高新江
- 作品数：62 被引量：78H指数：6
- 供职机构：中国电子科技集团公司第44研究所更多>>
- 发文基金：中国电子科技集团公司创新基金江苏省自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- InSb/InAsSb Strained Layer Superlattice Grown by MBE
- 1992年
- 叙述了采用国产 MBE 装置,在 GaAs 或 InSb 衬底上生长 InSb,InAsSb薄膜材料一些基础研究工作。采用二步生长法在 GaAs 衬底上生长优质 InSb 薄膜,厚度4.8μm,其室温迁移率达到4.3×10~4cm^2V·s,载流子浓度为2.4×10^(18)cm^(-3),77K 时载流子浓度为7.49×10^(15)cm^(-3);并在生长各种类型 InAsSb 超晶格材料的基础上,首次生长了 InAs_(0·05)Sb_(0·95)/InSb 应变层超晶格结构材料,其周期厚度为21nm,InSb 应变层与 InSb 层之间的共格度为0.65,本文还将叙述制作 InAsSb 长波红外探测器的具体工艺及其一些想法。
- 谢国柱高新江
- 关键词：超晶格INSB薄膜
- 高速InGaAs光电探测器芯片倒装集成结构及制作方法
- 本发明提供一种高速InGaAs光电探测器芯片倒装集成结构，包括管芯和用于倒装焊接所述管芯的载体，所述管芯的衬底面集成微透镜，所述管芯的正面中心设有P电极，于正面中心对称设有N电极，所述载体的正面中心设有与所述P电极对应的...
- 崔大健高新江黄晓峰樊鹏董绪丰
- 基于失调控制差分放大结构的单光子雪崩二极管淬灭电路
- 本发明提供一种基于失调控制差分放大结构的单光子雪崩二极管淬灭电路，其门控电路用于接收外部输入的门控使能信号，让其处于导通或关断状态；快速复位电路用于门控电路处于关断状态的同时，接收外部输入的复位信号让其处于导通状态；检测...
- 张秀川高新江奚水清郑丽霞姚群涂君虹
- 文献传递
- GPON用光接收APD芯片
- 高新江黄晓峰莫才平迟殿鑫蒋利群崔大健赵军陈扬王立樊鹏柳聪陈伟唐艳张圆圆董绪丰
- 该项目是由中国电子科技集团公司第四十四研究所(以下简称中电44所)自行开展的民品产业化项目，研发生产的产品为雪崩光电二极管(APD)芯片，应用于GPON(吉比特无源光网络)光接入网，在光线路端(OLT)及用户端(ONU)...
- 关键词：
- 关键词：雪崩光电二极管光接入网
- 集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件
- 本发明提供一种集成制冷的单光子雪崩光电二极管器件，包括壳体，壳体内侧的底部与制冷器的热端面连接，制冷器的冷端面设有陶瓷基板，陶瓷基板上设有电路布线并安装了单光子雪崩光电二极管芯片，该芯片与陶瓷基板上的侧面电路布线进行连接...
- 王玺杨君宜高新江林灵
- 文献传递
- 32×32面阵InGaAs Gm-APD激光主动成像实验被引量：25
- 2016年
- 近十年来,由于盖革模式APD焦平面探测器在探测灵敏度、空间分辨率和距离分辨率等方面的优势,使得面阵APD激光主动成像技术成为国际上的研究热点。考虑到大气传输特性,InGaAs材料或者HgCdTe材料的面阵APD探测器成为研制首选。在国内自研InGaAs材料的32×32像元Gm-APD基础上,搭建了一套1570nm激光主动成像实验平台,在成像帧频1kHz、单脉冲能量2mJ条件下,获得了外场3.9km目标的轮廓像,在720m处能获得目标的清晰表面结构距离像。通过该外场实验,证实了国内自研的面阵Gm-APD探测器性能良好,能够演示外场激光主动成像功能。实验结果表明,1570nm面阵APD激光成像雷达成像性能良好,能够实现远距离目标遥感探测,为未来实际应用奠定了良好的研究基础。
- 孙剑峰姜鹏张秀川周鑫付宏明高新江王骐
- 关键词：激光成像雷达INGAAS
- 一种平面型三阶梯结雪崩光电二极管及制作方法
- 本发明提供一种平面型三阶梯结雪崩光电二极管，包括衬底，顺序层叠于衬底上的缓冲层、吸收层、渐变层、电场控制层和帽层，部分所述帽层上设有同轴的三阶梯PN结，所述三阶梯PN结包括半径逐渐增宽而结深逐渐变浅的第三阶梯PN结、第二...
- 陈伟高新江张承迟殿鑫黄晓峰崔大健王立樊鹏
- 一种集成门控主动式淬火恢复电路
- 本发明公开了一种集成门控式淬火恢复电路，包括快速检测电路、脉冲产生电路、像素控制电路、淬灭及复位电路，其中快速检测电路将检测到的SPAD（单光子雪崩二极管）阳极电流信号处理成脉冲信号，经脉冲产生电路输出，像素控制电路由脉...
- 蒋利群高新江孙力军江永清
- 文献传递
- 适用于热电制冷型InGaAs短波红外相机的机壳
- 本发明公开一种适用于热电制冷型InGaAs短波红外相机的机壳，包括腔体以及与腔体两端连接的前、后盖板；腔体包括四个侧面以及垂直连接于四个侧面的隔板，四个侧面的外周边均匀设置有散热装置，隔板将腔体分为前舱和后舱，前盖板与腔...
- 周勋卢杰高新江黎晓刚
- 文献传递
- 倏逝波耦合型高速高功率光电探测器的制作方法
- 本发明公开了一种倏逝波耦合型高速高功率光电探测器的制作方法，包括：a、在半绝缘InP衬底上依次生长一层InP应力缓冲层、十个周期交替的InP/InGaAsP稀释波导层、两层InGaAsP光匹配层、三层InGaAs吸收层、...
- 崔大健高新江黄晓峰樊鹏王立
- 文献传递
