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兰李桥

作品数：4 被引量：5H指数：1
供职机构：北京师范大学低能核物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：轻工技术与工程核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇杏仁
  • 1篇整流
  • 1篇整流器
  • 1篇少子寿命
  • 1篇射线
  • 1篇砷化镓
  • 1篇尼龙
  • 1篇驱虫
  • 1篇染料
  • 1篇贮藏
  • 1篇剂量计
  • 1篇加速器
  • 1篇功率器件
  • 1篇硅功率器件
  • 1篇硅整流
  • 1篇硅整流器
  • 1篇辐射贮藏
  • 1篇辐照
  • 1篇辐照缺陷
  • 1篇Γ辐射

机构

  • 3篇北京师范大学
  • 2篇北京市辐射中...
  • 1篇中国计量科学...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国原子能科...
  • 1篇北京市卫生防...

作者

  • 4篇兰李桥
  • 2篇李凤梅
  • 1篇张彦立
  • 1篇钱思敏
  • 1篇谢立青
  • 1篇陈开茅
  • 1篇金泗轩
  • 1篇王维国
  • 1篇王瑛
  • 1篇施婷婷
  • 1篇刘兰珍

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇核技术
  • 1篇辐射研究与辐...
  • 1篇全国加速器工...

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1986
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
硅功率器件生产中控制少子寿命的电子辐射工艺
兰李桥钱思敏施婷婷
关键词：半导体器件加速器硅整流器辐照
杏仁辐射杀虫卫生标准研究被引量：5
1992年
报道杏仁的辐射杀虫卫生标准研究结果。采用^(60)Coγ射线辐照杏仁样品,平均吸收剂量1.0kGy可有效地杀灭危害干果类的主要仓虫——印度谷螟。室温贮藏220 d后,1.0 kGy组样品好果率比对照组提高20％左右;对辐照前后杏仁样品的理化、营养学指标测定结果表明,对照组、1.0 kGy组和1.5kGy组的结果均无显著差异,提示在所选用剂量下,辐射工艺对上述指标无明显影响。
王瑛王维国李凤梅谢立青狄少杰兰李桥张正俞雅文
关键词：杏仁驱虫辐射贮藏
全文增补中
NF-86、NF-87与FWT-60三种辐射变色染料尼龙薄膜剂量计性能的比较研究
1991年
NF-86和NF-87两种剂量计均是以尼龙为基质材料,分别以六羟乙基付品红氰化物和付品红氰化物为辐射变色染料的薄膜剂量计。本文给出这两种剂量计与国外同类产品——美国远西公司的FWT-60辐射变色尼龙薄膜剂量计主要剂量学性能比较研究的结果。结果表明NF-86、NF-87剂量计的性能已接近和达到美国FWT-60剂量计的水平,能够为国内辐射加工中γ剂量测量(10~3—10~5Gy)提供一种简便快速而又可靠的监测手段。
沈文秀丁兴农朱建寰张彦立兰李桥朱绍南李凤梅刘兰珍
关键词：尼龙剂量计染料
浅杂质注入LEC半绝缘GaAsγ射线辐照缺陷
1994年
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和恒温电容瞬态等技术研究了浅杂质注入ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ的γ射线辐照缺陷。在Ｂｅ－Ｓｉ共注的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐照引入一电子陷阶Ｅ＿２，并且大大增强了原有的Ｅ＿（０１）（０．２９８）和Ｅ＿（０２）（０．３４１）等缺陷，同时明显地瓦解了原有的少子陷阱Ｈ＿（０３）。在单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ中，γ射线辐阳引进了Ｅ＇＿（０１）（０．２１６），Ｅ＇＿（０２）（０．３４１），Ｅ＇＿２，Ｅ＇＿４和Ｅ＇＿５（０．６０８）等缺陷。其中Ｅ＿（０１）和Ｅ＇＿（０１）是新发现的和γ辐照有关的ＧａＡｓ缺陷。和低阻衬底同质外延ＧａＡｓ相比，Ｂｅ－Ｓｉ共注ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较低的γ射线辐照缺陷引入率，与此相反，单纯注Ｓｉ的ＬＥＣ半绝缘ＧａＡｓ具有较高的γ射线辐照缺陷的引入率。
陈开茅金泗轩邱素娟吕云安何梅芬兰李桥
关键词：砷化镓Γ辐射
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