罗建东
- 作品数：5 被引量：7H指数：1
- 供职机构：深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 一种硅基X射线相位光栅制作方法及其制作装置
- 本发明提供了一种硅基X射线相位光栅制作方法和制作装置，光栅材料采用双面抛光的N型(100)硅片，通过制作刻蚀掩模版，定向刻蚀“V”字形沟道、在硅片背部制作透光导电层和进行光助电化学刻蚀，最后形成满足要求的X射线相位光栅。...
- 郭金川周彬牛憨笨许桂雯赵志刚雷耀虎罗建东
- 文献传递
- 一种硅基X射线相位光栅制作方法及其制作装置
- 本发明提供了一种硅基X射线相位光栅制作方法和制作装置，光栅材料采用双面抛光的N型(100)硅片，通过制作刻蚀掩模版，定向刻蚀“V”字形沟道、在硅片背部制作透光导电层和进行光助电化学刻蚀，最后形成满足要求的X射线相位光栅。...
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- 大面积高深宽比硅微通道板阵列制作被引量：6
- 2012年
- 利用光辅助电化学刻蚀方法,在厚度为425μm的5英寸硅片上,制作成深宽比达50以上的微通道板阵列结构.理论分析了影响微孔阵列形貌形成的关键因素,并结合实验条件,通过调整刻蚀电压值和根据莱曼模型修正实验电流值得到理想的孔壁形貌.结果表明,相比于目前在硅基上制作高深宽微结构的几种技术,光辅助电化学刻蚀方法能够实现孔壁光滑、面积大和深宽比高的微通道板阵列结构的低成本制作.
- 吕文峰周彬罗建东郭金川
- 关键词：微通道板
- 硅基微通道板微孔结构形貌的实验研究
- 2012年
- 硅基微通道板(MCP)的重要技术挑战之一就是如何在硅基上制作高深宽比的微孔阵列结构。采用光助电化学刻蚀方法研究硅基高深宽比微孔阵列制作技术。考虑到实际反应条件下的物质输送、刻蚀液浓度、光照条件、温度等因素的影响都体现在刻蚀电流与电压上,重点研究了电流、电压与微结构形貌之间的关系。通过空间电荷区的大小以及刻蚀电流与溶液浓度之间的关系,得到合理的刻蚀参数。在5inch(1inch=2.54cm)硅基上制作出深度达200μm以上的均匀深孔,得到大面积、高深宽比的均匀微孔阵列,满足微通道板对结构形貌的要求。
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- 关键词：光学器件空间电荷区
- 大面积高深宽比微结构硅片的热氧化实验研究被引量：1
- 2012年
- 利用大面积硅片制作X射线光栅和硅基微通道板等都涉及硅的热氧化工艺。热氧化使具有高深宽比微结构的大面积硅片产生形变,严重影响了这些器件的应用。本文以5英寸硅片为例,研究了硅基微结构在热氧化过程中的变形问题,定性分析了产生形变的力学因素,提出了减小形变的氧化方法。首先实验制作了具有高深宽比微结构的硅片,采用不同的氧化方法,比较了变形的大小。结果表明,通过控制热氧化过程中的温度来控制热膨胀系数和在热氧化过程中施加外部热塑应力等方法能够有效地减小热氧化变形量。
- 罗建东周彬吕文峰雷耀虎郭金川牛憨笨
- 关键词：硅热氧化高深宽比热膨胀系数
