杨江锋
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
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- 三元ClInTe2基半导体的结构及热电性能研究
- 热电材料是一种通过材料内部载流子的运动实现热能与电能相互转化的功能材料。本文研究的CuInT2基热电材料是一种典型的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2系列黄铜矿结构直接带隙半导体材料，其内部存在InCu2++2VCu-阴阳离子缺陷对，是一种很...
- 杨江锋
- 关键词：热电材料导电机制晶格结构
- 文献传递
- 硅纳米线复合Mg_2Si基热电材料的制备与性能研究被引量：1
- 2016年
- 利用溶液法混合粉体并通过电场激活压力辅助烧结(FAPAS)方法制备了不同硅纳米线含量的Mg_2Si基复合热电材料,研究了硅纳米线的掺入及含量对基体材料热电性能的影响。结果表明:硅纳米线掺入后材料电导率大幅降低,塞贝克系数基本不变,热导率小幅降低。随着硅纳米线掺量增加,材料电导率降低,塞贝克系数稍有提高,热导率有升高趋势。硅纳米线掺量为0.1at%的样品在800 K时ZT值达到最高值0.5。
- 杜子良陈少平王彦坤樊文浩孟庆森杨江锋崔教林
- 关键词：热电性能SIMG2SI
- 黄铜矿型三元合金CuGaTe_2的热电性能
- 2013年
- 利用放电等离子烧结技术制备了三元半导体CuGaTe2。XRD分析结果表明,该半导体为单相化合物CuGaTe2,带隙宽度(Eg)约为1.0eV,与Ga2Te3(1.65eV)的带隙相比明显变窄。在701K时电导率达到1.6×104/(Ω.m)。电导率的显著提高与带隙变窄密切相关。晶格热导率占总热导率(κ)的主要部分,κ值由室温时的3.64W/(m.K)降低到701K时的1.1W/(m.K),并基本符合∞T-1关系,即声子散射基本受Umklapp过程控制。在701K时该三元化合物的最大热电优值ZT为0.49,而Ga2Te3在860K时的最大ZT值为0.16。
- 李亚鹏孟庆森周红杨江锋崔教林
- 关键词：热电性能
- Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺
- 本发明涉及一种Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于该Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体是由CuInTe<Sub>2</Sub>中的部分Cu和In元素同时等摩尔量替换为Zn元素，所...
- 崔教林杨江锋王莉
- 文献传递
- 非等电子Sb替换Cu和Te后黄铜矿结构半导体Cu_3Ga_5Te_9的热电性能
- 2014年
- 热电材料是一类能够实现热与电相互转换的功能材料,在制冷和发电领域极具应用潜力.本文采用金属Sb元素非等电子替换Cu3Ga5Te9化学式中的Cu和Te,观察到材料Seebeck系数和电导率提升的现象.这些电学性能的改善与载流子浓度和有效质量的增大及迁移率基本维持不变有关.载流子浓度的提高是由于Sb原子占位在Te晶格位置后费米能级进入到价带所产生的空穴掺杂效应所致,同时也与Cu含量减少后铜空位(V-1Cu)浓度增大相关联.另外,非等电子替换后,阴离子(Te2-)移位导致了晶格结构缺陷参数u和η的改变,其改变量fiu和fiη与材料晶格热导率(κL)的变化密切相关.在766 K时,适量的Sb替换量使材料的最大热电优值(ZT)达到0.6,比Cu3Ga5Te9提高了近25%.因此,通过选择替换元素、被替换元素及替换量有效地调控了材料的电学及热学性能,在黄铜矿结构半导体中实现了非等电子元素替换改善热电性能的思想.
- 孙政陈少平杨江锋孟庆森崔教林
- 关键词：热电性能
- 三元CuInTe2基半导体的结构及热电性能研究
- 热电材料是一种通过材料内部载流子的运动实现热能与电能相互转化的功能材料。本文研究的CuInTe2基热电材料是一种典型的I-III-VI2系列黄铜矿结构直接带隙半导体材料，其内部存在In2+Cu+2V-Cu阴阳离子缺陷对，...
- 杨江锋
- 关键词：热电材料晶格热导率
- Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺
- 本发明涉及一种Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于该Cu-In-Zn-Te四元p-型热电半导体是由CuInTe<Sub>2</Sub>中的部分Cu和In元素同时等摩尔量替换为Zn元素，所...
- 崔教林杨江锋王莉
- 文献传递
