成正维
- 作品数：8 被引量：11H指数：3
- 供职机构：北方交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 永磁材料脉冲测量装置
- 本实用新型属于永磁材料磁性检测装置。是一种将充磁与测量过程合为一体的永磁材料脉冲测量装置。该装置以380伏市电作为脉冲磁场的供电电源，利用小型磁体产生高磁场，采用单片机完成脉冲电源控制，磁场H和磁感应B参数的测量和数据处...
- 王金星鲜于泽白质明成正维严雪琴
- 文献传递
- 1420铝锂合金焊缝金属的Na脆
- 1996年
- 探讨了Ｎａ对１４２０Ａｌ－Ｌｉ合金２ｍｍ厚冷轧板焊缝金属力学性能的影响及其作用机理。试验结果表明：Ｎａ降低了焊缝金属的强度和塑性，使金属脆化；其在焊缝金属晶界处的偏聚是产生Ｎａ脆的原因。
- 陈萍成正维王兆清郭燕杰
- 关键词：焊缝铝锂合金
- 一种新结构ZnS∶Tm^(3+)薄膜电致发光器件的研究
- 2001年
- 采用电子束蒸发法制备了一种新结构 (ITO/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /Al)的薄膜电致发光器件 ,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明 ,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为这是由于SiO2
- 杨胜何大伟成正维邓朝勇关亚菲
- 关键词：薄膜电致发光器件硫化锌铥薄膜电致发光电子束蒸发法
- Ba铁氧体溅射薄膜的研究被引量：3
- 1994年
- 研究了射频溅射制备Ｂａ铁氧体薄膜的成膜条件对晶化、晶体结构及磁性能的影响。我们的工作表明，为了使射频溅射Ｂａ铁氧体薄膜形成磁铅石结构的晶体，基板温度需高于６００℃，更高的基板温度可获得好的Ｃ轴垂直取向。非晶膜经热处理晶化所需温度要比直接溅射温度高得多。过大、过小的氧气分压不利于垂直膜的生成。使用挡板对最小溅射角限制以后，可在小的基板－靶间距情况下定得Ｃ轴垂直取向的薄膜。
- 成正维田卫东胡全利严雪琴鲜于泽
- 关键词：BA铁氧体磁性铁氧体射频溅射
- 全碳分子C_（60）电弧法合成工艺及其机理
- 1995年
- 对电弧法合成全碳分子Ｃ６０（简称Ｃ６０）的工艺及机理进行了研究通过实验，发现气体种类、压力等因素对Ｃ６０产率有明显影响．给出了获得高Ｃ６０产率的氢气压力区域为１０×１０４～１３×１０４Ｐａ在电弧法合成Ｃ６０的机理方面讨论了电弧中电子及气体原于在形成Ｃ６０分子过程中的作用．
- 鲜于泽高明胡全利成正维卓毅宋正芳
- 关键词：电弧法碳60产率
- ZnS:Tm的薄膜电致发光及激发过程被引量：3
- 2002年
- 用电子束蒸发的方法制备了传统的双绝缘层的ZnS∶Tm的薄膜电致发光器件。对其电致发光谱进行分析。在光致发光中,Tm离子受到基质ZnS的无辐射能量传递,而在电致发光中,Tm被过热电子碰撞激发而非能量传递。在所研制的电致发光器件中,稀土TmF3掺杂浓度不同,器件的发光性能也不同。在双绝缘层的ZnS∶Tm的薄膜电致发光器件的基础上,改变器件的结构,发现器件的蓝光发射与红外光发射之比增加,并对Tm离子可能的发光机理进行了探讨。
- 关亚非何大伟成正维邓朝勇李少霞
- 关键词：电致发光电子束蒸发硫化锌钐电致发光器件
- Fe-N薄膜磁性能的研究被引量：2
- 1997年
- 本文研究了溅射气氛中氮含量及后续热处理对射频溅射法制备的Ｆｅ－Ｎ薄膜的磁性能的影响。电镜分析的结果显示，样品中含有少量Ｆｅ１６Ｎ２。
- 张振涛成正维蒋龙胡全利钟涛宋金孝杨卫东鲜于
- 关键词：磁性能射频溅射
- ZnS:TmF_3薄膜电致发光特性的研究被引量：3
- 2001年
- 为了提高蓝色薄膜电致发光器件 (TFEL)的发光亮度 ,自行配制了氟化铥 (TmF3) ,并制备了以ZnS :TmF3为发光层的薄膜电致发光器件 ,研究了TmF3的掺杂浓度对ZnS :TmF3发光器件发光特性的影响 .实验结果显示 ,当掺杂浓度为 1.2 %mol时 。
- 苑庆国杨胜何大伟成正维
- 关键词：薄膜电致发光硫化锌发光强度显示技术
