董大为
- 作品数：5 被引量：38H指数：3
- 供职机构：天津大学化工学院杉山表面技术研究室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程一般工业技术更多>>
- 铜/钴纳米多层膜的电化学制备及表征被引量：13
- 2002年
- 纳米金属多层膜由于其巨磁电阻性能而受到人们的重视。采用双脉冲控电位技术在单晶硅上沉积铜 /钴纳米多层膜。测量了电沉积过程中的阴极极化曲线及电流 -时间曲线 ,确定了沉积电位 ;利用扫描电子显微技术及X射线衍射技术观察了沉积层的断面形貌及晶体结构。结果表明 ,沉积层结构清晰、连续 ,各子层厚度均匀。
- 赵瑾董大为张卫国姚素薇
- 关键词：电化学电沉积
- 单晶硅上电沉积Cu/Co纳米多层膜及其巨磁电阻效应被引量：16
- 2004年
- 采用双脉冲控电位技术在单晶硅上沉积了一系列Cu/Co纳米多层膜 ,调制波长从 2 0 0nm到 5nm不等 .用扫描电镜及X射线衍射对多层膜的调制结构进行了表征 .采用四探针法测试多层膜的巨磁电阻 (GMR)效应 ,研究了GMR与调制波长 (λ)、铜的子层厚度 (δCu)的关系 :λ较大时 ,没有观察到明显的GMR效应 ;λ <30nm时 ,GMR效应随λ减小而增大 ;而λ <8nm时 。
- 姚素薇赵瑾张卫国董大为
- 关键词：单晶硅电沉积巨磁电阻纳米材料
- 在Si(111)上电沉积Cu/Co超晶格多层膜及其巨磁电阻效应
- 在单晶硅上控电位沉积了Cu/Co超晶格多层膜,通过扫描电镜及X射线衍射对多层膜进行了表征.利用四探针法研究了镀层的巨磁电阻(GMR)效应与调制波长(λ)、铜层厚度的关系.λ较大时,没有观察到明显的GMR效应,当小于100...
- 姚素薇赵瑾张卫国董大为
- 关键词：巨磁电阻电沉积单晶硅
- 文献传递
- 电沉积Cu／Co纳米多层膜及其巨磁电阻效应
- 采用单槽法在单晶硅上控电位沉积了Cu／Co纳米多层膜,通过扫描电镜对多层膜进行了表征。利用四探针法研究了镀层的巨磁电阻（GMR）效应与调制波长（入）的关系,入较大时,没有观察到明显的CMR 效应,当入小于100nm时,G...
- 姚素薇赵瑾张卫国董大为
- 关键词：巨磁电阻电沉积
- 文献传递
- 超晶格多层膜的电化学制备、表征及其GMR特性的研究被引量：16
- 2003年
- 以半导体Si为衬底,电化学沉积Cu/Co超晶格多层膜,用SEM表征多层膜的断面形貌.XRD研究表明,多层膜的调制波长为20～160nm时,膜层间发生外延生长.随着调制波长的减小,外延生长对膜层结构的影响越来越明显.当调制波长小于20nm时,在XRD强衍射峰的两侧出现卫星峰,表明多层膜形成超晶格结构.根据卫星峰位置计算的调制波长与由法拉第定律估算的结果非常接近.多层膜的巨磁电阻(GMR)性能随多层膜周期数的增加而增大;当周期数大于300时,GMR性能基本上不再随周期数变化,说明基体的导电性质对GMR的影响可以忽略.
- 姚素薇赵瑾王宏智董大为
- 关键词：超晶格多层膜电化学巨磁电阻
