凌志聪
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：香港大学更多>>
- 发文基金：香港特区政府研究资助局资助项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 用于在4H-SiC二极管制造期间在线检测原子级缺陷的发光方法
- 一种检测半导体中的原子级缺陷的方法，包括以下步骤：用场发射扫描电子显微镜(SEM)扫描所述半导体的表面，以形成其SEM图像；用光探测器和单色仪扫描所述SEM图像，以获得所述SEM图像的阴极发光(CL)强度空间映射图；确定...
- 凌志聪李思华何乐平周永昌
- 通过脉冲激光沉积制备的透明且高k的薄膜
- 本发明涉及通过脉冲激光沉积法形成具有高介电常数和在可见光范围内具有高光学透射率的薄膜(Ga 0.5％，Cu 8％)共掺杂ZnO。该方法的步骤包括将安装在样品架上的基于蓝宝石的衬底安置到脉冲激光沉积室中；并在所述室内安置含...
- 黄栋凌志聪
- 六方碳化硅中的深能级缺陷被引量：3
- 2004年
- 文章作者利用深能级瞬态谱 (DLTS) ,正电子湮灭谱 (PAS)和光致荧光谱 (PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷 .这些深能级缺陷分别通过不同能量的电子辐照、中子辐照 ,或氦离子注入等产生 .经过研究和分析各种实验测试的相关图谱 ,作者给出了六方碳化硅中一些重要的深能级缺陷在可控辐照条件下产生和退火行为的研究结果以及这些深能级缺陷相关结构的实验依据 .
- 凌志聪陈旭东冯汉源C.D.Beling龚敏四川大学物理学院葛惟锟王建农G.BrauerW.AnwandW.Skorupa
- 关键词：能级湮灭氦离子正电子电子辐照PL
- 电子和中子辐照n型6H-SiC的光致发光谱
- 2006年
- 对用电子能量为1.7,0.5和0.4MeV的电子辐照和中子辐照后的n型6H-SiC样品进行低温光致发光研究.对于Ee≥0.5MeV电子辐照和中子辐照后的样品,首次发现了位于478.6/483.3/486.1n m的S1/S2/S3谱线.对样品进行热退火研究表明S1/S2/S3谱线在500℃下消失,而退火温度高于700℃时D1中心出现.考虑到产生C空位和Si空位所需的位移阈能以及热退火行为,说明S1/S2/S3为初级Si空位初级缺陷,而D1中心为二次缺陷.
- 钟志亲龚敏王鸥余洲杨治美徐士杰陈旭东凌志聪冯汉源BelingCD
- 关键词：6H-SIC辐照
- 通过脉冲激光沉积制备的透明且高k的薄膜
- 本发明涉及通过脉冲激光沉积法形成具有高介电常数和在可见光范围内具有高光学透射率的薄膜(Ga 0.5％，Cu 8％)共掺杂ZnO。该方法的步骤包括将安装在样品架上的基于蓝宝石的衬底安置到脉冲激光沉积室中；并在所述室内安置含...
- 黄栋凌志聪
- ZnO/p-Si异质结构的电学输运特性被引量：1
- 2007年
- 采用等离子体浸没离子注入沉积方法,在p型Si衬底上制备了具有整流特性的、非故意掺杂的以及掺氮的ZnO/p-Si异质结.非故意掺杂的ZnO薄膜为n型(电子浓度为1019cm-3数量级),掺氮的ZnO薄膜为高阻(电阻率为105Ω·cm数量级).非故意掺杂的ZnO/p-Si异质结在正向偏压下,当偏压大于0.4V,电流遵循欧姆定律.然而对于掺氮的ZnO/p-Si样品,当偏压小于1.0V时,电流表现为欧姆特性,当偏压大于2.5V时,电流密度与电压的平方成正比的关系.分别用Anderson模型和空间电荷限制电流模型对非故意掺杂和掺氮的ZnO/p-Si异质结二极管的电流输运特性进行了解释.
- 顾启琳陈旭东凌志聪梅永丰傅劲裕萧季驹朱剑豪
- 关键词：ANDERSON模型
