您的位置: 专家智库 > >

罗丽明

作品数:12 被引量:47H指数:6
供职机构:中国科学院安徽光学精密机械研究所更多>>
发文基金:安徽省重点科研计划项目更多>>
相关领域:一般工业技术理学化学工程机械工程更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇纳米
  • 5篇氮化
  • 5篇氮化硅
  • 3篇钨酸
  • 3篇晶体
  • 3篇光谱
  • 3篇粉体
  • 2篇气相
  • 2篇气相沉积
  • 2篇气相沉积法
  • 2篇钨酸镉
  • 2篇纳米SI
  • 2篇纳米氮化硅
  • 2篇纳米粉
  • 2篇纳米粉体
  • 2篇晶体生长
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇化学气相沉积...
  • 2篇光学

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇中国科学院合...

作者

  • 12篇罗丽明
  • 7篇浦坦
  • 3篇王英俭
  • 3篇黄永攀
  • 3篇王锐
  • 3篇李道火
  • 2篇陶德节

传媒

  • 2篇光电子技术与...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇中国粉体技术
  • 1篇佛山陶瓷

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 5篇2004
  • 4篇2003
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
钨酸镉晶体生长及其闪烁性能的研究
以闪烁体为核心的闪烁探测器广泛应用于科研、医疗、工业生产等领域,在高能物理、核医疗技术上的应用更是关注的热点。钨酸镉(CWO)晶体性能优良,突出优点:对X射线吸收系数大、辐射长度短、辐照硬度大、发光与半导体光探测器的光谱...
罗丽明
关键词:钨酸镉
文献传递
激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅及粉体光谱特性研究被引量:11
2004年
氮化硅是优良的陶瓷材料,应用广泛。本文研究了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施,利用双光束激发制备了超微的、非晶纳米氮化硅粉体。实验证明,纳米氮化硅粉体具有一些特殊的物理性能和光谱特性。
王锐李道火黄永攀罗丽明浦坦
关键词:激光诱导化学气相沉积法纳米氮化硅光谱特性SI3N4
纳米Si_3N_4制备及光学特性研究被引量:6
2004年
为了制备高纯度的非晶纳米氮化硅粉体,在传统的激光诱导化学气相沉积法反应装置的基础上,加入正交紫外光束以激励NH3分解,从而提高气相中n(N)/n(Si)比,减少产物中游离硅的摩尔浓度.利用TEM技术和光谱分析技术研究了粒子的形貌和特性.结果表明:在一定的工艺参数条件下,可制备出粒径超微(7-15nm)、无团聚、理想化学剂量(n(N)/n(Si)=1.314)的非晶纳米氮化硅粉体;表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱和拉曼光谱的'蓝移'和'宽化'现象;采用双光束激励的激光诱导化学气相沉积法是制备高纯度纳米氮化硅粉体的理想方法.
王锐李道火黄永攀罗丽明浦坦
关键词:纳米氮化硅硅粉化学气相沉积法光束光学特性
扫描探针显微术及其在纳米科技中的应用被引量:2
2003年
综述了近二十年来以扫描隧道显微镜为代表的、基于探针的成像显微装置基本原理及应用领域。
王锐李道火黄永攀罗丽明浦坦
关键词:扫描隧道显微镜探针
CdWO_4闪烁晶体的生长及其光学性能的研究被引量:8
2006年
本工作生长出了57mm×45mm的大尺寸CdWO4单晶,并报道了该晶体的最佳生长工艺。对CdWO4原料的一次烧结物、生长炉壁的挥发物进行了XRD谱的测试分析,结果表明一次烧结可以得到基本成相的多晶料;生长原料CdO较WO3更易挥发。同时,测试了CdWO4晶体的一些光学性能,初步探讨了该晶体的发光特性,分析表明氧退火有利于提高晶体的透过率,这可能是由氧退火使氧空位减少所致。此外,该晶体的本征发光主要是由蓝、绿光所组成的。
罗丽明陶德节王英俭
关键词:晶体生长光学性能
激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅及粉体光谱特性研究被引量:7
2003年
研究了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施,利用双光束激发制备得到了超微的、非晶纳米氮化硅粉体。实验证明,纳米氮化硅粉体具有很多奇异物理性能和光谱特性。
王锐李道火黄永攀罗丽明浦坦
关键词:氮化硅纳米粉体红外吸收光谱拉曼光谱
纳米复合β—Ni(OH)2电极材料的制备与电化学性能
2003年
氢氧化镍(Ni(OH)2)是碱性二次电池的正极材料.本文采用化学沉淀法制备了纳米Ni(OH)2超微粉体.XRD检测证实晶型为β相.用TEM对粉体进行形貌分析,结果表明所得产物是颗粒状纳米晶,粒径20 nm左右.将纳米Ni(OH)2粉以10%的比例掺杂到常规球镍中制得纳米复合β-Ni(OH)2电极材料,其电化学容量和放电平台较常规球镍有很大提高.大电流放电时,纳米复合β-Ni(OH)2电极材料的电化学容量比常规球镍提高达40.9%.
王锐黄永攀李道火罗丽明浦坦
关键词:纳米粉体电极材料化学沉淀法
退火对钨酸镉晶体光谱性能影响的研究被引量:3
2008年
研究了提拉法生长的钨酸镉单晶在真空与氧气氛中退火对晶体透过率、激发发射光谱和荧光寿命等的影响,结果表明:氧退火有利于提高晶体的透过率与光产额,并在一定程度上提高了蓝光发射比例,提高了该晶体的能量分辨率,这可能是氧退火使晶体的氧空位减少,导致晶体在340~440nm由氧空位缺陷产生的吸收减弱所致.同时,氧退火有利于缩短晶体的荧光寿命,从而提高钨酸镉的时间分辨率.
罗丽明王英俭
关键词:钨酸镉退火光致发光闪烁体
双光束激励制备纳米氮化硅粉体被引量:8
2004年
介绍了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工艺原理。通过增加正交紫外光束激励NH3分解,提高气相中n(N)/n(Si)比,从而减少产物中游离硅的浓度,制备出粒径7~15nm的无团聚、理想化学剂量[n(N)/n(Si)=1.314]的非晶纳米氮化硅粉体。用透射电子显微镜观察了粉体形貌,并指出表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱的蓝移和宽化以及Raman光谱的蓝移现象。
王锐黄永攀罗丽明浦坦李道火
关键词:氮化硅
双光束激发改进纳米氮化硅合成工艺
2004年
氮化硅是优良的陶瓷材料,应用十分广泛。本文论述了激光诱导化学气相沉积法制备纳米氮化硅的工作原理,提出了减少游离硅的措施;采用双光束激发制备得到了超微非晶纳米氮化硅粉体。
王锐李道火黄永攀罗丽明浦坦
关键词:氮化硅合成技术陶瓷材料SI3N4
共2页<12>
聚类工具0