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李志强

作品数：22 被引量：6H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划高等学校青年骨干教师国内访问学者项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信政治法律文化科学艺术更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 5篇学位论文
  • 3篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇政治法律
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学
  • 1篇艺术

主题

  • 11篇锗
  • 7篇界面态
  • 5篇淀积
  • 5篇态密度
  • 5篇界面态密度
  • 4篇电流开关
  • 4篇势垒
  • 4篇NMOS器件
  • 4篇衬底
  • 3篇肖特基
  • 3篇化合物
  • 2篇单克隆
  • 2篇单克隆抗体
  • 2篇电路
  • 2篇电子波
  • 2篇电子波函数
  • 2篇电阻
  • 2篇氧化锗
  • 2篇氧化铪
  • 2篇氧化镓

机构

  • 21篇北京大学
  • 1篇安徽广播影视...
  • 1篇西北师范大学

作者

  • 21篇李志强
  • 12篇安霞
  • 12篇黄如
  • 12篇张兴
  • 9篇郭岳
  • 6篇云全新
  • 6篇林猛
  • 4篇刘朋强
  • 4篇黎明
  • 3篇李敏
  • 2篇黄英龙
  • 2篇徐飞
  • 2篇丁焕弟
  • 2篇刘合力
  • 1篇马粉英
  • 1篇李志强

传媒

  • 1篇传媒
  • 1篇物理学报
  • 1篇安阳工学院学...

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2015
  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 6篇2011
  • 1篇2008
  • 1篇1995
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法
本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先以半导体锗衬底为基片，对基片进行清洗，以去除表面的有机、无机、金属颗粒污染物以及去除基片表面的自然氧化层；对基片进行氟化硅或者含氟硅氢化合...
安霞黄如林猛郭岳李志强张兴
文献传递
一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入M...
李志强郭岳安霞云全新黄英龙黄如张兴
文献传递
选择性识别致癌性突变体KIT ITD的单克隆抗体及其应用
本发明公开了一种选择性识别致癌性突变体KIT ITD的单克隆抗体及其应用。所述抗体的重链和轻链的可变区中的高变区(CDRs)和框架区的特定序列共同决定了其对KIT ITD的选择性，可选择性抑制胃肠道间质瘤中致癌性突变体K...
刘合力丁焕弟刘建梅梁文君徐飞林兆晗李志强
人神经干细胞体外分离培养及在体裸鼠胃肠道移植的初步研究
李志强
关键词：神经干细胞裸鼠
沉浸式新闻报道的短板与发展对策被引量：3
2021年
近年来随着科学技术的快速发展,能增强受众体验感的VR即虚拟现实技术开始被应用到新闻报道领域,沉浸式新闻应运而生并取得显著的传播效果。但处于发展初期的沉浸式新闻,仍存在报道类型有限、娱乐化倾向明显、技术应用成本较高等现实问题,不同程度上影响着沉浸式新闻报道的发展与普及。因此,为进一步拓展其发展空间,探寻媒体融合转型的更多突破口,有必要对沉浸式新闻的发展对策进行研究。
马粉英李志强
关键词：VR虚拟现实媒体融合
一种锗基NMOS器件及其制备方法
本发明提供一种锗基NMOS器件结构及其制备方法。该方法在源、漏区与衬底之间淀积了二氧化锗(GeO<Sub>2</Sub>)和金属氧化物双层介质材料。本发明不但降低了锗基肖特基NMOS源漏处电子的势垒高度，改善了锗基肖特基...
黄如李志强安霞郭岳张兴
淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法
本发明公开了一种淀积在锗基或三五族化合物基衬底上的栅介质的处理方法，属于半导体器件领域。该方法具体包括：在锗基或三五族化合物基衬底上淀积高K栅介质后，对高K栅介质进行氟等离子体处理，并在处理过程中施加引导电场，电场使氟离...
黄如林猛安霞黎明云全新李志强李敏刘朋强张兴
文献传递
西汉与东汉地主经济的比较研究
李志强
关键词：社会生产力庄园经济
“80后”群体的“代意识”研究——基于个案分析的理论探讨
“80后”一代是改革开放后出生的一代人，他们成长于中国社会的转型时期，经历了国家由相对困难落后到今天较为繁荣富裕的过程。面对新旧两种截然不同的生活方式的和价值标准，他们的内心始终充斥着一种传统与现代之间的紧张和冲突。于是...
李志强
关键词：新社会运动社会转型期
一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入M...
李志强郭岳安霞云全新黄英龙黄如张兴
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