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郝国林

作品数：27 被引量：3H指数：1
供职机构：湘潭大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金湖南省教育厅科研基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术文化科学金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 5篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇一般工业技术
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 16篇纳米
  • 7篇气相沉积
  • 7篇纳米片
  • 7篇化学气相
  • 7篇化学气相沉积
  • 6篇纳米带
  • 6篇SUB
  • 4篇氧化钼
  • 4篇三氧化钼
  • 4篇硫粉
  • 4篇硫化
  • 4篇基底
  • 4篇常压化学气相...
  • 3篇三明治
  • 3篇硫化钼
  • 3篇蓝宝
  • 3篇蓝宝石
  • 3篇光电
  • 3篇二硫化钼
  • 3篇MX

机构

  • 27篇湘潭大学
  • 1篇武汉大学

作者

  • 27篇郝国林
  • 7篇钟建新
  • 7篇祁祥
  • 6篇高慧
  • 5篇周国梁
  • 5篇陈涛
  • 4篇贺力员
  • 3篇杨利文
  • 3篇张婵
  • 2篇刘文祥
  • 2篇周欢
  • 2篇李俊
  • 2篇刘韵丹
  • 2篇任龙
  • 1篇刘文亮
  • 1篇彭向阳
  • 1篇潘春旭
  • 1篇李俊
  • 1篇黄宗玉
  • 1篇任龙

传媒

  • 2篇中国物理学会...
  • 1篇机械工程材料

年份

  • 5篇2024
  • 5篇2023
  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
共 27 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种晶圆级二硫化钨或二硒化钨二维纳米薄膜的制备方法
本发明公开一种晶圆级二硫化钨或二硒化钨二维纳米薄膜的制备方法。通过对蓝宝石晶圆进行高温退火处理，使处理后的蓝宝石更有利于生长高质量、大面积、高均匀性的二硫化钨和二硒化钨薄膜。采用化学气相沉积法，通过对气体流量调控、前驱体...
郝国林张世伟贺力员郝玉龙
一种1T’MoTe<Sub>2</Sub>纳米薄膜的制备方法
本发明公开一种1T’MoTe<Sub>2</Sub>纳米薄膜的制备方法。本发明以金属钼箔为原料，设计得到三氧化钼箔；再把三氧化钼箔覆盖在一片二氧化硅基底上方作为钼源前驱体，从而形成金属前驱体分子扩散受限的微型反应空间；待...
郝国林李嘉成高慧郝玉龙柴晔
一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te-MX<Sub>2</Sub>垂直异质结的制备方法
本发明公开一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te‑MX<Sub>2</Sub>垂直异质结纳米结构的制备方法。采用两步生长法，通过调节限域高度、生长时间以及MX<Sub>2</Sub>处理工艺，可以实现二维MX<Sub>...
郝国林肖金彪郝玉龙高慧贺力员
一种二硒化锗纳米材料的制备方法
本发明公开一种二硒化锗纳米材料的制备方法。基于化学气相沉积法，通过调节载气流量以及生长基底的空间放置位置，可以实现二硒化锗纳米材料的可控生长。待化学沉积系统加热到指定温度后，快速将硒化锗高纯粉末推至加热中心，反应前驱体被...
郝国林高炜奇周国梁刘文祥
二硫化钼纳米片的表面静电性质研究
二硫化钼被认为是构筑下一代纳米电子材料最富吸引力的材料之一,目前引起了人们的极大关注1,2.相关静电性质为设计与理解二硫化钼电子器件的性能具有重要的作用.本文中我们利用机械剥离以及气相沉积方法,制备出MoS2纳米片.
郝国林祁祥钟建新
关键词：二硫化钼
一种基于空间限域策略制备单层二硒化钨纳米带的方法
本发明公开了一种基于空间限域策略制备单层二硒化钨纳米带的方法。本发明通过改变氢气的流量和生长时间，可以实现对纳米带宽度与厚度的有效调控，包括如下步骤：将三氧化钨粉末均匀洒到一片基底上，然后用另一片基底盖在上面，形成类“三...
郝国林张婵段卓君
文献传递
Large-scale Production of Ultrathin Topological Insulator Bismuth Telluride Nanosheets by Intercalation and Exfoliation Routes
noscale topological insulator materials have a large surface-to-volume ratio that can manifest the conductive ...
祁祥任龙刘韵丹郝国林杨利文李俊钟建新
关键词：BISMUTHTELLURIDENANOSHEETSINTERCALATIONEXFOLIATION
拓扑绝缘体纳米结构的可控生长与表面性能
拓扑绝缘体作为一种新颖的量子物质态，最近几年引起了人们越来越多的关注。不同于传统的金属与半导体，拓扑绝缘体的内部是有带隙的绝缘体，而在其表面却呈金属性。这种金属态是由材料特殊的拓扑电子结构决定的，不依赖于材料结构的具体细...
郝国林
关键词：拓扑绝缘体表面性能
一种二碲化钨纳米带的制备方法
本发明公开了一种二碲化钨纳米带的制备方法。首先将基底的抛光面朝上放置在石墨片上，再将经过氧化处理的钨箔盖在硅片上，基底与钨箔之间放置垫片，以形成类“三明治”结构的微反应腔。本发明在采用空间限域策略的基础上，同时对反应前驱...
郝国林何艳兵陈涛周国梁
一种大面积双层3R相MX<Sub>2</Sub>纳米片的制备方法
本发明公开了一种大面积双层3R相MX<Sub>2</Sub>纳米片的制备方法。本发明基于空间限域与前驱体设计策略的化学气相沉积法可以实现大面积双层3R相MX<Sub>2</Sub>纳米片的可控制备；将三氧化钼箔或者三氧化...
郝国林肖金彪陈涛李嘉成郝玉龙高慧
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