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韩永召

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市教育发展基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇固相
  • 4篇固相反应
  • 2篇金属硅化物
  • 2篇硅化物
  • 2篇NI
  • 1篇电路
  • 1篇阻挡层
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格失配
  • 1篇扩散阻挡层
  • 1篇集成电路
  • 1篇固相外延
  • 1篇高温稳定性
  • 1篇PT
  • 1篇SI
  • 1篇SI(100...
  • 1篇SIO
  • 1篇钴
  • 1篇CO
  • 1篇X

机构

  • 4篇复旦大学
  • 2篇香港城市大学
  • 2篇香港中文大学
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 4篇韩永召
  • 3篇茹国平
  • 3篇李炳宗
  • 3篇屈新萍
  • 2篇徐蓓蕾
  • 1篇朱剑豪
  • 1篇王连卫

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2003
  • 3篇2001
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
多层薄膜固相反应Co-Ni系硅化物研究
多年来在集成电路中广泛使用的TiSi<,2>已难于适应深亚微米集成电路尺寸微细化的发展趋势,所以研究TiSi和CoSi<,2>等替代材料成为近年来的热点之一.该研究工作采用离子束溅射技术和快速热退火多层薄膜固相反应的方法...
韩永召
关键词：集成电路固相反应
文献传递
Pt层对Ni/Si(100)固相反应NiSi薄膜高温稳定性的增强效应被引量：2
2001年
研究了顺次淀积在 Si (10 0 )衬底上的 Ni/ Pt和 Pt/ Ni的固相硅化反应 .研究发现 ,当 1nm Pt作为中间层或覆盖层加入 Ni/ Si体系中时 ,延缓了 Ni Si向 Ni Si2 的转变 ,相变温度提高 .对于这种双层薄膜体系 ,80 0℃退火后 ,XRD测试未检测到 Ni Si2 相存在 ;85 0℃退火后的薄膜仍有一些 Ni Si衍射峰存在 . 80 0℃退火后的薄膜呈现较低的电阻率 ,在 2 3— 2 5 μΩ· cm范围 .上述薄膜较 Ni/ Si直接反应生成膜的热稳定性提高了 10 0℃以上 .这有利于Ni Si薄膜材料在 Si基器件制造中的应用 .
韩永召李炳宗屈新萍茹国平
关键词：金属硅化物固相反应
Co/a-GeSi/Ti/Si多层薄膜固相反应外延生长CoSi_2薄膜
2003年
研究了在 Co/Ti/Si结构中加入非晶 Ge Si层对 Co Si2 /Si异质固相外延的影响 ,用离子束溅射方法在Si衬底上制备 Co/Ge Si/Ti/Si结构多层薄膜 ,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应。采用四探针电阻仪、AES、XRD、RBS等方法进行测试。实验表明 ,利用 Co/Ge Si/Ti/Si固相反应形成的 Co Si2 薄膜具有良好的外延特性和电学特性 ,Ti中间层和非晶 Ge Si中间层具有促进和改善 Co Si2 外延质量 ,减少衬底耗硅量的作用。Ge原子的存在能够改善外延 Co Si2
徐蓓蕾屈新萍韩永召茹国平李炳宗W.Y.CheungS.P.WongPaul K.Chu
关键词：金属硅化物固相外延扩散阻挡层晶格失配
SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延
2001年
报道了通过 Co/ Ni/ Si Ox/ Si(10 0 )体系固相反应 ,实现三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 薄膜外延生长及薄膜特性的表征 .测试结果表明 ,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用 .XRD和 RBS图谱显示 ,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅衬底有良好的外延关系 .而 Co/ Ni/ Si(10 0 )体系 ,则形成多晶硅化物膜 ,和硅衬底没有外延关系 .外延三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 膜的晶格常数介于 Co Si2 和 Ni Si2 之间 ,从而可以降低生成膜的应力 .薄膜的厚度约为110 nm;最小沟道产额 (χmin)为 2 2 % .外延三元硅化物膜的电阻率约为 17μΩ· cm ;高温稳定性达 10 0 0℃ ,与 Co
韩永召李炳宗茹国平屈新萍曹永峰徐蓓蕾蒋玉龙王连卫张荣耀朱剑豪
关键词：固相反应
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