邦明
  • 18篇顾怡峰
  • 13篇刘卫丽
  • 11篇吴关平
  • 11篇刘旭焱
  • 10篇夏吉林
  • 8篇张超
  • 8篇万旭东
  • 6篇谢志峰
  • 6篇陈宝明
  • 4篇吴良才
  • 4篇丁晟
  • 4篇杨左娅
  • 4篇龚岳峰
  • 4篇饶峰
  • 4篇马小波

传媒

  • 1篇微细加工技术
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2014
  • 14篇2013
  • 13篇2012
  • 26篇2011
  • 18篇2010
  • 25篇2009
  • 10篇2008
  • 5篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 3篇2004
共 117 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
二极管及电阻转换存储器的制造方法
本发明提供一种二极管及电阻转换存储器的制造方法，其中的单晶硅的制备是通过在特定金属上沉积多晶硅薄膜，采用退火工艺，利用特定金属对多晶硅结晶的诱导作用，在较低温度下使多晶硅薄膜结晶形成单晶硅，随后采用半导体工艺制造二极管阵...
张挺宋志棠刘波万旭东吴关平封松林陈邦明
一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法
本发明涉及一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法，采用低温等离子体活化键合，将已制备外围电路或电极的衬底晶圆与已制备二极管结构层和缺陷层的晶圆键合，利用不高于400℃的低温退火增强键合强度，同时将具有二极管结构层的...
马小波张挺刘卫丽宋志棠刘旭焱杜小锋
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一种电阻转换存储器结构及其制造方法
本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间...
张挺朱南飞宋志棠刘波吴关平张超谢志峰封松林
纳米级侧壁限制电阻转换存储器单元及制造方法
本发明涉及一种纳米级侧壁限制的电阻转换存储器单元及其制造方法，该存储器单元结构，包括：上电极、下电极、以及分别与上电极和下电极相接触的存储单元，在所述存储单元周围设有绝缘材料将其隔离，所述存储单元在平行于电极方向的横截面...
张挺宋志棠刘波封松林
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一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法
本发明提供了一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法，所述三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置包括如下结构：衬底、逻辑电路、底层字线阵列、至少一层存储层、位线阵列；所述衬底的一侧依次设有逻辑电路、底层字线阵列，所...
张挺宋志棠刘波封松林
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含锑材料作为电阻转换存储材料的应用
本发明揭示了一种含锑材料作为电阻转换存储材料的应用，所述含锑材料包括锑及其他金属的混合物、或/和锑的氧化物、或/和锑的氮化物、或/和锑的氮氧化物。当温度达到或者超过某一特定温度时，该电阻转换存储材料的电阻率有剧烈的下降过...
张挺宋志棠顾怡峰刘波封松林
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电可再编程熔丝器件
本发明涉及一种电可再编程熔丝器件，用于集成电路器件，其采用Si<Sub>x</Sub>Sb<Sub>100－x</Sub>(0≤x＜90)合金作为熔丝材料，利用电信号对熔丝进行可逆的编程操作，熔丝器件单元的电阻可在高、低...
张挺宋志棠刘波封松林
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包含夹层的相变存储器及制作方法
本发明涉及包含夹层的相变存储器单元及制作方法，其特征在于在电极材料层与相变材料层之间添加单质金属夹层的结构，所述的单质金属夹层的厚度小于10nm。所述的添加单质金属夹层为下述三种结构中的任一种：①单质金属夹层位于下电极层...
刘波宋志棠张挺封松林
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动态相变存储器
本发明揭示了一种动态相变存储器，所述存储器的存储介质采用具有较低熔点和较低结晶温度的相变材料；所述相变材料的熔点在200℃到640℃之间，且其结晶温度在40℃到120℃之间。所述存储器还包括定期刷新模块，用以定期地对存储...
张挺宋志棠刘波封松林陈邦明
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制造三维立体堆叠的电阻转换存储器的方法
本发明揭示一种三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法。电阻转换存储器包括基底、若干第一布线、若干第二布线、若干存储单元阵列。多个平行设置的第一布线设置于基底上；多个相互平行的第二布线设置于基底上、与第一布线绝缘分离、并...
张挺宋志棠刘波封松林陈邦明
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