邹桂娟
- 作品数：12 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院电子工程研究所科技创新基金中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- Ti／Ag／Cu活性焊料的封接特性
- Ti／Ag／Cu活性焊料法广泛应用于陶瓷与金属的焊接中,但该焊料在陶瓷表面的浸润性较差,在金属表面易发生偏析的现象。本文对该焊料的流散特性进行了讨论,对陶瓷与金属的封接界面进行了分析,对封接机理进行了讨论,结果表明在封接...
- 金大志彭康曾敏解永蓉邹桂娟黄晓军
- 文献传递
- 金属化后陶瓷表面“红点”问题的研究
- 2016年
- 利用SEM/EDS(扫描电镜/电子能谱)、XPS(X射线光电子能谱)结合机械截面样品制备方法,对Al_2O_3陶瓷金属化后表面出现的"红点"进行研究。利用SEM对陶瓷"红点"区域的形貌进行分析,利用XPS、EDS对表面元素成分及价态进行分析,利用SEM/EDS、结合机械截面样品制备方法对杂质元素的深度分布进行分析。结果表明红点区域有明显结构缺陷,致色元素主要为Cr^(3+)。此外,还探讨了氧化铝陶瓷表面红点的显色机理。最后,通过模拟实验研究了一些工艺环节对杂质引入的影响。
- 吕平彭家根邹桂娟
- 关键词：氧化铝陶瓷金属化
- 电真空器件用陶瓷二次金属化镀镍层起泡现象的研究被引量：8
- 2005年
- 陶瓷二次金属化镍层烧结后起泡是影响产品质量和合格率的一个主要因素,本文针对陶瓷的一次金属化和二次金属化工艺,经XPS、XRF、SEM等方法分析,得出:陶瓷的二次金属化起泡与其沉积层的基材和沉积层的厚度有关,陶瓷一次金属化烧结后钼的特殊形貌——钼颗粒较大、颗粒之间结合疏松和钼的电化学特性,决定钼上的沉积层厚度必须在合适范围内——4～9μm,才能减小沉积层中的应力,保证烧结后镍层与钼有良好的结合力。
- 杨卫英伍智邹桂娟曾敏
- 关键词：陶瓷金属化起泡
- 金属化温度对掺锰铬陶瓷封接性能影响的研究被引量：1
- 2005年
- 研究了金属化烧结温度对掺锰铬陶瓷的封接性能的影响，初步分析了其影响原因与机理。结果表明：掺锰铬高氧化铝陶瓷对于MoMnSi配方的金属化反应活性高，1300℃是其最佳金属化温度，温度降低和升高都会导致封接性能降低。在最佳温度，金属化层烧结致密，金属化层与陶瓷间形成了主要由锰尖晶石（MnO·Al2O3）和少量硅氧化物构成的过渡层结构，从而将金属化层与陶瓷有效地连接在一起。温度升高使金属化层过度收缩会形成大量孔洞，元素氧化加剧，不利于过渡层的形成，导致封接性能大大降低。
- 伍智杨卫英李蓉曾敏邹桂娟
- 一种降低陶瓷电镀镍层起泡的方法
- 本发明提供了一种降低陶瓷电镀镍层起泡的方法，所述的方法包括表面处理、电镀、冲洗、脱水、吹干、测厚、后处理和镍化过程，在现有技术基础上增加的测厚、后处理过程有效地加强了陶瓷零件表面与镀镍层之间的附着强度，降低了陶瓷零件表面...
- 胡守亮陈虎曾敏张琳邹桂娟
- 应用XRF法对陶瓷金属化厚度的检测被引量：4
- 2006年
- 采用X射线荧光光谱（XRF）法研究了陶瓷金属化厚度的无损检测方法,进行了检测用标准片的设计和标定,分析了金属化层成分与含量,建立了XRF无损检测厚度方法的应用程序和校准方法.研究结果表明：采用X射线荧光光谱法,对陶瓷金属化厚度进行无损检测是可行的和可靠的;在试验的范围内（12.66～87.02μm）,测量误差小于5%,RSD小于2%.
- 曾敏伍智金大志杨卫英邹桂娟
- 关键词：X射线荧光光谱法无损检测
- Ti/Ag/Cu活性焊料的封接特性被引量：1
- 2006年
- Ti/Ag/Cu活性焊料法广泛应用于陶瓷与金属的焊接中,但该焊料在陶瓷表面的浸润性较差,在金属表面易发生偏析的现象。本文对该焊料的流散特性进行了讨论,对陶瓷与金属的封接界面进行了分析,对封接机理进行了讨论,结果表明在封接界面生成Ti的氧化物主要是TiO2。
- 金大志彭康曾敏解永蓉邹桂娟黄晓军
- 一种降低陶瓷电镀镍层起泡的方法
- 本发明提供了一种降低陶瓷电镀镍层起泡的方法，所述的方法包括表面处理、电镀、冲洗、脱水、吹干、测厚、后处理和镍化过程，在现有技术基础上增加的测厚、后处理过程有效地加强了陶瓷零件表面与镀镍层之间的附着强度，降低了陶瓷零件表面...
- 胡守亮陈虎曾敏张琳邹桂娟
- 文献传递
- 氧化铝陶瓷金属化层温度分析研究被引量：7
- 2016年
- 工艺温度是影响陶瓷金属化质量的关键因素之一,针对高温氢炉中陶瓷金属化层温度难以实时测量的问题,本文建立氧化铝陶瓷金属化过程的三维流动传热数学模型。模型采用随温度变化的动态材料物性参数,考虑辐射、对流、传导三种传热形式,利用有限体积法求解陶瓷金属化过程中炉内的流动与传热问题,获得陶瓷金属化温度实时变化曲线。瞬态计算结果表明不同位置处最高烧结温度相差26℃,且比金属化工艺设定温度曲线低20~40℃,这为优化氢炉结构、进一步提高炉温均匀性提供参考依据。
- 钟伟邹桂娟
- 关键词：氧化铝陶瓷金属化数值模拟
- 不同条件下陶瓷金属化瞬态温度场的计算被引量：1
- 2016年
- 目前工业生产中,陶瓷金属化工艺条件的选择大多是经验性设定,对其如何影响金属化过程缺乏认识。针对于此,本文在前期所建立的陶瓷金属化氢炉的瞬态温度场计算模型基础上,考虑辐射和对流作用,计算陶瓷金属化过程中炉内的流动与传热问题,着重讨论了陶瓷件数量、氢气流量等条件对陶瓷金属化氢炉温度场的影响关系。结果表明,陶瓷件数量对同一位置金属化层最高温度影响较小(<2℃),但对炉温均匀性影响很大,不同位置陶瓷金属化层温度相差达到几十摄氏度。炉内加热一段时间后出现温度统一区(z<0.45 m),这一区域内的陶瓷金属化层最高温度几乎不受氢气流量的影响,金属化质量具有更好的一致性。
- 钟伟邹桂娟金大志
- 关键词：氧化铝陶瓷
