黄家乐
- 作品数：4 被引量：6H指数：1
- 供职机构：天津大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于0.25μm MS/RF CMOS工艺的光电单片集成接收机设计(英文)
- 2006年
- 设计了一种单片集成的光电接收机芯片.在同一衬底上制作了基于同一工艺的光电二极管与接收机电路,以消除混合集成引入的寄生影响.这种单片集成接收机采用了先进的深亚微米MS/RF(混合信号/射频)CMOS工艺,利用这种新型工艺提供的新技术对原有光电二极管进行了改进,使其部分性能显著改善,并对整个光电集成芯片性能的提高有所帮助.
- 陈弘达高鹏毛陆虹黄家乐
- 关键词：单片集成光电集成电路CMOS工艺
- MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试被引量：1
- 2006年
- 设计了一种新型的与MS/RFCMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟。采用TSMC0.18μmMS/RFCMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试。模拟和测试结果均表明,该探测器与常规双光电探测器相比,具有较低的暗电流和较高的响应度。
- 雷晓荃毛陆虹陈弘达黄家乐
- 关键词：CMOS工艺
- 带浅沟槽隔离的双光电二极管电路模型研究
- 2007年
- 通过器件模拟并结合实验结果,在已有PIN(Positive intrinsic negative)和DPD(Double photo-diodes)探测器电路模型基础之上,对带浅沟槽隔离(STI)准PIN结构的DPD探测器电路模型进行了探讨。模拟了由深N阱和浅沟槽给DPD带来的性能上的改变,同时结合实验结果,从响应电流和探测器的等效串联电阻两方面对电路模型进行了修正,得到了符合该器件的较准确电路模型。
- 王倩毛陆虹梁惠来张世林郭维廉黄家乐
- 关键词：硅光电探测器电路模型等效串联电阻
- MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器被引量：5
- 2005年
- 为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC0.18μmMS/RFCMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响应度和结电容,并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响.结果表明,利用标准MS/RFCMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性.
- 黄家乐毛陆虹陈弘达高鹏刘金彬雷晓荃
- 关键词：单片集成CMOS工艺硅光电探测器暗电流响应度结电容
