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杜丽萍

作品数:5 被引量:6H指数:2
供职机构:上海理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇波导
  • 3篇薄膜波导
  • 2篇能级
  • 2篇微量锡
  • 2篇响应速度
  • 2篇硫化砷
  • 2篇非晶
  • 2篇半导体
  • 1篇导体
  • 1篇折变
  • 1篇晶态
  • 1篇光波
  • 1篇光波导技术
  • 1篇光传输
  • 1篇光折变
  • 1篇光折变效应
  • 1篇非晶态
  • 1篇非晶态半导体
  • 1篇波导技术
  • 1篇掺杂

机构

  • 5篇上海理工大学
  • 3篇南昌大学
  • 3篇日本法政大学
  • 3篇东京农工大学

作者

  • 5篇杜丽萍
  • 5篇浜中广见
  • 5篇陈抱雪
  • 3篇陈直
  • 3篇孙蓓
  • 3篇矶守
  • 3篇邹林儿
  • 2篇隋国荣
  • 1篇刘小青
  • 1篇袁一方

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
具有高速光阻断效应的硫化砷波导及其制造方法
本发明涉及一种具有高速光阻断效应的硫化砷波导,所述硫化砷波导由一块衬底基板以及在其上表面覆盖的一层掺锡硫化砷薄膜组成,通过在As<Sub>2</Sub>S<Sub>8</Sub>基质材料中掺入微量锡元素的手段,使得隙内能...
陈抱雪隋国荣浜中广见杜丽萍孙蓓陈直
文献传递
非晶态As2S8半导体薄膜的光致结构变化效应研究被引量:2
2008年
实验研究了非晶态As2S8半导体薄膜在光照、退火-光照和退火-光照-退火-光照关连作用下的光折变效应及淀积态与退火态两种膜系光致体积变化现象·采用棱镜耦合技术、Raman光谱和X线衍射测试技术,确认了As2S8薄膜经紫外光辐照后薄膜密度增高、折射率增大的现象·实验表明,淀积态As2S8薄膜经紫外光照后,折射率变化的最大增量可达到0.06,而退火态As2S8薄膜经紫外光照射后,其折射率最大变化比前者要小一个数量级,约为0.0057·淀积态和退火态两种膜系紫外光照后,体积缩小,这与As2S3非晶态薄膜的情况不同,体积变化率分别为-3.5%和-2.1%·实验还显示,退火态的As2S8薄膜存在折射率完全可逆现象·
邹林儿陈抱雪杜丽萍袁一方浜中广见矶守
关键词:非晶态半导体光折变效应
非晶态As_2S_8半导体薄膜波导的热处理效应
2007年
研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm.
邹林儿陈抱雪杜丽萍刘小青浜中广见矶守
关键词:光传输
具有高速光阻断效应的硫化砷波导及其制造方法
本发明涉及一种具有高速光阻断效应的硫化砷波导,所述硫化砷波导由一块衬底基板以及在其上表面覆盖的一层掺锡硫化砷薄膜组成,通过在As<Sub>2</Sub>S<Sub>8</Sub>基质材料中掺入微量锡元素的手段,使得隙内能...
陈抱雪隋国荣浜中广见杜丽萍孙蓓陈直
文献传递
掺杂As2S8非晶态薄膜波导的光阻断效应被引量:4
2008年
实验研究了未掺杂和低浓度掺锡和掺磷的As2S8薄膜波导的光阻断效应,提供了三种样品的光阻断响应曲线、室温退激实验数据和光谱测试数据.结果表明,掺锡样品可以明显提升毫秒级响应的快过程恢复作用,同时还具有减少残留传输损耗的效果,掺磷的效果则相反.结合实验结果给出了分析讨论.
杜丽萍陈抱雪孙蓓陈直邹林儿浜中广见矶守
关键词:光波导技术掺杂
共1页<1>
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