翟东媛
- 作品数：14 被引量：7H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 导电聚合物及其合成方法、表面覆盖有所述导电聚合物的电活性电极
- 本发明涉及导电聚合物、其合成方法及表面覆盖有所述导电聚合物的电活性电极。所述导电聚合物的合成方法为，以多元酸作为掺杂剂和交联剂，使单体聚合得到导电聚合物水凝胶，所述单体为吡咯或其衍生物、噻吩或其衍生物、苯胺或其衍生物中的...
- 潘力佳翟东媛施毅邱浩
- 文献传递
- 一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件
- 本发明公开了一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N-外延层，位于N+半导体衬底上；N-外延层上加工阶梯状的沟槽结构；梯形沟槽内壁生长氧化层；N-外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面...
- 蔡银飞翟东媛赵毅施毅
- 沟槽式肖特基势垒二极管电学性能研究
- 自从平面肖特基二极管产生以来,就受到了人们的高度关注。平面肖特基二极管具有优异的高频特性和较低的正向开启电压,这些独特的性质使得其在太阳能电池,开关电源、汽车以及手机等多个领域都有着巨大的应用潜力。但是,在反向偏压下,镜...
- 翟东媛
- 关键词：肖特基二极管击穿电压
- 文献传递
- 在石墨烯上负载铂纳米颗粒的制备方法
- 在石墨烯上负载铂纳米颗粒的制备方法，制备的步骤如下：(1)取还原的石墨烯超声分散在乙二醇溶液中，再加入1-芘甲胺的乙二醇溶液，石墨烯、乙二醇和1-芘甲胺的乙二醇溶液的比(mg∶ml∶ml)为1∶8-20∶1-1.5；1-...
- 李文博翟东媛潘力佳邱浩庞欢施毅
- 导电高分子/碳纳米管复合介孔纳米管的制备方法
- 导电高分子/碳纳米管复合介孔纳米管的制备方法，(1)先在碳纳米管上生长一层MnO<Sub>2</Sub>层，将碳纳米管和0.01M～1M高锰酸钾水溶液混合，在50～100℃温度条件下反应1～20小时，通过过滤法分离，得到...
- 潘力佳李文博翟东媛施毅濮林
- 文献传递
- 高抗ESD瞬态电压抑制器的研究被引量：3
- 2013年
- 瞬态电压抑制器是一种用来保护芯片的分立器件,它能有效避免芯片受到高能瞬态脉冲的损坏。目前,静电损伤已经成为造成电子设备损坏的一个主要因素,为了能更好更有效地保护芯片,需要瞬态电压抑制器将高能脉冲钳位在一个对其本身和芯片都没有损伤的电位下,同时尽快将电流通过瞬态电压抑制器自身泄放掉。本文通过结构设计的改进,对一种常用的平面结构单向瞬态电压抑制器的反向三极管进行优化,通过TLP测试,并结合Tsuprem4、Medici的模拟和理论分析显示,这种改进方法使得瞬态电压抑制器具有了更强的抗静电放电的能力,从而可以更好地保护电子设备。
- 杨周伟翟东媛
- 关键词：瞬态电压抑制器三极管集电极集电装置ESD
- 导电高分子/碳纳米管复合介孔纳米管的制备方法
- 导电高分子/碳纳米管复合介孔纳米管的制备方法，(1)先在碳纳米管上生长一层MnO<Sub>2</Sub>层，将碳纳米管和0.01M～1M高锰酸钾水溶液混合，在50～100℃温度条件下反应1～20小时，通过过滤法分离，得到...
- 潘力佳李文博翟东媛施毅濮林
- 文献传递
- 沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性的影响被引量：3
- 2014年
- 随着对电子产品节能环保要求的提高,对广泛应用于电子产品的肖特基二极管电学性能的要求也越来越高.含金属-氧化物-半导体结构的沟槽式肖特基二极管(trench barrier Schottky diodes,TMBS)由于其优异的性能而备受青睐.沟槽结构对提高肖特基二极管性能起着至关重要的作用,但是关于沟槽形状对二极管电学性能的影响尚未见有深入的研究报道.本文提出了两种新型的沟槽结构——圆角沟槽和阶梯型沟槽.通过模拟研究发现,圆角沟槽与传统的直角沟槽TMBS器件相比,在维持同样的漏电流和正向导通电压的条件下,击穿电压可以提高15.8%.阶梯沟槽与传统直角沟槽TMBS器件相比,可以在击穿电压不减小的情况下,漏电降低35%,正向导通电压仅略有增加.这归结于圆角沟槽和阶梯沟槽对有源区内部电场强度分布的调节.
- 翟东媛赵毅蔡银飞施毅郑有炓
- 关键词：肖特基二极管
- 导电聚合物及其合成方法、表面覆盖有所述导电聚合物的电活性电极
- 本发明涉及导电聚合物、其合成方法及表面覆盖有所述导电聚合物的电活性电极。所述导电聚合物的合成方法为，以多元酸作为掺杂剂和交联剂，使单体聚合得到导电聚合物水凝胶，所述单体为吡咯或其衍生物、噻吩或其衍生物、苯胺或其衍生物中的...
- 潘力佳翟东媛施毅邱浩
- 低电容单向瞬态电压抑制器
- 本发明提供一种单向低电容瞬态电压抑制器及其制作工艺，其中该抑制器包括P+半导体衬底，位于P+衬底上的P-外延层，所述的P-外延层上从左到右依次设有第一N阱，第一P+有源注入区，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱...
- 赵杰翟东媛赵毅
- 文献传递
