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毛雪

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇红外
  • 3篇深能级
  • 3篇探测器
  • 3篇能级
  • 3篇硅基
  • 3篇红外探测
  • 3篇红外探测器
  • 3篇非制冷
  • 2篇电偶
  • 2篇氧化硅
  • 2篇热电偶
  • 2篇热氧化
  • 2篇牺牲层
  • 2篇金属
  • 2篇激光
  • 2篇激光辐照
  • 2篇光辐照
  • 2篇硅衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇电极

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇韩培德
  • 8篇毛雪
  • 6篇胡少旭
  • 5篇范玉杰
  • 5篇李辛毅
  • 4篇王帅
  • 3篇高利朋
  • 1篇冉启江
  • 1篇曾凡平
  • 1篇米艳红
  • 1篇赵春华

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇光通信技术

年份

  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2009
共 9 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法
本发明公开了一种基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法，该方法包括：在硅衬底表层蒸镀钛薄膜；以及采用超快激光辐照蒸镀有钛薄膜的硅材料表层。本发明提供的基于超快激光掺杂的中间带材料的制备方法，采用超快激光辐照镀有钛薄层的硅...
李辛毅韩培德毛雪胡少旭王帅范玉杰
文献传递
与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究
2009年
硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景。文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四种方式来制备硅基光电探测器的研究现状和研究进展,并对四类器件的结构,制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍。
曾凡平韩培德高利朋冉启江毛雪赵春华米艳红
关键词：深能级缺陷
一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法，该非制冷热电偶红外探测器由下至上依次包括：在硅衬底上热氧化得到的氧化硅薄层，沉积在氧化硅薄层上的高塞贝克系数金属层；具有热隔离作用的热绝缘层；高红外辐射吸收的黑硅材料层...
李辛毅韩培德毛雪胡少旭王帅范玉杰
文献传递
深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器及其制备方法
一种深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器，包括：一硅或SOI衬底；一第一掺杂层，制作在硅或SOI衬底上；一第二掺杂层，制作在第一掺杂层上；一迎光面介质钝化层，制作在第二掺杂层上；一第一金属电极，为E字形结构，该第一金属电极制...
毛雪韩培德
文献传递
Si中离子注入S杂质引起的深能级研究
2012年
本文在n型硅中通过离子注入方法用500 keV的能量注入剂量为1×1014cm-2的过量S以引入杂质,并通过深能级瞬态谱方法(DLTS)对离子注入引入的深能级进行研究,得到多个S的深能级峰,计算了各深能级的位置和其俘获截面等参数。同时也发现,采用离子注入工艺在Si中引入了大量缺陷深能级。
高利朋韩培德毛雪范玉杰胡少旭
关键词：深能级离子注入深能级瞬态谱
硅基近红外光电探测器结构及其制作方法
一种硅基近红外光电探测器结构，包括：一n型硅衬底，其上面向下开有两层台阶状的圆槽；一磷背场制作在n型硅衬底的下面；一硫系元素掺杂层制作在该n型硅衬底上面的最下层的圆槽内；一p型硼掺杂层制作在该n型硅衬底上面的上层圆槽内；...
胡少旭韩培德李辛毅毛雪高利朋
文献传递
一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法，该非制冷热电偶红外探测器由下至上依次包括：在硅衬底上热氧化得到的氧化硅薄层，沉积在氧化硅薄层上的高塞贝克系数金属层；具有热隔离作用的热绝缘层；高红外辐射吸收的黑硅材料层...
李辛毅韩培德毛雪胡少旭王帅范玉杰
一种基于黑硅材料非制冷热红外探测器的制备方法
本发明公开了一种基于黑硅材料非制冷热红外探测器的制备方法，包括：在硅衬底或SOI衬底上形成温敏二极管；在该温敏二极管表面沉积非晶硅薄膜，在硫系元素氛围下采用超快激光辐照或采用离子注入硫系元素+超快激光辐照的方式对该非晶硅...
韩培德李辛毅毛雪胡少旭王帅范玉杰
文献传递
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