王小冬
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
- 供职机构：西北工业大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西北工业大学研究生创业种子基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术更多>>
- 沉积温度对PECVD制备碳纳米管形貌的影响被引量：9
- 2011年
- 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜。采用扫描电镜研究了沉积温度对碳管形貌的影响,进一步通过扩散机制分析了多种形貌CNTs的生长机制。结果表明:沉积温度对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着决定作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳温度是700℃。
- 席彩萍王六定王小冬李昭宁
- 关键词：多壁碳纳米管沉积温度PECVD
- 锥顶碳纳米管的结构稳定性与场致发射性能被引量：2
- 2011年
- 运用密度泛函理论研究了锥顶碳纳米管的结构稳定性与电子场致发射性能.结果表明:在外电场作用下,该体系的结构稳定性明显优于碳纳米锥体、C30半球封口的碳纳米管,且电子发射性能与锥角大小、锥顶构型密切相关,特别是锥角38.9°及棱脊型顶部的cone1@(6,6)综合性能最优,用其作为场致发射源的阴极时可显著提高发射电流密度并延长器件的使用寿命.
- 王益军王六定杨敏严诚王小冬席彩萍李昭宁
- 关键词：密度泛函理论
- 化学掺杂Armchair石墨纳米带的第一性原理研究
- 2011年
- 本文利用第一性原理研究了化学掺杂(N和B)对Armchair石墨纳米带(AGNR)电子性质的影响。结果发现:N和B原子有不同的最佳掺杂位置,掺杂使AGNR分别成为n型或p型半导体。纳米带宽度不同时,掺杂对AGNR电子结构如能级、能隙、轨道分布等有不同影响。
- 李昭宁王六定王小冬席彩萍沈中元赵景辉吴宏景
- 关键词：化学掺杂石墨纳米带第一性原理
- 催化剂膜厚对碳纳米管薄膜生长的影响被引量：4
- 2011年
- 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,以Ni为催化剂,在Si基底上沉积出定向性良好的碳纳米管。用扫描电镜表征了催化剂颗粒大小和相应的碳纳米管形貌。深入研究了催化剂膜厚对碳纳米管生长的影响。结果表明:不同厚度的催化剂薄膜经刻蚀形成的颗粒密度、尺寸、分布等对碳纳米管的合成质量起主要作用。催化剂厚度≤5 nm时,形成的颗粒密度较小而且分布不均,制备的碳纳米管产量低、定向性差。催化剂厚度≥15 nm时,形成的颗粒较大,粘连在一起,生长时大部分被非晶碳包覆,几乎没有碳纳米管的生长。催化剂厚度为10 nm时,形成的颗粒密度大、分布较均,制备的碳纳米管纯度高、定向性好。
- 王小冬王六定席彩萍李昭宁赵景辉
- 关键词：碳纳米管催化剂膜厚
