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黄钊洪

作品数:57 被引量:113H指数:7
供职机构:华南师范大学信息光电子科技学院更多>>
发文基金:广东省自然科学基金广东省重点攻关基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信机械工程电气工程更多>>

文献类型

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领域

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主题

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机构

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作者

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传媒

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  • 1篇应用光学
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇激光与红外
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  • 1篇二〇〇六年全...

年份

  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 8篇2006
  • 5篇2005
  • 5篇2004
  • 8篇2003
  • 7篇2002
  • 5篇2001
  • 3篇2000
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1983
57 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种无接触电容式角度传感器的设计
设计了一种完全无接触的电容角度传感器,结构简单,电极引出线连接可靠,输出线性度高;应用 AD7745结合单片机采集处理电容信号,外围电路简洁,应用方便。在软件设计方面通过对AD7745的实时调节,在0-90°转动时线性输...
梁胜黄钊洪
关键词:CDCI2C接口
文献传递
InSb-In共晶体磁阻薄膜的晶面和磁阻特性被引量:22
2001年
通过真空镀膜工艺获得磁阻灵敏度RB R0 >4.0 (B=0 .3T)的InSb -In共晶体磁阻薄膜。公布了用X射线衍射法对这种薄膜进行物相分析的结果和它的磁阻特性曲线 ,它表明薄膜中主要含有 (111)晶面的InSb和 (10 1)晶面的In ,还有 (2 2 0 )、(311)、(40 0 )、(5 11)晶面的InSb和 (0 0 2 )、(10 3)、(110 )、(112 )、(2 0 0 )、(2 11)、(2 13)晶面的In ,它们构成InSb -In共晶体。
黄钊洪
关键词:共晶体磁阻效应晶面
基于CAV424的无接触式电容角度传感器被引量:5
2006年
设计了一种具有新结构的电容式角度传感器,并利用德国AMG公司研制的集成电路CAV424将电容传感器信号转化为差分直流电压,在0~900°范围内,得到了比较理想的线性输出。按此设计可制成无接触式角度传感器,实现对角度的精确测量,具有降低系统干扰、测量误差的能力和极长的使用寿命。
秦玉伟黄钊洪
关键词:电容传感器CAV424
温度控制装置中的InSb-In磁敏电阻
2008年
研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成。实验结果表明,InSb-In磁敏电阻材料同其他温敏元件材料一样,具有很好的温度特性,其温度特性与热敏电阻NTC极为相近;用InSb-In磁敏电阻材料制作的温控器具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区其灵敏度可以高于30mV/℃,常温下也可达到23mV/℃左右。同时它还具有稳定性强、可靠性好、受环境因素影响小、结构简单紧凑、价格低廉、对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关。
刘冰黄钊洪孔令涛
关键词:磁敏电阻温度特性温控器灵敏度
InSb-In共晶体薄膜磁阻式齿轮转速传感器被引量:18
2002年
介绍一种用锑化铟—铟 (InSb In)共晶体薄膜磁敏电阻 (MR)制成的齿轮转速传感器 (GVS) ,它由磁敏电阻器和信号处理电路两部分构成。磁敏电阻器的噪声约为 95 μV ,磁敏电阻器与齿轮的距离为5mm时 ,输出信号约为 3mV ,信噪比约 30dB ,测量的准确性可与国外同类产品相媲美。
刘洪黄钊洪代贵华黄志文徐明六
锑-铟系半导体磁阻薄膜磁头
本实用新型是锑-铟系半导体磁阻薄膜磁头,它由外壳、磁阻薄膜、基片、铁磁性物质薄片、双面敷铜板、垫圈、永磁体、内连线、外引线、环氧树脂安装连接构成,其连接关系为:磁阻薄膜通过真空热蒸发或溅射沉积粘附在基片上构成磁阻元件,铁...
黄钊洪
文献传递
半导体磁阻式光电传感薄膜材料及光电传感元件<'*>
制成一种半导体锑化铟-铟共晶型薄膜材料,并用这种材料制成三端式磁阻元件.把这种磁阻元件置于恒定磁场中,在波长λ<,p>=660nm光脉冲照射下,其中间端点会输出随光脉冲的变化而变化的脉冲电信号.用此元件已制成了新型的磁阻...
黄钊洪代贵华黄志文邝志锋
关键词:锑化铟磁阻元件光电传感器
文献传递
基于InSb-In磁阻元件的液体流量计的设计被引量:1
2009年
设计了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体流量计,该流量计中的转动涡轮由磁钢材料制作,当转动的涡轮叶片靠近InSb-In共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化,进而产生交变信号。经过对信号的处理,单片机进行计数,可以得到瞬时流量和累积流量。本流量计采用西6mm管径设计,实验中采用自来水作为被测液体,每脉冲代表液体流量为0.8776mL,其有效测量量程为0.05—0.5m^3/h,测量误差在±0.4%左右,能满足低流速测量工业现场的使用要求,并能降低制造成本。
孔令涛黄钊洪刘冰
关键词:锑化铟磁阻效应磁敏电阻流量计
基于InSb-In磁阻元件的液体流量开关设计
2009年
介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制作而成的液体开关。此种液体开关是利用液体流动时的冲击力推动置于液体管道中的涡轮转动。该涡轮由磁钢材料制作,当转动的涡轮叶片靠近InSb—In共晶体薄膜磁阻元件时引起其阻值的变化,进而产生交变信号。经过对信号的处理,最后送入单片机进行计数,当脉冲频率低于某一设定值或高于某一设定值时,通过单片机输出高电平,起到报警的目的。本流量开关是基于四分管设计,其监测的流量范围为1.5~8.4L/min。
孔令涛黄钊洪范莉莉刘冰
关键词:磁阻效应磁敏电阻流量开关
新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器
本文研制的振动传感器是一种利用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器.与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比,这种传感器的灵敏度更高,频率响应宽.经实测,其提供的电信号的信噪比...
郑鑫黄钊洪
关键词:INSB-IN磁阻效应振动传感器
文献传递
共6页<123456>
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