钟兴儒
- 作品数：21 被引量：14H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家攀登计划国家科技部专项基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程冶金工程更多>>
- 一种新型的超导磁场单晶炉的研制
- 磁场对于半导体晶体生长过程中的流动模式有着明显的影响，因而可以改善晶体的组分和杂质的分布。在半导体单晶生长过程当中利用超导磁场来抑制熔体的对流，采用这种方式既可以生长出优质的单晶又可以研究熔体的对流与扩散对生长半导体单晶...
- 吴金良钟兴儒
- 关键词：磁场单晶炉
- 文献传递
- 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法
- 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法；利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数a<Sub>m</Sub>；采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差，以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品，每次...
- 陈诺夫林兰英王玉田何宏家钟兴儒
- 文献传递
- 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法
- 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法;利用X射线双晶衍射仪测量半绝缘砷化镓单晶片的晶格常数a<Sub>m</Sub>;采用实时仪器校正X射线双晶衍射仪产生的误差,以高纯(11个″9″)、无位错硅单晶片为标准样品,每次...
- 陈诺夫林兰英王玉田何宏家钟兴儒
- 文献传递
- Ag／AuGeNi／n－GaSb欧姆接触的研究被引量：2
- 1995年
- 研究了Ａｇ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＳｂ在１５０℃一４５０℃下合金处理对欧姆接触的影响，最佳合金温度为２２０℃，此时接触电阻率为６．７×１Ｏ－‘Ωｃｍ‘。用ＡＥＳ和ＸＲＤ研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化，并讨论了接触电阻率与微结构的关系。
- 钟兴儒刘爱民林兰英常秀兰陶琨陈顺英
- 关键词：欧姆接触接触电阻率微结构太阳能电池
- 太空生长半绝缘砷化镓单晶及其应用
- 1999年
- 在返回式卫星上搭载生长了砷化镓单晶 ,Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性 .空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善 ,均匀性提高 .与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比 ,空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比及其均匀性得到了显著改善 .以空间生长半绝缘砷化镓单晶为基底 ,采用直接离子注入工艺制造的模拟开关集成电路的特性好于地面材料 .证明半绝缘砷化镓单晶的化学配比对相关器件的性能影响严重 .
- 林兰英张绵钟兴儒山田正良陈诺夫
- 关键词：砷化镓单晶微重力集成电路
- 空间生长半绝缘砷化镓单晶及其应用研究
- 林兰英陈诺夫钟兴儒张绵
- 在返回式卫星上搭载生长了砷化镓单晶，Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性。空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善，均匀性提高。与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比，空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比...
- 关键词：
- 关键词：半绝缘砷化镓
- 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比研究
- 陈诺夫林兰英王玉田何宏家钟兴儒
- 该项目发明了一种利用X射线双晶衍射仪，非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法。测量原理是，通过精密测量砷化镓单晶的晶格常数，利用砷化镓单晶中晶格常数与化学配比之间的关系计算出单晶的化学配比。杂质和晶体缺陷等都会影响晶体...
- 关键词：
- 关键词：砷化镓
- 下开平动式直拉单晶炉
- 一种下开平动式直拉单晶炉,包括一炉桶、一炉底,其特征在于,一炉体支架,在该炉体支架的上面固接有一炉桶,一炉底用法兰盘与炉桶的下部连接,一液压系统与炉底连接,该液压系统通过一滚轮坐于炉体支架下面的平动滑道上;本实用新型与现...
- 钟兴儒田金法吴金良林兰英陈诺夫
- 文献传递
- 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置
- 一种制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置，包括：一竖直式石英外延生长室，该竖直式石英外延生长室为筒状；一生长室加热装置，该生长室加热装置为环形，套置安装在竖直式石英外延生长室的外围；一上盖板，该上盖板固定在竖直式石英外...
- 刘喆王军喜钟兴儒李晋闽曾一平段瑞飞马平魏同波林郭强
- 文献传递
- 砷化镓气相外延生长反应系统的研究
- 1980年
- 一、引言为了重复地、可控地制备高质量的GaAs外延材料,建立一个高气密性,抗强腐蚀性的外延生长反应系统,采用Ga-AsCl3—H2系统是首要的,而且是必不可少的。由于AsCl3具有极强的腐蚀性,能够提供制作反应系统的材料是很少的,只有石英、聚四氟乙烯等材料。虽然氟橡胶具有耐腐蚀,优良的机械弹性等优点,为许多工作者所采用,但是大量事实说明氟橡胶仍经不住AsCl3的强烈腐蚀,并且是外延材料质量低劣的重要原因之一。因此,设计并建立一个高气密性。
- 林耀望钟兴儒张治平
- 关键词：石英管含氟高聚物GAAS晶体生长
