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王耘波

作品数:141 被引量:277H指数:7
供职机构:华中科技大学更多>>
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相关领域:电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

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主题

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作者

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传媒

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年份

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  • 13篇2007
  • 6篇2006
  • 8篇2005
  • 13篇2004
  • 2篇2003
141 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Sol-Gel法制备硅基钛酸铋铁电薄膜被引量:3
2004年
介绍溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备Bi4Ti3O12薄膜的工艺过程;对前驱体溶液进行了综合热分析,并对薄膜的性质进行了研究;成功地在p-Si衬底上制备出随机取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜。在650°C下退火30min得到的Bi4Ti3O12薄膜的剩余极化强度Pr=12μC/cm2,矫顽场强Ec=130kV/cm。
郭冬云王耘波于军李建军周春兰王雨田魏龙
关键词:SOL-GEL法BI4TI3O12铁电薄膜
磁电子学的应用进展被引量:9
2001年
把磁性元件和电子学元件结合起来的磁电子学器件 ,已开始出现实验室和商业化产品。本文介绍了磁电子学在计算机读出磁头、随机存取存储器、磁传感器、自旋晶体管和自旋阀晶体管中的应用 ,描述了它们的工作原理。
颜冲于军王耘波周文利高俊雄周东祥
关键词:巨磁电阻随机存取存储器传感器自旋晶体管磁电子学
SmSrMnO巨磁电阻材料晶格不稳定性研究被引量:2
1999年
对Sm 2/3Sr1/3 MnO3+ δ巨磁电阻材料样品在77 K 至室温范围进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱测量.结果显示,正电子平均寿命τm 随着温度的降低在200~150 K 温区出现与晶格结构不稳定有关的反常下降, 这一过程发生在磁有序起始温度之前;而伴随着绝缘体-金属型转变(115 K),多普勒展宽谱参数S明显增加,表明了电子的离域化.
王耘波于军周文利魏龙
关键词:巨磁电阻材料锰氧化物钙钛矿型
稀磁半导体研究的最新进展
本文系统地对于DMS的发展历史及研究现状进行了归纳总结,介绍了稀磁半导体特殊性质和机理,概述了目前DMS材料的制备方法,并对于DMS的应用前景和将来的研究方向进行了展望.
李东王耘波于军王宝义魏龙
关键词:稀磁半导体居里温度分子束外延法
文献传递
一种A位Pr掺杂BTO薄膜材料及其制备方法
本发明涉及信息存储薄膜材料领域,公开了一种A位Pr掺杂BTO薄膜材料,它是由镨、铋、钛和氧离子组成的,其组成分子式为Bi<Sub>(4-11x/9)</Sub>Pr<Sub>x</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<...
于军吴云翼王耘波周文利高俊雄李建军郑朝丹刘心明
文献传递
铁磁性多层膜的巨磁电阻效应和自旋晶体管被引量:1
2000年
简述了铁磁性多层膜的巨磁电阻效应和自旋阀巨磁电阻效应产生的物理机制。介绍了新型微电子器件自旋晶体管和自旋阀晶体管的工作原理。由于自旋晶体管优良的性能,在计算机和通讯领域有广泛的应用前景。
颜冲王耘波周文利刘刚于军
关键词:巨磁电阻效应自旋晶体管
中子辐照砷化镓的快速退火行为的正电子寿命研究被引量:6
1997年
用正电子湮没技术研究了中子辐照半绝缘GaAs的快速退火行为。结果表明:辐照引入的空位缺陷浓度与辐照剂量有关。退火过程中的空位团的分解和聚合与退火温度和辐照剂量关。
刘键王佩璇王耘波王文华魏龙张天保
关键词:中子辐照正电子湮没快速退火砷化镓
La_(1-x)Ca_xMnO_3中Ca含量对电子结构的影响被引量:4
2002年
对不同Ca含量的La1-xCaxMnO3 系列样品 (其中 0 .0 5≤x≤ 0 .80 )在室温下进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱的测量 .结果表明 :对应于出现巨磁阻效应的Ca成分范围 (0 .30≤x≤ 0 .5 0 ) ,正电子的平均寿命τm 和多普勒谱S参数明显降低 。
王耘波郭冬云于军魏龙
关键词:电子结构正电子湮没技术钙钛矿结构氧化物超导体
几种新型非易失性存储器被引量:6
2004年
本文简单介绍了铁电存储器、磁性随机存储器和相变存储器这三种比较有发展潜力存储器的原理、研究进展及存在的问题等。
王耘波李东郭冬云
关键词:非易失性存储器铁电存储器磁性随机存储器相变存储器
小型SC切恒温晶体振荡器的研制被引量:4
2002年
论述了高稳定度、小体积恒温晶体振荡器 (OCXO)的热学结构设计和测温控温方法。采用 SC切三次泛音石英晶体谐振器作为振荡元件 ,利用 DS1 82 0作为温度探测器 ,以 PIC1 6 F84作为微控制器 ,通过 PID算法和脉宽调制技术 (PWM)对振荡电路进行温度调节与控制 ,以达到恒温目的。研制出体积为 40 mm× 40 mm× 1 4mm、频温特性达 1 0
蔡林洋刘刚高俊雄王耘波喻骞宇
关键词:恒温晶体振荡器频温特性
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