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赵永生

作品数：10 被引量：14H指数：3
供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金深圳市科技局资助项目更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇半导体
  • 3篇气敏
  • 3篇腔面
  • 3篇面发射
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇发光
  • 3篇发光管
  • 3篇辐射发光
  • 3篇SNO
  • 3篇超辐射
  • 3篇超辐射发光管
  • 3篇垂直腔
  • 3篇垂直腔面
  • 3篇垂直腔面发射
  • 2篇短波长
  • 2篇氧化锡
  • 2篇室温
  • 2篇气敏薄膜
  • 2篇面发射激光器

机构

  • 9篇吉林大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇深圳大学
  • 1篇中国科学院长...

作者

  • 10篇赵永生
  • 8篇杜国同
  • 5篇宋俊峰
  • 5篇高鼎三
  • 5篇姜秀英
  • 3篇阎大卫
  • 3篇李雪梅
  • 2篇康学军
  • 2篇高俊华
  • 2篇高洪海
  • 2篇马晓翠
  • 2篇刘素平
  • 2篇韩伟华
  • 2篇刘颖
  • 2篇张晓波
  • 1篇常玉春
  • 1篇林世鸣
  • 1篇王红杰
  • 1篇付艳萍
  • 1篇孙中哲

传媒

  • 2篇光学学报
  • 2篇功能材料
  • 1篇Journa...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 1篇2003
  • 2篇1999
  • 4篇1998
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1994
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种新型半导体超辐射集成光源
1998年
为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明，这种集成器件可有效地提高超辐射输出功率，有望成为新一代大功率超辐射光源。
赵永生杜国同姜秀英韩伟华李雪梅宋俊峰高鼎三
关键词：超辐射发光管集成光源半导体光电器件
AlGaAs短波长超辐射集成光源
1998年
设计了一种新型半导体集成光源ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起，在脉冲条件下获得了输出功率为５７ｍＷ的超辐射，谱线宽度（ＦＷＨＭ）为２０ｎｍ，放大器的增益为２１ｄＢ。
赵永生孙中哲李雪梅宋俊峰王之岭姜秀英杜国同GregoryDevaneKathleenA.StairR.P.H.Chang
关键词：半导体光放大器集成光源铝镓砷
室温连续可见光垂直腔面发射激光器被引量：1
1999年
利用钨丝掩膜质子轰击工艺制造出一种室温条件下可连续工作的可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为６５０ｎｍ，未装在热沉上时连续工作最大输出功率为８５μＷ。
李雪梅常玉春宋俊峰赵永生杜国同武胜利王立军刘云李军
关键词：激光器可见光面发射
SnO_2气敏薄膜在SnO_2/Fe_2O_3双层结构中成核及生长过程的模拟被引量：3
1998年
用ＳＥＭ对ＳｎＯ２／Ｆｅ２Ｏ３样品的断面结构进行了观察研究，发现ＳｎＯ２是在Ｆｅ２Ｏ３柱状结构的间隙中开始生长的，据此提出了双层膜结构生长热力学模型，由模型推出的结论与实验结果吻合。计算结果表明，ＳｎＯ２在Ｆｅ２Ｏ３薄膜的间隙中生长速度很快，而后逐渐变慢，达到稳定沉积速率，在这种沉积速率下形成ＳｎＯ２的柱状结构。ＳｎＯ２膜的这种沉积方式使得Ｆｅ２Ｏ３与其接触面积很大，两者结合十分牢固。
赵永生阎大卫康昌鹤马晓翠邹慧珠杜国同
关键词：气敏薄膜二氧化锡成核
半导体超辐射发光管自发发射因子的估算被引量：2
1999年
自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数，在以往对超辐射发光管的特性分析，特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时，多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子，由于两者的光输出特性不同，这种沿用不仅会造成β因子物理意义上的混乱，而且也给超辐射器件光电特性的分析带来了较大的误差。对超辐射发光管的自发发射因子β进行了讨论，提出了平均自发发射因子的概念，并对增益导引及折射率导引的β因子进行了估算和比较。
赵永生宋俊峰韩伟华李雪梅杜国同高鼎三
关键词：超辐射发光管增益折射率半导体
PECVD方法制备SnO_2气敏薄膜的电子显微镜研究被引量：4
1994年
通过ＳＥＭ、ＴＥＭ研究了ＰＥＣＶＤ方法制备的ＳｎＯ＿２薄膜的显微结构，讨论了沉积速率与颗粒大小的关系；在Ｓｉ、陶瓷和ＫＢｒ３种不同衬底上沉积的ＳｎＯ＿２薄膜的差异以及退火对ＳｎＯ＿２膜结晶状态的影响。结果表明，ＰＥＣＶＤ方法制备的ＳｎＯ＿２薄膜是非晶态，具有柱状结构。退火使非晶ＳｎＯ＿２膜向着多晶方向转化，演化过程为：非晶大颗粒→超微粒多晶→晶粒长大。
赵永生阎大卫马晓翠康昌鹤邹慧珠
关键词：等离子体化学气相沉积二氧化物
GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源
1998年
为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器件的锥形放大器可将超辐射发光管发出的光放大22dB,在脉冲条件下超辐射输出功率达580mW。
赵永生杜国同韩伟华付艳萍李雪梅宋俊峰姜秀英高鼎三Gregory DevaneKathleen A.StairR.P.H.Chang
关键词：超辐射发光管单片集成半导体
室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器被引量：3
1995年
本文报道了室温连续激射的ＧａＡｓ／ＧａＡＩＡＳ新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果．该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的，这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的．对于直径１５μｍ的钨丝，器件的最低阈值电流为１７ｍＡ，最大光输出功率达４ｍＷ，微分量子效率高达６５％．
刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世鸣康学军高洪海高俊华王红杰
关键词：半导体激光器砷化镓GAALAS激光器
SnO_2/Fe_2O_3双层薄膜的界面结构及其对气敏特性的影响被引量：2
2003年
本文给出用等离子化学气相沉积 (PCVD)技术制备的SnO2 /Fe2 O3 双层薄膜结构的俄歇谱 (AES)剖面分析、透射电镜 (TEM)断面形貌和扫描电镜 (SEM)表面形貌的实验研究结果。AES剖面分析和TEM断面形貌图显示在SnO2 与Fe2 O3 界面区有一个约 35nm厚的过渡层存在 ,其质地松散。实验还发现这个界面过渡层的存在缓解了层间应力 ,增强了SnO2 薄膜的附着力 ,对该双层膜的气敏特性有明显的控制作用 ;但当SnO2 层厚大于 2 70nm时 。
马晓翠阎大卫赵永生
关键词：气敏特性气敏传感器二氧化锡氧化铁
InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
1996年
报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ。
刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世呜高洪海高俊华王洪杰康学军
关键词：INGAAS面发射激光器
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