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田晓丽

作品数：84 被引量：19H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 74篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 23篇晶体管
  • 16篇绝缘栅
  • 15篇双极晶体管
  • 15篇碳化硅
  • 12篇绝缘栅双极晶...
  • 12篇IGBT器件
  • 11篇击穿电压
  • 9篇离子
  • 9篇场限环
  • 9篇衬底
  • 7篇导电类型
  • 7篇氧化层
  • 7篇终端
  • 7篇SIC
  • 6篇电压
  • 6篇栅极
  • 6篇漂移
  • 6篇外延层
  • 6篇肖特基
  • 6篇沟槽

机构

  • 84篇中国科学院微...
  • 7篇中国科学院大...
  • 5篇江苏物联网研...
  • 4篇江苏中科君芯...
  • 3篇上海联星电子...
  • 1篇淄博美林电子...
  • 1篇株洲中车时代...

作者

  • 84篇田晓丽
  • 57篇刘新宇
  • 57篇白云
  • 51篇杨成樾
  • 47篇汤益丹
  • 43篇陈宏
  • 22篇陆江
  • 20篇朱阳军
  • 19篇卢烁今
  • 12篇吴振兴
  • 9篇王盛凯
  • 6篇赵佳
  • 4篇左小珍
  • 4篇孙宝刚
  • 3篇滕渊
  • 3篇张广银
  • 3篇张文亮
  • 2篇杨飞
  • 2篇张有润
  • 1篇韩郑生

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇微电子学
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇电源学报
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 1篇2024
  • 7篇2023
  • 13篇2022
  • 6篇2021
  • 9篇2020
  • 13篇2019
  • 7篇2018
  • 6篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 6篇2014
  • 6篇2013
  • 3篇2012
共 84 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SiC衬底的图形化方法
本发明提供了一种SiC衬底的图形化方法。该图形化方法包括以下步骤：S1，在SiC衬底的表面形成刻蚀窗口，对应刻蚀窗口的SiC衬底的表面裸露；S2，形成覆盖于刻蚀窗口的金属层，使与SiC衬底接触的金属层与SiC衬底发生硅化...
杨成樾王臻星白云汤益丹陈宏田晓丽刘新宇
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微穿通型IGBT器件及其制作方法
本发明公开了一种微穿通型IGBT器件，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型的集电区、第二导电类型的漂移区、第一导电类型的阱区以及第二导电类型的源区；栅极；位于集电区与漂移区之间的第二导电类型的微穿通区，所述微穿通区的掺杂...
朱阳军田晓丽孙宝刚卢烁今
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一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法
本发明公布了一种碳化硅双沟槽MOSFET器件有源区的制备方法。该方法只需通过两次光刻即可实现栅沟槽、源沟槽的两次刻蚀以及P‑、P+和N+有源区的三次离子注入。其中，栅沟槽刻蚀和P‑、N+注入通过一次光刻和两次自对准工艺实...
杨成樾白云汤益丹陈宏田晓丽王臻星刘新宇
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紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种紫外探测器及其制备方法，所述紫外探测器包括：按自下而上的顺序依次设置的N<Sup>+</Sup>型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC集电区、P型SiC基区、N型Ga<Sub>2</Sub>O<Sub...
白云杨成樾汤益丹陈宏田晓丽刘新宇
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N沟道SiC IGBT器件的制作方法
本说明书提供一种N沟道SiC IGBT器件的制作方法，包括：形成重掺杂的N型SiC衬底；在SiC衬底的C面生成P型重掺杂SiC集电层，在SiC衬底的Si面生成N型轻掺杂的SiC漂移层；在SiC漂移层的Si面制作MOS结构...
冯旺田晓丽杨雨白云陆江刘新宇
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结终端延伸结构及其制造方法
本发明公开了一种结终端延伸结构，包括：第一导电类型的集电区；集电区上的第二导电类型的漂移区；漂移区上的第一导电类型的主结区以及主结区一侧的第一导电类型的延伸区；延伸区之外的第二导电类型的截止环；以及至少部分覆盖所述主结区...
田晓丽朱阳军吴振兴卢烁今
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一种4H-SiC MOSFET功率器件及其制造方法
本发明公开了一种4H‑SiC MOSFET功率器件及其制造方法，该功率器件包括：源极(1)、SiO<Sub>2</Sub>层间介质(2)、栅极(3)、栅氧化层(4)、P+接触区(5)、N+源区(6)、P阱(7)、额外注入...
宋瓘白云陈宏汤益丹杨成樾田晓丽陆江刘新宇
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IGBT器件及其制作方法
本发明实施例公开了一种IGBT器件及其制作方法，该方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、位于所述本体层表面内的阱区和源区以及位于所述本体层表面上的第一栅介质层和栅区；在所述阱区内形成掺杂区，所述掺杂区的横向宽度未深入到...
孙宝刚吴振兴朱阳军卢烁今赵佳田晓丽左小珍
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SiC氧化中SiC-SiO<Sub>2</Sub>界面碳残留浓度的测定方法及其应用
一种SiC氧化中SiC‑SiO<Sub>2</Sub>界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑SiO<Sub>2</Sub>界面的碳化硅衬底，所述包含SiC‑SiO<Sub>2</Sub>界面的碳化硅衬底由S...
刘新宇王盛凯白云汤益丹韩忠霖杨成樾田晓丽陈宏
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基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法
一种基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法，包括：步骤一、提供碳化硅衬底，将碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；步骤二、加入含氧气体，在交流电压下产生氧等离子体；步骤三、通过所述交流电压控制所述氧等离子体中的氧离...
刘新宇王盛凯白云汤益丹韩忠霖田晓丽陈宏杨成樾
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