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王广才

作品数：74 被引量：44H指数：4
供职机构：南开大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇期刊文章
  • 21篇专利
  • 17篇会议论文
  • 3篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 23篇电气工程
  • 11篇电子电信
  • 9篇理学
  • 7篇自动化与计算...
  • 4篇化学工程
  • 4篇机械工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇航空宇航科学...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 39篇电池
  • 33篇太阳电池
  • 13篇非晶硅
  • 12篇叠层
  • 12篇钙钛矿
  • 8篇叠层太阳电池
  • 8篇硅太阳电池
  • 8篇非晶硅太阳电...
  • 6篇叠层电池
  • 6篇硅电池
  • 6篇硅
  • 5篇电极
  • 5篇镀膜
  • 5篇太阳模拟
  • 5篇太阳模拟器
  • 5篇衬底
  • 4篇异质结
  • 4篇太阳能
  • 4篇微晶硅
  • 4篇均匀性

机构

  • 74篇南开大学
  • 3篇天津市光电子...
  • 2篇教育部
  • 1篇沈阳理工大学
  • 1篇中国华能集团...
  • 1篇北京捷造光电...

作者

  • 74篇王广才
  • 47篇张晓丹
  • 47篇赵颖
  • 36篇魏长春
  • 25篇张德坤
  • 22篇陈新亮
  • 21篇侯国付
  • 21篇许盛之
  • 19篇黄茜
  • 17篇任慧志
  • 15篇王静
  • 13篇孙建
  • 11篇丁毅
  • 10篇白立沙
  • 9篇耿新华
  • 7篇李菁
  • 7篇李宝璋
  • 7篇倪牮
  • 6篇杨旭
  • 6篇张建军

传媒

  • 6篇自动化与仪器...
  • 5篇物理学报
  • 4篇太阳能学报
  • 4篇人工晶体学报
  • 2篇光电子．激光
  • 2篇真空与低温
  • 2篇半导体杂志
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇光学学报
  • 1篇计算机应用
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇南开大学学报...
  • 1篇中国科技论文
  • 1篇第13届中国...
  • 1篇第十四届中国...
  • 1篇第二届新型太...

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2021
  • 10篇2020
  • 9篇2019
  • 5篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 12篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2010
  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
共 74 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
溅射制备二氧化钛电子传输层及其在平面型钙钛矿太阳电池中的应用
平面型有机/无机混合金属卤化物钙钛矿太阳电池由于其制备工艺简单及开路电压高等特点引起了广泛的关注[1]。溅射法制备致密二氧化钛（TiO2）电子传输层的平面型钙钛矿太阳电池具有较高光电转换效率[2]。溅射的TiO2薄膜具有...
范琳梁俊辉邢宇姚鑫魏长春张德坤王广才赵颖张晓丹
关键词：平面型溅射
文献传递
一种减反射膜的制备方法及叠层太阳电池
一种减反射膜的制备方法及叠层太阳电池。所述减反射膜的制备包括：在衬底上制备绒度结构；在绒度结构表面均匀涂布一层固化胶；对固化胶进行固化处理；将绒度结构衬底与固化胶分离，得到具有绒度结构的减反射膜。该减反射膜可用于叠层太阳...
张晓丹韩灿侯福华魏长春任慧志李跃龙黄茜陈新亮侯国付张德坤许盛之王广才丁毅徐文涛罗景山赵颖
文献传递
非晶硅锗单结电池的研究
1997年
ｐ／ｉ和ｉ／ｎ界面对ａＳｉＧｅ单结电池的性能影响较大，提高电池性能的关键是减小界面复合。选择适当的工艺条件，获得了效率为２０１％的ａＳｉＧｅ单结电池。
王广才孙建耿新华孙云李洪波刘世国陆靖谷
关键词：电池
Ag纳米颗粒在p/AZO界面辅助空穴传输中的应用
内容大纲1.研究背景与内容2.研究内容与讨论2.1 基于AZO溅射后腐蚀衬底的Ag 纳米颗粒高功函数界面制备2.2 Ag纳米颗粒对a-Si:H 及a-Si:H/μc-Si:H电池影响2.3 Ag纳米颗粒辅助空穴传输机理研...
李天天张奇星倪牮白立沙方家王奉友张德坤孙健魏长春王广才赵颖张晓丹
温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响
2021年
锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域。InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能。采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比。采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获得不同薄膜温度下InSb薄膜中Sb/In摩尔比与蒸发舟内Sb与In颗粒摩尔比之间的经验公式,真空镀膜的薄膜温度不宜超过200℃。同时,采用高压氮气保护可以有效抑制高温退火后InSb薄膜中Sb的逃逸现象。这为InSb薄膜的真空制备提供了有益的借鉴。
欧琳王静林兴赵勇惠一恒胡鹏飞王广才
关键词：INSB摩尔比气压真空镀膜
一种以双光源多种滤色片实现高光谱匹配度的太阳模拟器
一种以双光源多种滤色片实现高光谱匹配度太阳模拟器，由氙灯及其椭球面反射镜、氙灯滤色片组、卤素灯及其椭球面反射镜、卤素灯滤色片组、半透半反射镜、积分器、快门、平面反射镜、准直透镜和工作平台组成，氙灯及其椭球面反射镜和卤素灯...
王广才李菁高园缘赵颖
文献传递
非晶硅太阳电池BZO/p-a-SiC:H接触特性改善的研究被引量：1
2013年
采用重掺杂的p型微晶硅来改善前电极掺硼氧化锌(ZnO:B)和窗口层p型非晶硅碳(p-a-SiC)之间的非欧姆接触特性.通过优化插入层p型微晶硅的沉积参数(氢稀释比H2/SiH4、硼掺杂比B2H6/SiH4)获得了较薄厚度下(20nm)暗电导率高达4.2S/cm的p型微晶硅材料.在本征层厚度约为150nm,仅采用Al背反射电极的情况下,获得了效率6.37%的非晶硅顶电池(Voc=911mV,FF=71.7%,Jsc=9.73mA/cm2),开路电压Voc和填充因子FF均较无插入层的电池有大幅提升.
王利张晓丹杨旭魏长春张德坤王广才孙建赵颖
关键词：氧化锌
非晶硅太阳电池BZO/p-a-SiC:H 接触特性改善的研究
引入重掺杂的p 型微晶硅来改善前电极掺硼氧化锌(ZnO:B)和窗口层p 型非晶硅碳之间的非欧姆接触特性. 详细研究了插入层p 型微晶硅的厚度,沉积参数变化(H2/SiH4、B2H6/SiH4)对非晶硅顶电池性能的影响. ...
王利张晓丹杨旭熊绍珍魏长春张德坤王广才孙建赵颖
关键词：P-TYPEMICROCRYSTALLINESILICONAMORPHOUSSILICONTOP
大面积非晶硅/微晶硅叠层太阳电池组件中试生产技术研发
赵颖张晓丹任慧志魏长春葛洪许盛之张德坤王宗畔孙建侯国付张建军陈新亮耿新华王广才熊绍珍黄茜
1、针对平行板电极VHF-PECVD反应室，建立了准平面二维电路模型，应用该模型实现功率馈入点数量及位置的优化计算；应用HFSS三维电磁场仿真软件，通过对大面积VHF-PECVD反应室电磁场进行仿真计算，提出采用刻槽式电...
关键词：
关键词：太阳电池组件生产线
高速沉积高效非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳电池及组件
耿新华张晓丹侯国付魏长春陈新亮赵颖张建军张德坤孙建任慧志王广才许盛之熊绍珍王宗畔黄茜
1.提出气体滞留时间是提高高速沉积微晶硅材料质量的关键因素，实验获得调控气体滞留时间简单有效的方法是调节反应气体流量。实验和理论相结合获得微晶硅薄膜沉积速率在1.0nm/s以上时，气体在腔室中的滞留时间最高不能超过0.0...
关键词：
关键词：薄膜太阳电池
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