魏汝省
- 作品数：10 被引量：6H指数：1
- 供职机构：山东大学更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法
- 本发明提供一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法，所述方法包括：采用升华法将碳化硅源粉末加热至升华，建立优选温度和压力范围，确保生长晶型为4H-SiC；在生长室中建立特定的轴向温度梯度，促使碳化硅源粉升华至籽晶上结晶；...
- 徐现刚彭燕胡小波高玉强宋生王丽焕魏汝省
- SiC单晶中生长缺陷的研究进展
- SiC是第三代半导体材料的典型代表,它具有宽禁带、高热导率、高临界击穿电场、高电子迁移率、耐辐照、耐化学腐蚀等性能,在光电子和微电子领域均有重要的应用前景。与第一代半导体材料Si和第二代半导体材料GaAs相比,SiC单晶...
- 胡小波彭燕陈秀芳宋生魏汝省王丽焕徐现刚
- 关键词：SIC
- 在大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法
- 本发明涉及一种大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法，将6H-SiC晶片碳面抛光、清洗，碳面朝上平放在单晶生长炉坩埚中的石墨托盘中，抽真空度至1×10<Sup>-7</Sup>mbar，快速升温至1700-1750℃，...
- 陈秀芳魏汝省胡小波徐现刚
- 文献传递
- 4H-SiC热导率的测试与分析
- 本文研究了n型、V掺杂补偿(V-doped)半绝缘(SI)的4H-SiC晶体沿C轴方向的热导率温度的变化。采用激光闪光法(LFM)测量了SiC沿c轴方向的热扩散系数a(T)，对比发现n型样品具羊高的热扩散系数。差热扫描量...
- 魏汝省彭燕陈秀芳胡小波徐现刚
- 关键词：半导体材料碳化硅热导率
- 基于6H-SiC衬底外延石墨烯的被动锁模掺镱光纤激光器被引量：6
- 2011年
- 报道了6H-SiC衬底外延生长的石墨烯作为可饱和吸收体,环形腔结构的全正色散被动锁模掺镱光纤激光器。在注入抽运功率为250mW时,得到稳定的重复频率为1.05MHz的自锁模脉冲,平均输出功率为6mW;当注入抽运功率增加到480mW时,最大平均输出功率为20mW,相应的最高单脉冲能量为19nJ,激光脉冲宽度约为520ps。
- 刘江魏汝省徐佳徐现刚王璞
- 关键词：激光器光纤激光器碳化硅衬底被动锁模
- 6H-SiC的飞秒激光超衍射加工
- 2013年
- 利用飞秒激光直写微纳加工平台,对6H-SiC材料进行了突破衍射极限的微纳结构加工研究.使用中心波长和脉宽分别为800nm和130fs的钛蓝宝石激光器和荧光倒置显微镜搭建了飞秒激光直写微纳加工平台,研究了在不同的实验条件下对6H-SiC的光学加工情况,采用扫描电子显微镜对加工结构进行表征.通过分析不同的激光功率和不同的曝光时间等实验条件下加工的分辨率,发现分辨率随着激光功率的减小而提高,随扫描速度的增大而提高,且能突破光学衍射极限.最终获得125nm的加工线宽,并加工了加工线宽240nm,周期1.0μm的线阵列.研究结果为微机电系统(MEMS)的微器件设计开创了新的思路,对发展MEMS器件具有重要意义.
- 云志强魏汝省李威罗维维吴强徐现刚张心正
- 关键词：微机电系统
- 有色碳硅石宝石及其制备方法
- 本发明涉及有色碳硅石宝石及其制备方法。所述有色碳硅石宝石是在6H-SiC或4H-SiC中掺杂有不同类型的杂质元素，所述杂质元素包括背景杂质元素N、B、Al和/或故意掺杂的杂质元素Ti、V、Ni、N、Ce之一种或2种。有色...
- 徐现刚付芬胡小波魏汝省
- 文献传递
- 一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法
- 本发明提供一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法，所述方法包括：采用升华法将碳化硅源粉末加热至升华，建立优选温度和压力范围，确保生长晶型为4H-SiC；在生长室中建立特定的轴向温度梯度，促使碳化硅源粉升华至籽晶上结晶；...
- 徐现刚彭燕胡小波高玉强宋生王丽焕魏汝省
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- 有色碳硅石宝石及其制备方法
- 本发明涉及有色碳硅石宝石及其制备方法。所述有色碳硅石宝石是在6H-SiC或4H-SiC中掺杂有不同类型的杂质元素，所述杂质元素包括背景杂质元素N、B、Al和/或故意掺杂的杂质元素Ti、V、Ni、N、Ce之一种或2种。有色...
- 徐现刚付芬胡小波魏汝省
- 文献传递
- 在大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法
- 本发明涉及一种大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法，将6H-SiC晶片碳面抛光、清洗，碳面朝上平放在单晶生长炉坩埚中的石墨托盘中，抽真空度至1×10<Sup>-7</Sup>mbar，快速升温至1700-1750℃，...
- 陈秀芳魏汝省胡小波徐现刚
