詹小舟
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 一种生长纳米晶硅粉体的方法
- 本发明公开了一种生长纳米晶硅粉体的方法，包括以下步骤：从进气管道向反应腔中通入混合气体；通过射频源向竖直设置的电极中输入射频交流电，使得工作气体放电，在石英片之间形成等离子体区；反应气体在等离子体区被等离子分解，分解的碎...
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- 文献传递
- 一种生长纳米晶硅粉体的装置
- 本发明公开了一种生长纳米晶硅粉体的装置，包括反应腔，设置在反应腔顶部的进气管道，设置在反应腔底部的收集腔，位于反应腔外部的射频源，以及设置在收集腔内部的收集网；其关键在于：一对电极在反应腔中竖直设置，电极对应的两端固定有...
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- 文献传递
- 氢稀释对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响及薄膜生长机理被引量：3
- 2012年
- 以SiH4与H2作为前驱气体,采用射频等离子增强化学气相沉积技术制备了纳米晶硅薄膜.利用Raman散射和红外吸收光谱等技术,对不同氢稀释比条件下薄膜的微观结构和键合特性进行了研究.结果表明,随着氢稀释比增加,薄膜的晶化率明显提高,而氢稀释比过高时,薄膜晶化率呈现减少趋势.红外吸收光谱分析表明,纳米晶硅薄膜中氢的键合模式与薄膜的晶化特性密切相关.随着氢稀释比增加,薄膜中整体氢含量和SiH2键合密度明显减少,而在高氢稀释比条件下,氢稀释比增加导致薄膜中SiH2键合密度和整体氢含量增加.
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- 关键词：晶化率
- 一种生长纳米晶硅粉体的方法
- 本发明公开了一种生长纳米晶硅粉体的方法，包括以下步骤：从进气管道向反应腔中通入混合气体；通过射频源向竖直设置的电极中输入射频交流电，使得工作气体放电，在石英片之间形成等离子体区；反应气体在等离子体区被等离子分解，分解的碎...
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- 一种生长纳米晶硅粉体的装置
- 本发明公开了一种生长纳米晶硅粉体的装置，包括反应腔，设置在反应腔顶部的进气管道，设置在反应腔底部的收集腔，位于反应腔外部的射频源，以及设置在收集腔内部的收集网；其关键在于：一对电极在反应腔中竖直设置，电极对应的两端固定有...
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