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程耀进

作品数:16 被引量:50H指数:4
供职机构:北方夜视科技集团有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省科学技术研究发展计划项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 12篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇增强器
  • 5篇微光像增强器
  • 5篇像增强器
  • 4篇光电
  • 2篇透射
  • 2篇透射式
  • 2篇气密
  • 2篇气密性
  • 2篇微通道板
  • 2篇稳定性
  • 2篇灵敏度
  • 2篇敏度
  • 2篇近贴聚焦
  • 2篇光电发射
  • 2篇分辨力
  • 2篇
  • 2篇MCP
  • 2篇成像器
  • 2篇成像器件
  • 1篇电场

机构

  • 7篇西安应用光学...
  • 4篇微光夜视技术...
  • 4篇北方夜视科技...
  • 2篇南京理工大学
  • 1篇西安工业大学

作者

  • 16篇程耀进
  • 7篇师宏立
  • 7篇徐江涛
  • 4篇刘蓓蓓
  • 4篇李敏
  • 4篇刘峰
  • 2篇郭晖
  • 2篇何伟基
  • 2篇李敏
  • 2篇张太民
  • 2篇徐珂
  • 2篇侯志鹏
  • 2篇刘峰
  • 2篇侯志鹏
  • 1篇成伟
  • 1篇徐均琪
  • 1篇惠迎雪
  • 1篇陈钱
  • 1篇司马博羽
  • 1篇苏俊宏

传媒

  • 5篇应用光学
  • 5篇真空电子技术
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇第10届全国...

年份

  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MCP参数对微光像增强器分辨力影响研究被引量:5
2010年
为了全面分析微通道板(MCP)参数对微光像增强器分辨力的影响,利用电子散射理论分析了MCP输出电子横向散射和MCP非开口面的电子散射情况,得到了MCP通道间距、输出电极结构和开口面积比等参数对微光像增强器分辨力的影响。分析结果指出:通过减小通道间距、采用MCP输出面镀多层电极或增加MCP输出端电极深度实现减小MCP输出电子横向扩散、增加开口面积比等,提高整个微光像增强器的分辨力。试验证明该方法有助于提高微光像增强器分辨力。
程耀进石峰郭晖朱宇峰袁晓曼
关键词:微通道板微光像增强器分辨力
GD09-039基于EMCCD的光子计数成像方法与实验
讨论了在复杂背景条件下采用EMCCD实现光子计数成像的处理策略,提出了一种二次阈值滤波方法并通过实验验证其有效性。根据EMCCD的成像模型,将EMCCD的输出图像表示为光子事件、偏置噪声和伪光子噪声事件的集合。通过采集多...
张龙何伟基顾国华程耀进成伟
关键词:电子倍增CCD
文献传递
微光像增强器近贴距离在线测试方法研究被引量:2
2009年
鉴于近贴距离尤其第一近贴距离是影响分辨力最重要的因素,提出一种新的微光像增强器近贴距离在线测试方法。应用平行平板电容器原理,通过测量阴极面和微通道板输入面之间的电容值来测量第一近贴距离。利用多组电容值和第一近贴距拟合出二者的函数关系式,通过精度分析,对函数关系式进行了修订及验证,测量最大偏差11.9%,满足精度要求。借助在线监控测试第一近贴距离,使压封过程处于受控状态,以便实现近贴距离的精密调控,达到提高微光像增强器分辨力的目的。该方法可推广到其他小间距的在线监控测试。
程耀进郭晖
关键词:微光像增强器
三代像增强器透射式GaAs阴极光电发射稳定性研究
2013年
为了解决三代像增强器管内阴极灵敏度下降问题,用质谱计对激活工艺过程进行质量检测,并确定了激活工艺参数,通过对阴极原子级洁净表面获得和激活铯、氧提纯工艺参数优化研究,对制备的透射式GaAs阴极光电发射稳定性进行在线试验,结果表明:在10-9 Pa真空环境中,优化工艺激活的光电阴灵敏度(1 500μA/lm)稳定,而且500h不下降,铟封到管内的阴极灵敏度下降与真空度降低和有害气体污染有关。
徐江涛程耀进刘峰李敏刘蓓蓓
关键词:透射式光电发射稳定性
波动式管体焊料真空浇注器
本发明公开了一种波动式真空浇注器,用于微光像增强器铟封工艺。该浇注器包括带旋钮和压杆的波动导向组件、带闸门杆、焊料池的焊料池组件、管体定位夹具和进料筒。使用时,焊料池、管体分别通过波动导向组件和管体定位夹具以分离方式固定...
徐江涛程耀进侯志鹏张晓辉闫磊刘蓓蓓杨天海刘峰师宏立李敏祝婉娉
文献传递
电真空器件管壳耐压特性分析
2005年
本文指出了电真空器件的高压放电和击穿类型,真空击穿和沿面闪络的物理机理、影响因素和预防措施。
程耀进程宏昌师宏立李敏
关键词:电真空器件沿面闪络耐压强度
提高X光像增强器综合性能的研究
X光像增强器是一种新颖的光电成像器件,其综合能力甚佳,用途很广.但由于它的分辨率只有4lp/mm,大大限制了它在工业探伤和微电子器件检测的使用用途.本文系统地论述了影响X光像增强器各项性能指标的因素,包括亮度、分辨率、噪...
程耀进
关键词:亮度分辨率噪声烘烤温度烘烤时间
文献传递
近贴聚焦成像器件光电阴极传递封接工艺研究被引量:1
2009年
依据近贴聚焦系列成像器件研究的需要,开展了光电阴极真空传递封接工艺研究,并且结合器件的研制对封接工艺质量进行了可靠性的考核。结果证明,用InSn合金焊料进行光电阴极真空传递封接,其工艺稳定,性能质量可靠,封接气密性成品率高。这种工艺除了用于成像器件的研究和生产外,也可用于非匹配材料的气密性封接,具有广泛的应用前景。
程耀进徐江涛徐珂侯志鹏师宏立刘峰
关键词:近贴聚焦成像器件气密性
不同场强分布的1064nm激光减反膜损伤特性被引量:6
2012年
设计了两种具有不同场强分布的1 064nm减反射膜结构,即G/H3L/A和G/M2HL/A。采用离子束辅助沉积技术,在K9基底上制备了薄膜,并对薄膜在强激光下的损伤斑形貌及损伤阈值(LIDT)进行了测量。研究结果表明:薄膜的场强分布不同,其抗强激光的能力也不相同。当两种膜系的电场强度(归一化电场强度平方)在薄膜-空气界面处分别为1.039和0.906时,对不同的激光能量(180,150和120mJ),样品G/H3L/A的表面破损斑尺寸均大于样品G/M2HL/A;两种薄膜的激光损伤阈值分别为12.3J/cm2和14.8J/cm2(激光波长为1 064nm,12ns)。这说明,较小的薄膜-空气界面电场强度,有利于激光损伤能力的提高。因此,对于减反射薄膜,在膜系设计时,采用合理的场强分布,降低薄膜-空气界面的电场强度,可以有效改善薄膜的激光损伤特性。
徐均琪苏俊宏惠迎雪程耀进
关键词:电场激光损伤阈值
三代微光像增强器分辨力计算理论模型被引量:18
2007年
分辨力和传递函数MTF是微光像增强器的2个重要参数。长期以来,人们对于三代微光像增强器阴极发出的电子初能量分布没有统一的认识,从而没有一个公认的分辨力和MTF计算模型。通过理论分析和假设,给出一定条件下一个分辨力计算模型。把实际测得的第一近贴距、第二近贴距、阴极电压和荧光屏电压等数值代入分辨力计算模型中,可以得到分辨力理论值。经与实际测量值进行比对,发现二者偏差值在12.3%以内,此理论模型基本符合实际需求。该分析方法和所得结果有一定实用价值,可作为设计三代微光像增强器的技术参考。
程耀进向世明师宏立
关键词:三代微光像增强器分辨力MTF
共2页<12>
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