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赵永生
作品数:
10
被引量:14
H指数:3
供职机构:
吉林大学电子科学与工程学院
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吉林大学电子科学与工程学院集成...
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吉林大学电子科学与工程学院集成...
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吉林大学电子科学与工程学院集成...
阎大卫
吉林大学电子科学与工程学院
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年份
1篇
2003
2篇
1999
4篇
1998
1篇
1996
1篇
1995
1篇
1994
共
10
条 记 录,以下是 1-10
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被引量排序
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一种新型半导体超辐射集成光源
1998年
为有效地提高超辐射输出功率,满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要,提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想,并采用AlGaAs单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明,这种集成器件可有效地提高超辐射输出功率,有望成为新一代大功率超辐射光源。
赵永生
杜国同
姜秀英
韩伟华
李雪梅
宋俊峰
高鼎三
关键词:
超辐射发光管
集成光源
半导体光电器件
AlGaAs短波长超辐射集成光源
1998年
设计了一种新型半导体集成光源AlGaAs短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起,在脉冲条件下获得了输出功率为57mW的超辐射,谱线宽度(FWHM)为20nm,放大器的增益为21dB。
赵永生
孙中哲
李雪梅
宋俊峰
王之岭
姜秀英
杜国同
GregoryDevane
KathleenA.Stair
R.P.H.Chang
关键词:
半导体光放大器
集成光源
铝镓砷
室温连续可见光垂直腔面发射激光器
被引量:1
1999年
利用钨丝掩膜质子轰击工艺制造出一种室温条件下可连续工作的可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为650nm,未装在热沉上时连续工作最大输出功率为85μW。
李雪梅
常玉春
宋俊峰
赵永生
杜国同
武胜利
王立军
刘云
李军
关键词:
激光器
可见光
面发射
SnO_2气敏薄膜在SnO_2/Fe_2O_3双层结构中成核及生长过程的模拟
被引量:3
1998年
用SEM对SnO2/Fe2O3样品的断面结构进行了观察研究,发现SnO2是在Fe2O3柱状结构的间隙中开始生长的,据此提出了双层膜结构生长热力学模型,由模型推出的结论与实验结果吻合。计算结果表明,SnO2在Fe2O3薄膜的间隙中生长速度很快,而后逐渐变慢,达到稳定沉积速率,在这种沉积速率下形成SnO2的柱状结构。SnO2膜的这种沉积方式使得Fe2O3与其接触面积很大,两者结合十分牢固。
赵永生
阎大卫
康昌鹤
马晓翠
邹慧珠
杜国同
关键词:
气敏薄膜
二氧化锡
成核
半导体超辐射发光管自发发射因子的估算
被引量:2
1999年
自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数,在以往对超辐射发光管的特性分析,特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时,多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子,由于两者的光输出特性不同,这种沿用不仅会造成β因子物理意义上的混乱,而且也给超辐射器件光电特性的分析带来了较大的误差。对超辐射发光管的自发发射因子β进行了讨论,提出了平均自发发射因子的概念,并对增益导引及折射率导引的β因子进行了估算和比较。
赵永生
宋俊峰
韩伟华
李雪梅
杜国同
高鼎三
关键词:
超辐射发光管
增益
折射率
半导体
PECVD方法制备SnO_2气敏薄膜的电子显微镜研究
被引量:4
1994年
通过SEM、TEM研究了PECVD方法制备的SnO_2薄膜的显微结构,讨论了沉积速率与颗粒大小的关系;在Si、陶瓷和KBr3种不同衬底上沉积的SnO_2薄膜的差异以及退火对SnO_2膜结晶状态的影响。结果表明,PECVD方法制备的SnO_2薄膜是非晶态,具有柱状结构。退火使非晶SnO_2膜向着多晶方向转化,演化过程为:非晶大颗粒→超微粒多晶→晶粒长大。
赵永生
阎大卫
马晓翠
康昌鹤
邹慧珠
关键词:
等离子体
化学气相沉积
二氧化物
GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源
1998年
为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器件的锥形放大器可将超辐射发光管发出的光放大22dB,在脉冲条件下超辐射输出功率达580mW。
赵永生
杜国同
韩伟华
付艳萍
李雪梅
宋俊峰
姜秀英
高鼎三
Gregory Devane
Kathleen A.Stair
R.P.H.Chang
关键词:
超辐射发光管
单片集成
半导体
室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器
被引量:3
1995年
本文报道了室温连续激射的GaAs/GaAIAS新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果.该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的,这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的.对于直径15μm的钨丝,器件的最低阈值电流为17mA,最大光输出功率达4mW,微分量子效率高达65%.
刘颖
杜国同
姜秀英
刘素平
张晓波
赵永生
高鼎三
林世鸣
康学军
高洪海
高俊华
王红杰
关键词:
半导体激光器
砷化镓
GAALAS
激光器
SnO_2/Fe_2O_3双层薄膜的界面结构及其对气敏特性的影响
被引量:2
2003年
本文给出用等离子化学气相沉积 (PCVD)技术制备的SnO2 /Fe2 O3 双层薄膜结构的俄歇谱 (AES)剖面分析、透射电镜 (TEM)断面形貌和扫描电镜 (SEM)表面形貌的实验研究结果。AES剖面分析和TEM断面形貌图显示在SnO2 与Fe2 O3 界面区有一个约 35nm厚的过渡层存在 ,其质地松散。实验还发现这个界面过渡层的存在缓解了层间应力 ,增强了SnO2 薄膜的附着力 ,对该双层膜的气敏特性有明显的控制作用 ;但当SnO2 层厚大于 2 70nm时 。
马晓翠
阎大卫
赵永生
关键词:
气敏特性
气敏传感器
二氧化锡
氧化铁
InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
1996年
报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器.采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室温脉冲工作,最低阈值电流达20mA,激射波长为915nm。
刘颖
杜国同
姜秀英
刘素平
张晓波
赵永生
高鼎三
林世呜
高洪海
高俊华
王洪杰
康学军
关键词:
INGAAS
面发射
激光器
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