范玉佩
- 作品数：5 被引量：31H指数：3
- 供职机构：江海职业技术学院更多>>
- 发文基金：江苏省科技厅基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaN基LED电极优化的光效研究
- 通过有限元方法模拟GaN基蓝光LED的电极结构对载流子分布的影响,并利用光线追踪模型对出光效率进行模拟,最终得到不同的电极结构对光提取效率的影响,由于氮化镓材料中的极化效应会影响发光二极管量子阱内的载流子分布,进而影响器...
- 范玉佩林岳明张俊兵曾祥华
- 关键词：氮化镓极化效应电流分布光提取效率
- 文献传递
- GaN基LED的图形衬底优化研究
- 2013年
- 设计了方形和阶梯状两大类的图形化蓝宝石衬底(PSS),使用Crosslight公司的工艺软件CSuprem建立了三维的方形和阶梯状两类图形衬底GaN LED器件,然后使用APSYS软件模拟计算出它们的光电特性。并且对方形图形衬底的刻蚀深度进行了优化,通过对模拟结果的比较得到刻蚀深度与边长的比值为0.4时,这种方形图形衬底GaN LED的光提取效率最高,且比平面衬底提高了20.13%。对阶梯状图形衬底的阶梯层数进行了比较,发现随着阶梯层数的增加,光提取效率也随着增加,阶梯状层数为5时,光提取效率比平面衬底提高了30.03%。并对方形PSS LED进行了实验验证。
- 范玉佩曾祥华顾长华刘宝琴王坚张乾
- 关键词：氮化镓发光二极管极化效应图形衬底光提取效率
- GaN基蓝光LED的多量子阱结构优化被引量：3
- 2011年
- 基于量子阱结构中载流子遂穿势垒原理,使用APSYS软件模拟不同条件下具有不同垒高、垒宽及阱宽的发光二极管(LED)的I-V特性、光强和内量子效率(IQE)的变化,发现自发发射光谱存在红移现象。通过与传统LED的多量子阱(MQW)参数比较发现,当阱宽为2 nm、垒宽为4 nm、垒中In含量为0.08和驱动电流为20mA时,电压降低了18.43%,光强增加了11.46%,红移现象减小了5 nm。研究结果可为LED芯片的应用设计提供参考。
- 雷亮曾祥华范玉佩张勇
- 关键词：光谱强度
- 图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制被引量：12
- 2010年
- 采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试。PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm,深度为864 nm,呈六角形分布。与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性。
- 张俊兵林岳明范玉佩王书昶曾祥华
- 关键词：光提取效率ICP
- ZnS掺Ag与Zn空位缺陷的电子结构和光学性质被引量：16
- 2011年
- 本文基于第一性原理平面波赝势(PWP)和广义梯度近似(GGA)方法,对ZnS闪锌矿结构本体、掺入p型杂质Ag和Zn空位超晶胞进行结构优化处理.计算了三种体系下ZnS材料的电子结构和光学性质,并从理论上给出了p型ZnS难以形成的原因.详细分析了其平衡晶格常数、能带结构、电子态密度分布和光学性质.结果表明在Ag掺杂与Zn空位ZnS体系中,由于缺陷能级的引入,禁带宽度有所减小,在可见光区电子跃迁明显增强.
- 李建华曾祥华季正华胡益培陈宝范玉佩
- 关键词：硫化锌电子结构光学性质
