张雷
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：山东省科技发展计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学轻工技术与工程化学工程更多>>
- 激光能量分布对GaN基光导开关导通特性的影响
- 2024年
- 光斑是影响光导开关导通特性的重要因素之一。探索了激光能量分布对光导开关输出特性的影响,分别采用高斯光和平顶光对同一GaN光导开关导通特性进行了对比测试。结果表明,由于平顶光具有更均匀的能量分布,相比于高斯光触发,在相同外加偏置电压(800 V)下,电压转换效率提升了6.8%。在激光能量为500μJ时的平顶光触发下进行了加压测试,最大峰值输出电压为4550 V,此时输出功率达到414 kW,上升时间为420 ps,下降时间为5 ns,导通电阻为13.7Ω。
- 杨彪孙逊李阳凡沙慧茹焦健焦健张雷李德强肖龙飞张雷张雷
- 关键词：光导开关GAN
- 物理气相传输法自发成核生长AlN单晶
- 王国栋吴拥中张雷邵永亮郝霄鹏
- BCN纳米片阻断位错HVPE生长高质量GaN单晶
- 张保国胡海啸吴拥中邵永亮张雷郝霄鹏
- HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响被引量：4
- 2011年
- 采用计算流体力学软件Fluent对HVPE反应室进行了数值模拟,研究了GaCl载气流量对HVPE反应室气流分布的影响,发现GaCl载气流量是影响GaCl和NH3在衬底上均匀分布的重要因素。采用HVPE方法在不同GaCl载气流量下生长GaN单晶,研究了GaCl载气流量对GaN单晶质量的影响,得到了与模拟一致的结果。
- 张雷邵永亮吴拥中张浩东郝霄鹏蒋民华
- 关键词：GAN氢化物气相外延气流分布
