邓晖 作品数:12 被引量:18 H指数:3 供职机构: 中国科学院半导体研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家高技术研究发展计划 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 更多>>
GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究 被引量:5 2001年 采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°. 刘文楷 林世鸣 武术 朱家廉 高俊华 渠波 陆建祖 廖奇为 邓晖 陈弘达关键词:反应离子刻蚀 刻蚀速率 DBR 砷化铝 现代微光电子封装中的倒装焊技术 结合我们设计制作的倒装焊光电子器件-智能像素面阵,对倒装焊的工艺过程作了简要的介绍.该面阵采用铟做凸点材料,制作了输入输出数达64×64的凸点电极阵列,并采用回流焊的方式,将光电调制器面阵与对应的处理电路芯片对准后加热回... 裴为华 邓晖 陈弘达关键词:光电子集成 倒装焊 凸点 电子封装 文献传递 倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵 被引量:4 2003年 报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980nm。该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔增强型光探测器面阵与相应的Si基标准CMOS集成电路混合集成在一起,形成具备64×64路光并行接收及处理的大规模光电集成探测器面阵器件,并对光探测器面阵的主要特性进行了测试,测试结果显示该面阵具有均匀的电特性,反向偏压均大于14V,暗电流约为10nA数量级。 裴为华 陈弘达 邓晖 毛陆虹 杜云 唐君 梁琨 吴荣汉 王启明关键词:倒装焊 谐振腔增强型 INGAAS/GAAS量子阱 InGaAs/GaAs多量子阱光电子集成倒装焊面阵器件 陈弘达 王启明 吴荣汉 毛陆虹 杜云 唐君 邓晖 梁琨 斐为华 该项目深入研究了GaAs基不同结构形态量子阱中的室温激子行为,特别是非线性光学特性;利用量子限制Stark效应(QCSE)和激子非线形特性优化设计,研制出以InGaAs/GaAs多量子阱作为有源区的64×64面阵光子集成...关键词:关键词:光电子集成 多量子阱 微光电子集成芯片及其应用 被引量:2 2003年 一、引言目前,半导体科学技术在低维结构物理、微腔物理、光学量子器件及电学量子器件、超高速电子器件与集成电路、微光电子集成芯片、微光机电系统(MOEMS)器件等方面的研究与发展,其特征尺寸都已进入深亚微米、十纳米以至纳米量级。所研究对象的低维化和结构的微细化不仅是其性能改善的要求。 陈弘达 毛陆虹 邓晖 唐君 杜云 吴荣汉关键词:SEED 光子集成 光输出 倒装焊 VCSEL 光互连 大规模光电集成RCE探测器面阵器件 大规模光电集成RCE探测器面阵器件,该面阵器件的每个器件的机构都是相同的,该面阵器件都是由两部分构成,即砷化镓基光探测器和硅基后处理电路,包括:一衬底;一布拉格反射镜,该布拉格透射镜制作在衬底上;一多量子阱光吸收区,该多... 陈弘达 裴为华 毛陆虹 吴荣汉 杜云 唐君 邓晖 梁琨文献传递 RCE光电探测器顶部 DBR的优化(英文) 2001年 对研制的 VCSEL 结构外延片制成的谐振腔增强型 (简称 RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究 ,由于 VCSEL 与 RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同 ,通过腐蚀 VCSEL 器件顶部 DBR,改变顶镜反射率 ,能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的 RCE光电探测器 ,实现 VCSEL 与 RCE探测器的单片集成 . 梁琨 陈弘达 邓晖 杜云 唐君 吴荣汉关键词:垂直腔面发射激光器 谐振腔增强型 光电探测器 大规模光电集成RCE探测器面阵器件 大规模光电集成RCE探测器面阵器件,该面阵器件的每个器件的机构都是相同的,该面阵器件都是由两部分构成,即砷化镓基光探测器和硅基后处理电路,包括:一衬底;一布拉格反射镜,该布拉格反射镜制作在衬底上;一多量子阱光吸收区,该多... 陈弘达 裴为华 毛陆虹 吴荣汉 杜云 唐君 邓晖 梁琨文献传递 现代微光电子封装中的倒装焊技术 被引量:8 2003年 结合我们设计制作的倒装焊光电子器件—智能像素面阵 ,对倒装焊的工艺过程作了简要的介绍。该面阵采用铟做凸点材料 ,制作了输入输出数达 6 4× 6 4的凸点电极阵列 ,并采用回流焊的方式 ,将光电调制器面阵与对应的处理电路芯片对准后加热回流实现焊接 ,形成输入输出引线间距只有 80 裴为华 邓晖 陈弘达关键词:光电子器件 光电子集成 微电子电路 InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计(英文) 2001年 讨论了谐振腔中的 DBR对 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED面阵光反射特性的影响 .采用 In Ga As/ Ga As作为多量子阱 SEED器件的有源区 ,从而获得了 980 nm工作波长 .设计和分析了 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构 .多量子阱材料是用 MOCVD系统生长 ,利用微区光反射谱、PL 谱以及 X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析 ,测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量 。 邓晖 陈弘达 梁琨 杜云 唐君 黄永箴 潘钟 马晓宇 吴荣汉 王启明关键词:面阵 光电子器件 多量子阱 INGAAS/GAAS DBR