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退火气氛对钴掺杂氧化锌稀磁半导体薄膜性能的影响(英文)被引量：2: 2009年; 用溶胶–凝胶法制备的钴掺杂氧化锌薄膜在不同气氛下退火后均显示室温铁磁性,并且具有不同的载流子浓度。通过对薄膜进行电、磁、光性能及微结构的系统表征,建立了磁性能与载流子浓度之间的关联。研究表明:在氧气和氧氮混合气氛以及氧氩气氛下,退火的样品均具有室温铁磁性。相对于氧氮混合气氛,300K,在无氮气氛退火的样品具有更低的矫顽力,更高的剩磁及大的电子浓度。光致发光谱研究表明:氧氮混合气氛下,退火的样品中存在No受主,这是样品电子浓度及铁磁性下降的原因;因此,体系的铁磁性来源于电子间接机制,使通过控制载流子浓度来调节钴掺杂氧化锌稀磁半导体的铁磁性能成为可能。; 张磊徐光亮魏贤华刘桂香赵德友彭龙; 关键词：氧化锌室温铁磁性

溶胶凝胶法制备Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的结构与性能研究: 采用以聚乙烯醇为溶剂的溶胶-凝胶法制备出ZnCoO(x=0.08,0.10,0.12)稀磁半导体薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、振动样品磁强计(VSM)和X射线光电子能谱仪(XP...; 赵德友徐光亮张磊魏贤华彭龙刘桂香; 文献传递

退火气氛对Zn0.87Co0.10Na0.03O薄膜光、电和磁性能的影响被引量：1: 2011年; 采用溶胶–凝胶法,在不同气氛下退火制备了Co和Na共掺杂的ZnO稀磁性半导体Zn0.87Co0.10Na0.03O薄膜,并试图通过共掺Na来实现ZnO基稀磁半导体的p型转变,测试了薄膜样品的结构、发光性能、电性能和磁性能。研究了退火气氛对样品性能的影响。结果表明:样品具有ZnO的纤锌矿结构,且表现出明显的c轴(002)择优取向特征,未检测到与Co和Na有关的衍射峰。在室温,340 nm波长激发下,样品在379～387 nm附近出现了1个窄的紫外发射谱带;在可见光区出现了1个宽的发射谱带(450～600 nm)。共掺Na未能实现样品的p型转变;样品的电子载流子浓度随退火气氛中氧气流量的减小而降低。富氧退火条件下获得的样品具有明显的室温铁磁性,其饱和磁化强度随氧气流量的减小急剧下降;而缺氧退火条件下获得的样品的铁磁性消失,出现反铁磁性。; 徐光亮赵德友张磊彭龙刘桂香; 关键词：氧化锌稀磁半导体

X射线反射法分析ZnO基薄膜的厚度、密度和表面粗糙度被引量：1: 2010年; 采用X射线反射法(XRR)测试了在SiO_2玻璃衬底上磁控溅射沉积的单层ZnO基薄膜的反射强度,得到了反射强度随掠入射角变化的曲线;讨论了薄膜厚度、密度和表面粗糙度与反射曲线的关系,最后通过拟合XRR曲线获得了所制备薄膜的厚度、密度和表面粗糙度分别为55.8 nm,5.5 g·cm^(-3)和1.7 nm,与利用XRR数据直接计算出的薄膜厚度56.2 nm仅相差0.4 nm,表面粗糙度也与AFM测试的结果基本相符。可见XRR能无损伤、精确且快速地测试薄膜试样的厚度、密度和表面粗糙度等参数。; 徐光亮赵德友刘桂香

Al-N共掺杂ZnO:Mn稀磁半导体薄膜的结构与性能被引量：1: 2010年; 采用反应磁控溅射法在室温下沉积前驱体氮化物,在大气环境、500℃下氧化退火30min后获得了Al-N共掺杂ZnO:Mn薄膜。研究了直流与射频反应磁控溅射对氧化退火薄膜结构和性能的影响。结果表明:两种工艺制备的退火薄膜均具有ZnO纤锌矿结构,且均为n型导电。射频溅射退火样品具有很好的c-轴择优取向,其表面光滑平整,表面粗糙度RMS值为1.2nm,且具有室温铁磁性,饱和磁化强度(Ms)和矫顽力(Hc)分别为46.8A·m–1和4.9×103A·m–1;而直流溅射退火样品表面凹凸不平,RMS值为25.8nm,室温下是反铁磁性的。; 赵德友徐光亮刘桂香彭龙; 关键词：ZNO 稀磁半导体磁控溅射

溶胶-凝胶法制备Co掺杂ZnO薄膜及其室温铁磁性(英文)被引量：2: 2010年; 以聚乙烯醇为溶剂,用溶胶-凝胶法在石英玻璃基底表面制备了Zn1-xCoxO(x=0.08,0.10,0.12)稀磁半导体薄膜。研究表明:Zn1-xCoxO薄膜均为纤锌矿结构,没有出现与Co相关的杂质相,Co2+取代Zn2+位置进入ZnO的晶格,样品的光学带隙随Co含量的增加而减小。Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜具有室温铁磁性,其饱和磁化强度(Ms)和矫顽力(Hc)均随Co2+含量(x=0.08,0.10,0.12)的增加而逐渐增大,Ms分别为1.12×104,1.45×104A/m和1.66×104A/m,Hc分别约为2.31×105,3.30×105A/m和4.26×105A/m,并讨论了其铁磁性的来源。; 徐光亮赵德友张磊魏贤华刘桂香彭龙; 关键词：氧化锌稀磁性半导体室温铁磁性溶胶-凝胶法

Al-N共掺ZnO:Mn稀磁半导体薄膜的制备与性能研究: 稀磁半导体是制作半导体自旋电子器件的主要材料，受到了人们的广泛关注。本文以合金为靶材，利用反应磁控溅射法制各出氮化物前躯薄膜，经氧化退火处理制备出了Al-N共掺ZnO:Mn稀磁半导体薄膜。采用XRD、XRR、AFM、四探...; 赵德友; 文献传递

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赵德友