游志朴
- 作品数：12 被引量：11H指数：2
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学自然科学总论更多>>
- 铍(Be)注入6H碳化硅PN结中残留深能级缺陷的研究
- 龚敏游志朴陈旭东
- 关键词：碳化硅PN结
- Ni在Si中的分布和沉积
- 1989年
- 用原子吸收光谱和X射线荧光光谱,测得Ni在Si中的分布为内部浓度低,表面浓度高的U形分布。扫描电子显微镜观察到了Ni在Si表面的沉积和由此产生的晶格缺陷。表面沉积物是Si—Ni合金,其原子比为Si:Ni—2:1。
- 周继明游志朴李定武阳军
- 关键词：镍硅光谱
- 非晶硅Pin二极管的1MeV电子幅照效应被引量：2
- 2001年
- 本文报道a Si∶H本征膜及Pin二极管的 1MeV1 4× 10 15,4 2× 10 15,8 4× 10 15/cm2 电子幅照实验结果和退火行为 .测量了电子辐照对a Si∶H光暗电导率和光致发光谱的影响 ,以及a Si∶HPin二极管光伏特性和光谱响应随电子辐照剂量的变化 .发现电子辐照在a Si∶H本征膜和二极管中引起严重的损伤 ,和二极管光谱响应的峰值“红移” .但未见饱和现象 ,还观测到明显的室温恢复现象 ;但高温退火处理后未能完全恢复 .本文对以上实验结果给出了合理的解释 .
- 李柳青廖显伯游志朴
- 关键词：PIN二极管非晶硅
- 氦诱生微孔对硅二极管漏电流特性的改善
- 2003年
- 高剂量的氦离子注入并热处理在硅中形成对金属具有高吸杂作用的微孔。以低金属杂质浓度的硅平面二极管的反向漏电流为指标,研究了吸除的热处理过程对微孔吸杂效果的影响。在适当的热处理温度和冷却条件下,观测到二极管反向漏电流的显著改善,部分样品漏电流可降低3个数量级。
- 唐有青李恒游志朴张坤李仁豪李作金
- 关键词：二极管漏电流
- 高能电子辐照对非晶硅太阳电池的影响
- 本文报道a-Si:H Pin太阳电池的1MeV1.4～8.4×10<'15>cm<'-2>电子辐照实验结果.测量了电子辐照对a-Si:H太阳电池光暗J-V特性的影响,以及它们的退火行为.发现这样剂量范围的1MeV电子辐照...
- 李柳青廖显伯游志朴
- 关键词：A-SI缺陷态
- 文献传递
- 中子辐照硅的正电子湮没寿命谱研究被引量：1
- 1992年
- 研究了中子辐照硅中正电子湮没寿命谱的等时退火特性,得到与文献[1]不相同的结果.实验资料对比表明,本工作的结果与EPR、IR、DLTS的实验能更好地符合.对[1]中的双空位运动形成四空位的模型提出质疑.指出中子能谱不同很可能是导致缺陷俘获态寿命退火特性相异的重要原因.
- 罗宗德游志朴
- 关键词：硅中子辐照正电子湮没
- 掺钯硅快恢复二极管V_F～T_(RR)兼容性研究
- 2003年
- 作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF～TRR兼容性,得到掺钯硅二极管的VF～TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果;这一结果与目前广泛采用的Baliga理论的预测不相符合,作者对此进行了分析与讨论.根据实验结果,作者认为应用掺钯技术有望制造出性能优良的超快恢复二极管.
- 廖勇明杨仕钟陈振游志朴
- 关键词：反向漏电流性能指标
- He^+注入诱生微孔对金吸除作用的研究被引量：1
- 2003年
- 高注量的氦注入硅中并经热处理所形成的微孔,对金属原子的吸除作用已为大量的研究所证实.作者报道了该技术应用于平面二极管中对金杂质吸除的研究.其结果表明,在粗糙研磨表面上形成的氦诱生微孔,同样具有良好的吸除效果.
- 李恒唐有青游志朴
- 关键词：金反向漏电流氦硅金属杂质平面二极管
- 金铂双掺杂快恢复二极管特性的研究
- 2001年
- 掺金 (Au)和掺铂 (Pt)技术已被广泛用于减小硅中少数载流子的寿命 .掺金器件的VF～trr特性优于掺铂器件 ,但高温反向电流远大于掺铂器件 .作者通过金铂双掺杂技术 ,得到了VF～trr特性和高温反向漏电流介于单独掺金和掺铂快恢复二极管之间的结果 ;并通过全面衡量器件各参数认为 ,金铂双掺杂技术有利于器件参数的优化 .
- 金德虎潘飞蹊伍登学游志朴
- 关键词：正向压降
- 少数载流子寿命横向非均匀分布的快恢复二极管特性被引量：2
- 2004年
- 提出了一种快恢复二极管新结构 :少数载流子寿命横向非均匀分布 (m inority- carrier life tim e lateral non- u-niform distribution,ML D)结构 .利用普通的 p+ nn+ 二极管芯片 ,通过掩蔽扩散选择性地掺入深能级杂质 ,制备出了掺 Au、Pt的 ML D快恢复二极管 .测试结果表明 ,虽然这种快恢复二极管正向压降 -反恢时间兼容特性略差 ,且反向漏电流较大 ,但是具有十分良好的反恢时间 -温度的稳定特性 ,可以用于对反恢时间变化要求严格的领域 .
- 潘飞蹊黄林廖天康游志朴
- 关键词：少数载流子寿命反向漏电流
