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双氢青蒿素在单壁碳纳米管修饰电极的伏安行为与测定被引量：1: 2010年; 目的:研究双氢青蒿素在单壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为及测定。方法:制备单壁碳纳米管(SWCNT)修饰玻碳电极,并用扫描电子显微(SEM)法、伏安法、电化学交流阻抗法对所制备的修饰电极进行表征。以此为工作电极,用线性扫描伏安法测定双氢青蒿素。结果:在pH=7.0,0.1mol·L-1的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,5.0×10-4mol·L-1双氢青蒿素在单壁碳纳米管修饰玻碳电极上还原峰电位为-0.85V,比同浓度双氢青蒿素在裸玻碳电极上的峰电位正移了270mV,峰电流显著增大。在优化实验条件下,还原峰电流与双氢青蒿素浓度在5.0×10-7～5.0×10-4mol·L-1的范围内呈线性关系,检出限为3.0×10-7mol·L-1。对5.0×10-4mol·L-1的双氢青蒿素平行测定10次的RSD为1.7%。结论:该方法简单、快速、灵敏,可用于含双氢青蒿素样品的含量测定。; 王辉杨培慧梁绍成蔡继业; 关键词：单壁碳纳米管双氢青蒿素伏安法玻碳电极

纳米材料修饰电极上金属离子对双氢青蒿素的作用研究: 双氢青蒿素(DHA)中的过氧键是抗疟、抗肿瘤的关键活性部位，为了探讨金属离子对DHA中过氧键的影响，本文采用电化学方法研究了Cu(Ⅱ)、Bi(Ⅲ)对DHA的作用，并探讨了其作用机理。采用电化学方法测定了DHA在裸玻碳电...; 梁绍成; 关键词：双氢青蒿素 CU(II)BI(III)玻碳电极单壁碳纳米管; 文献传递

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梁绍成